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%E5%A4%A7%E4%BF%A1%E的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦蕭敏學寫的 大學電子學實習(一) - 電子電路分析篇 - 附MOSME行動學習一點通：加值 和守川知子,伏見岳志,三木聰,川分圭子的 歷史的轉換期7：1683年.近世世界的變貌都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自台科大 和臺灣商務所出版 。
國立中央大學 電機工程學系 綦振瀛所指導 陳暉宇的 次微米T型閘極氮化鎵毫米波功率電晶體 之製程與特性分析 （2021），提出%E5%A4%A7%E4%BF%A1%E關鍵因素是什麼，來自於高電子遷移率電晶體、氮化鋁銦鎵、T型閘極。
而第二篇論文國立陽明交通大學 光電工程研究所 郭浩中、高宗聖所指導 張雅婷的 高功率及低基板損耗氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體製作於 SOI 基板之研究與分析 （2021），提出因為有 氮化鎵、高速電子遷移率電晶體、SOI基板、翹曲現象、磊晶品質、高功率元件、高頻元件的重點而找出了 %E5%A4%A7%E4%BF%A1%E的解答。
大學電子學實習(一) - 電子電路分析篇 - 附MOSME行動學習一點通：加值
為了解決%E5%A4%A7%E4%BF%A1%E 的問題，作者蕭敏學 這樣論述：
1.完全依電子學教學課綱進度編寫。 2.編寫結構分為：基本知識與實驗項目兩部分。 3.基本知識：論述電子電路基本理論、簡易設計方法與補充教材。 兼具正課複習與重點提示功能。 4.實驗項目：包含麵包板實際作業與電腦模擬兩部分之操作導引。 5.針對電子電路各項重點特性之驗證，本書工作範例豐富。 6.部分章節可供進階學習、參考與使用。
次微米T型閘極氮化鎵毫米波功率電晶體 之製程與特性分析
為了解決%E5%A4%A7%E4%BF%A1%E 的問題，作者陳暉宇 這樣論述：
本論文研究主題為使用成長於矽基板之氮化鋁銦鎵/氮化鎵異質結構磊晶片製作毫米波功率電晶體，並藉由電子束微影開發T 型閘極製程。論文中以TDUR-P015/ Dilute ZEP-A7 雙層光阻結構進行閘極足部與頭部的曝光，達到高穩定性與高良率的T 型閘極製程，並且透過熱回流製程進行閘極微縮，最終將閘極長度微縮至90 nm 以提升電流增益及高頻特性。另外，本論文亦探討具有不同厚度之氮化鎵表面披覆層結構對於高頻元件的影響，除了轉移與輸出特性曲線亦測量元件之暫態特性，並以X-射線繞射實驗分析元件特性與磊晶差排密度之關聯性。 本論文中製作的高電子遷移率電晶體在直流特性上，具有2 nm 和5 nm
GaN cap 厚度元件於閘極長度140 nm 的電流密度分別為876.1 mA/mm 與999.6 mA/mm，而將閘極長度藉由熱回流製程微縮至90 nm 時，其電流密度分別可提升為1035 mA/mm 與1082 mA/mm，而對於不同GaN cap 厚度在元件上的影響，可發現GaN cap 為5 nm 時皆有較優異的特性，較厚的GaN cap 可以更有效的分散閘極邊緣的電場以降低閘極漏電流，使元件開關比從106 提升至107。另外，以去嵌化小訊號量測具有2 nm 和5 nm GaNcap 厚度之元件，在閘極長度為90 nm 時fT/fmax 分為100.4/110.9 GHz 以及13
0.4/144.3 GHz，由於GaN cap 厚度的增加使得元件閘極電容下降，所以5 nm GaN cap 元件有較高的截止頻率。這些數據是國際上在相同閘極長度的元件上所獲得最佳的數據。元件的大訊號特性，是操作於Class AB 的狀態，分別在10 GHz 以及28 GHz 下進行量測，不同GaN cap 厚度的元件在10 GHz 時之PAE 為19.29/21.77 %，功率增益為17.22/16.74 dB；而在28 GHz 時之PAE 為17.15/12.38 %，功率增益則為11.31/ 11.43 dB。未來在元件截止狀態之漏電流改善後，大信號特性應可再提升。
歷史的轉換期7：1683年.近世世界的變貌
為了解決%E5%A4%A7%E4%BF%A1%E 的問題，作者守川知子,伏見岳志,三木聰,川分圭子 這樣論述：
想理解歷史，轉換視角是不夠的 這套書，讓你完全扭轉世界史的理解方式！ ───────────給我一個年分，我就給你全世界─────────── 以全球角度檢視歷史 著重於整個地球的共時性觀點 創造出劃分時代的全新指標，考察各地紛雜發展的無限可能 ★★★★★歷史教科書權威 日本山川出版社70周年紀念鉅獻★★★★★ ➤➤➤故事StoryStudio網站 轉換期全系列書評 陸續上線中 ➤➤➤ storystudio.tw/columnist/cptwbook 西元1683年，人類歷史的轉捩點──────── ➤ 西歐
：奉行重商主義，光榮革命前夕，歐洲霸權轉移至英國 ➤ 東歐：鄂圖曼帝國圍攻哈布斯堡王朝首都維也納失敗，東西霸權象徵性轉換 ➤ 東南亞：阿瑜陀耶王國逐步收緊對歐海上貿易，港都國家的轉型 ➤ 東亞：明鄭勢力正式投降，清朝將臺灣納入版圖 ➤ 中美洲：西班牙人、印地安人、海盜三方勢力競逐，殖民地社會的確立 歷經近世前期大航海時代的華麗燦爛，世界發展在步入近世後期前逐漸穩健成熟，亦即所謂「漫長的十八世紀」，各地身分階級制社會趨於安定，庶民消費經濟蓬勃發展。一六八三年，正是宣告人類即將邁向這個成熟近世世界的動盪年分。 之所以稱為動盪，主要來自以下兩點
：區域權力平衡的轉換，以及海上貿易平衡的變化。在歐亞大陸東西兩側，鄂圖曼與明朝兩大巨頭式微，前者於一六八三年圍攻維也納失敗，進軍歐洲失利，後者殘存的明鄭沿海勢力也於該年正式被清朝收編。至於海上貿易，原先以荷蘭東印度公司為代表的歐洲重商主義勢力，在東亞及東南亞均遭遇在地政權及商人集團的更迭，大航海時代璀璨的國際貿易熱潮開始步入暮途。 雖然如此，已然成形的貿易網絡讓人群、物品與資訊持續活躍流通，大量庶民消費品也在「漫長的十八世紀」持續供應歐洲社會需求，為後續工業革命及十八世紀後期的政治動盪立下基礎。此外，美洲殖民地社會逐漸成形，西班牙等殖民者得積極面對海盜、印地安人等不同族群，建立
獨特的殖民地經濟與法律體制。 有關全球史的近世（或稱近代早期）時代區分問題，一直是研究者關切的議題。若以全球化的進步程度當成時代區分的指標，此時期的全世界均面臨了程度不一的相同動盪。從亞洲海域的歐亞間遠距離貿易，到深入探討從伊朗遊歷至南歐的的改宗者，接著進入西班牙殖民統治的猶加敦半島看看三方角力，然後轉往中國福建省的地域社會分析，最後重歸西歐大西洋貿易圈英國的法律政策變遷。整體而言，燦爛輝煌的商業泡沫時代告終，世界慢慢趨向成熟，近世社會的樣貌也逐漸改變，催生出下一個帶有近代意義的時代特徵。 本套書共11冊： 『歴史の転換期』監修 木村靖二、岸本美緒、小
松久男 第1冊 前221年 帝國與世界史的誕生（南川高志編） 第2冊 378年 崩解的古代帝國秩序（南川高志編） 第3冊 750年 普遍世界的鼎立（三浦徹編） 第4冊 1187年 巨大信仰圈的出現（千葉敏之編） 第5冊 1348年 氣候不順與生存危機（千葉敏之編） 第6冊 1571年 白銀大流通與國家整合（岸本美緒編） 第7冊 1683年 近世世界的變貌（島田龍登編） 第8冊 1789年 追求自由的時代（島田龍登編） 第9冊 1861年 改革與試煉的時代（小松久男編） 第10冊
1905年 革命的浪潮與團結的夢想（小松久男編） 第11冊 1919年 邁向現代的摸索（木村靖二編） 套書特色 ➤ 橫切式敘事，全球史書寫的另一種可能 以往的歷史寫作，多半著重單一地區或主題，從上古一路談到現代，也就是時間軸的「縱切式敘事」。近年全球史概念盛行，提倡以更廣闊、更多元的視野理解歷史，也出現不少挑戰這種縱切式敘事的新歷史著作。包括新觀點的嘗試（自然史、環境史），新視角的切入批判（東亞視角、庶民視角、遊牧民族視角），以及多語言史料的引用（貿易史、文化交流史）。然而，真正從根本上顛覆、提出新的「橫切式敘事」的，就是這套書了：它挑選一個特定歷
史年分，並告訴你，那時間全世界各地都發生了些什麼事。 ➤ 推動世界前進的「轉換期」：當時人的能動性，及各地重大轉變的共時性 然而，挑選特定年分，並不是漫無目的的挑選，也不是以後人眼光做後設角度的挑選。本套書挑選的11個年分，都是「當時人們深切感受到重大變化」的轉換期。他們跟今天的我們一樣，都面對不可預測的未來，不斷做出相同或迥異的選擇。本套書即針對此能動性進行分析。同時，這樣的變化具備「共時性」，好幾個地區同時產生了類似的重大轉變，而這段轉換期帶動了世界前往下一個階段。本套書開創了某種可能，也就是不以零星四散的方式敘述，而是透過廣闊的視野，通盤關注同一時間各地人們直接面對
的問題，以及他們回應問題的多樣性與共通性。 ➤ 具體實例如漣漪一般，彼此碰撞而成的世界 本套書雖標舉全球史的廣闊視野，但在挑選篇章上抱持自由態度，不強制對同一時間的世界各地進行平均挑選，而是在這狹窄但別具意義的時間範圍內，盡可能提供鮮明生動的實例。這些事例像漣漪一般，不斷往外擴散又彼此重合；描繪出這些漣漪彼此碰撞的軌跡，就是本套書的特徵。「世界史」不是各國國別史的集合體，也不是單一框架下的均質產物；從紮根於各地區的視野出發，透過彼此接觸的對話，展現出活生生的鮮明姿態，這才是本套書所談的世界史。 ➤ 主流與非主流並進，拓寬視野，提升歷史素養 專文
由各冊編者自由挑選，不侷限是主流或非主流地域的歷史。部分冊數挑選廣為人知的歷史進行分析（如第一冊，羅馬帝國與秦漢帝國）；部分冊數則依該年代面臨之變遷，挑選鮮為人知的歷史為例（如第八冊，北亞毛皮貿易、東南亞海盜與印度洋西岸奴隸制）。在培養新時代提倡的「歷史素養」時，拓寬以往對歷史的理解視野是必要的。而本套書正是最好的示範與參考用書。 ➤ 各冊編者總論，重點補充專欄，以及臺灣學者推薦序 各冊開頭均附該冊編者總論，講述該特定年分世界各地面臨的重大轉變為何，帶領讀者概觀整體樣貌。除了主要敘述，也附上做為補充的專欄。本次引進繁體中文版，也邀請歷史學者擔任各冊導讀人，補充臺灣在地學者
的觀點。 好評推薦 中央研究院近代史研究所助研究員 陳建守 選書企畫 中央研究院臺灣史研究所副研究員 鄭維中 陽明交通大學人文社會學系助理教授 盧正恒 專文導讀
高功率及低基板損耗氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體製作於 SOI 基板之研究與分析
為了解決%E5%A4%A7%E4%BF%A1%E 的問題，作者張雅婷 這樣論述：
在本論文中，我們展示了 AlGaN/GaN HEMT 製作於絕緣層上覆矽(Silicon-On-Insulator, SOI) 基板；並證明高濃度的硼(Boron)摻雜在SOI 的操作晶圓(Handle wafer)中可提高機械強度，使基板有更高的楊氏係數(Young's coefficient)和硬度(Hardness)值。由於重摻雜 SOI 基板具有更大的機械強度，磊晶過程中晶片的曲率變化顯著降低，從而大幅改善翹曲效應(Bowing effect)，進而使 AlGaN/GaN 磊晶品質得到優化，並由 X 射線衍射光譜 (XRD)數值證明。而後，我們在重摻雜及輕摻雜的 SOI 基板上分別建
立的功率(Power)和射頻(RF)元件，可以發現基於磊晶品質的優化，差排缺陷密度(Dislocation density)的減少，元件在優化後的基板具有更好的直流性能，包括斷態洩漏(Off-state leakage)、導通電流(On current)、電導(gm) 以及崩潰電壓(Breakdown voltage)；可靠度表現也得到優化。在小信號表現上，元件在重參雜的SOI 基板上更適合操作於 10 GHz 頻率範圍內；在此範圍內，元件的功率增益和基板的 CPW 損耗都相較輕摻雜的 SOI 基板表現更好。重摻雜基板上的元件而在大信號操作下提供了更佳的結果，在 2.4 GHz頻段中功率轉換效
率(PAE) >50%且最大輸出功率(Pout)達到 2.57 W/mm，是目前 HEMTs 製作於 SOI 基板中最好的結果。這意味著通過在重摻雜 SOI 基板不僅可以減少彎曲效應，而且可以提高元件在高功率高頻應用的性能。