Electric guitar bran的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

自動完成虛擬原型麵包板電路

為了解決Electric guitar bran的問題，作者孫振國 這樣論述：

使用工具軟體(例如，Fritzing ，VBB和123D Circuits)，設計和紀錄麵包板電路已經成為創作者或其他人的常用作法，這些工具被沒有大量電子知識背景的人使用。但是很多現有的工具，需要使用者手動添加和連接電子組件，這可能容易出錯且耗時。常見的硬件錯誤，例如缺少組件(例如，使用LED時不連接電阻器)或錯誤接線，也會在虛擬世界中發生，並且可能導致用戶花費大量時間和精力進行調試。我們提出了一個autocomplete自動完成的概念，常見於網絡搜索，文本編輯和編程，以構建虛擬麵包板電路。透過autocomplete工具軟體的原型， 此工具可以自動完成虛擬麵包板電路的設計和開發，當使用者使

用我們的 系統插入組件到虛擬麵包板，並會自動為使用者推薦建議的組件列表，這些推薦會完成或擴展插入組件的電子功能，以節少使用者完成電路的時間或錯誤。為了證明autocomplete的有效性，我們在Fritzing上實現了我們的系統， Fritzing是一種流行的開源麵包板電路原型設計軟體，我們的autocomplete推薦是基於Fritzing標準組件之數據表實作接線，以及Fritzing社群裡4000多筆電路計畫中組件的使用方式，我們將會紀錄16名受測者的實驗結果，評估autocomplete在創建虛擬麵包板電路中的有效性，並通過分享未來研究的見解和方向得出結論。

多閘極金氧半場效電晶體之次臨界行為研究及其次臨界邏輯電路之應用

為了解決Electric guitar bran的問題，作者高鴻文 這樣論述：

隨著科技的進步以及行動設備、無線網路和其他低功耗設備的發展，功率消耗已經成為電路設計中重要的議題。最近，由於超大積體電路之漏電流、溫度控制及可靠性問題的增加，超低功耗電路很快地引起廣大的關注。根據研究，供應電壓低於元件臨界電壓的次臨界操作可以顯著地降低電路能源的消耗。於此同時，由於閘極方向長度的縮短，通道上的閘極控制效率降低，傳統平面電晶體(Planar Transistor)面臨越來越嚴峻的挑戰，漏電流及短通道效應(SCEs)的影響變得越來越嚴重。為了解決上述所提到的問題，絕緣層上覆矽(SOI)技術中的多閘極元件結構如:雙閘極金氧半場效電晶體(Double-Gate MOSFET)、三閘極

金氧半場效電晶體(Triple-Gate MOSFET or FinFET)、環繞式閘極金氧半場效電晶體(Gate-All-Around MOSFET)被提出能有效抑制短通道效應的影響及延續超低功率閘極金氧半場效電晶體(ULP MOSFETs)微縮到奈米級的尺寸。目前為止，儘管有文獻對靜態互補式金氧半場效電晶體次臨界邏輯電路之類比/交流行為(Analog/AC Behavior)進行了廣泛的分析，但是對直流行為(DC Behavior)分析的文獻卻非常少，特別是針對邏輯擺幅(Logic Swing)、雜訊邊界(Noise Margin)和平均消耗功率(Average DC Power Cons

umption)的分析，除此之外，上述所提到的文獻僅針對傳統平面金氧半場效電晶體的次臨界邏輯行為進行研究分析，不適用於多閘極金氧半場效電晶體。因此，本文針對多閘極金氧半場效電晶體上次臨界行為特性進行探討，並將多閘極金氧半場效電晶體套用在邏輯電路上，去探討其邏輯電路的特性變化。本論文基於多閘極金氧半電晶體之次臨界行為解析模型(Subthreshold Behavior Model)，推導出了次臨界邏輯閘(Subthreshold Logic Circuit)直流行為解析模型(DC Behavior Model)，包含邏輯擺幅(Logic Swing)、雜訊邊界(Noise Margin)和平均消

耗功率(Average DC Power Consumption)，並且對次臨界邏輯電路的直流特性進行深入的分析。由於它可適用於任何邏輯類型，因此採用反向器作為參考電路。本文中，率先介紹簡單且精確的多閘極金氧半電晶體之次臨界行為模型(Subthreshold Behavior Model)，接著，將詳細探討超低電壓操作下的DC直流行為(DC Behavior)。通過超低電壓操作可以實現極低的功耗，而低功耗的代價則是降低的速度和動態範圍。 然而，次臨界邏輯電路主要用於電路設計中超低功耗端的應用。因此，次臨界邏輯電路適合於特定應用（例如新興的穿戴式設備、IC卡、無線傳感器和其他電池供電的應用，如物

聯網），這些應用不需要非常高的性能。我們使用混合模式元件/電路模擬器”DESSIS”來驗證研究分析結果。傳統平面電晶體發展成三維多閘極電晶體後遭遇到一些3D元件中固有的變化因素，3D元件模擬器是探討元件性能變化非常有用的工具。針對元件幾何形狀、摻雜濃度和器件物理效應的影響，3D模擬器被廣泛用於分析和優化元件特性，例如電位分佈(Potential Distribution)，臨界電壓(Threshold Voltage)，次臨界電流(Subthreshold Current)，次臨界擺幅(Subthreshold Swing)和汲極導致能障降低（DIBL）。 此外，模擬器”DESSIS”結合電路

模擬和元件模擬程式功能，可以進一步模擬次臨界邏輯電路(Subthreshold Logic Circuit)。本文關於多閘極金氧半場效電晶體的次臨界行為的研究不僅給提出了元件物理的見解，並且為次臨界邏輯電路設計和優化提供了基本方向，來防止性能下降和對製程變化的易感性，進而被應用於超低功率電路設計當中。