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國立暨南國際大學光電科技碩士學位學程在職專班林佑昇所指導田椿璟的動態記憶體之高深寬比連接導線製程成本改善以及增加產能利用率（2015），提出VIN Number check Hon關鍵因素是什麼，來自於蝕刻、高深寬比連接導線、積體電路、互補式金氧半導體。

而第二篇論文逢甲大學化學工程學系袁維勵所指導牟隽月的高分子薄膜之形貌對表面雙疏性與導電度之影響（2012），提出因為有薄膜、雙疏性、導電度、掃描探針顯微鏡、附微胞聚合法的重點而找出了 VIN Number check Hon的解答。

VIN Number check Hon

為了解決VIN Number check Hon的問題，作者牟隽月 這樣論述

動態記憶體之高深寬比連接導線製程成本改善以及增加產能利用率

為了解決VIN Number check Hon的問題，作者田椿璟這樣論述：

在半導體業製造方式是將在矽基板上製造電子元件(產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微處理器、LCD驅動IC、NAND Flash…等)，而電子元件之完成則由精密複雜的積體電路(Integrated Circuit，簡稱IC)所組成；IC之製作過程是應用晶片氧化層成長、微影、蝕刻、清洗、雜質擴散、離子植入及薄膜沈積等技術。正如摩爾定律所預測的一樣隨著電子資訊產品朝輕薄短小濃縮的方向發展，半導體製程的方式亦朝著高密度及自動化生產的方向前進；而IC製造技術的發展趨勢，大致上朝向克服晶圓直徑變大，元件線寬縮小，製程步驟增加，製程特殊化以提供更好方式去達到良率提升的目標。為了提升電腦、通訊、消費性電子產

品的效能與追求單位晶圓成本的降低，晶圓代工廠未來兩年的主要投資建立14奈米、16奈米產能以及導入10奈米和10奈米以下技術。在DRAM廠方面，短期內或許不會增加太多新產能，其投資焦點為20奈米技術的導入，並且調整產品組合來配合行動市場。其主要目的增加晶圓的顆粒數、製程成本降低、提高良率、增加產能利用率、減少支出增進公司的營收可以為下一個世代的產品舖路，當製程能力已達到可以代工的程度將可以為公司帶來額外的資金，同時可以讓公司有較優渥的條件購買下一個世代產品的技術與設備。在半導體製造業，製程技術能力代表該廠商產品生產能力與產品成本競爭力。在競爭過程中，企業常透過聯盟等合作放式，與合作的夥伴處取得或

共同研發高階製程技術，其提高市場競爭力。本研究在探討動態記憶體之高深寬比連接導線製程成本改善以及增加產能利用率，其研究方針是利用實驗機台取代現有機台，使其可增加機台的使用率、降低機台成本的支出以及增加產品推移效率減少產出的周期。

高分子薄膜之形貌對表面雙疏性與導電度之影響

為了解決VIN Number check Hon的問題，作者牟隽月這樣論述：

摘　　要本論文之內容分為高分子薄膜形貌對表面雙疏性和導電度之影響兩個部分。在表面雙疏性部分是以旋轉塗布法在矽晶片及不銹鋼板上製備雙疏性薄膜，以掃描探針顯微鏡（SPM）對薄膜表面形貌進行觀測，再量測薄膜接觸角而判定其雙疏性質。SPM結果顯示於矽晶片上製備之環氧薄膜厚度約為10奈米，其雙疏薄膜之表面形貌所呈現之次微米結構係保持雙疏性的關鍵。於不銹鋼板上製備之雙疏薄膜厚度約為100奈米，隨著薄膜厚度增加覆蓋不銹鋼片表面原本所具有的層狀粗糙結構仍然保持其光澤度、重複性及雙疏性質。於此兩種基材上均呈現添加極少量的氟矽烷（F-silane）使薄膜出現相當高的雙疏性質。而且隨著TEOS/F-silane含

量體積比提高，使雙疏薄膜的硬度增加。在表面導電度之影響部分是以附微胞聚合法（AP）在雲母片上製備聚吡咯薄膜（Polypyrrole, PPy），之後以SPM對薄膜表面形貌進行觀測，再以飛安計對薄膜之橫向導電性進行量測。SPM量測的結果顯示，PPy/SDS 和PPy/CTAB製備之薄膜厚度約為3奈米，表面形貌呈現為緻密連接的PPy顆粒與小節點。隨著PPy單體濃度的增加薄膜呈現出雙層結構，厚度及粗糙度增加形成連接的導電通路。飛安計對橫向導電性量測結果顯示，以兩線探針法所測得之導電度PPy/SDS 相較PPy/CTAB為佳。PPy薄膜吸收環境濕度形成水膜貢獻較高的導電度，與電擊距離及單體濃度關係均呈

現出具有線性的相關性。

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