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Jews in the Second Temple Period

為了解決gt的問題，作者 這樣論述：

Albert I. Baumgarten, Bar-Ilan University, Israel.

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異質元素摻雜還原氧化石墨烯電極於儲能裝置之應用研究

為了解決gt的問題，作者古安銘 這樣論述：

儲能技術超級電容器的出現為儲能行業的發展提供了巨大的潛力和顯著的優勢。碳基材料，尤其是石墨烯，由於具有蜂窩狀晶格，在儲能應用中備受關注，因其非凡的導電導熱性、彈性、透明性和高比表面積而備受關注，使其成為最重要的儲能材料之一。石墨烯基超級電容器的高能量密度和優異的電/電化學性能的製造是開發大功率能源最緊迫的挑戰之一。在此，我們描述了生產石墨烯基儲能材料的兩種方法，並研究了所製備材料作為超級電容器裝置的電極材料的儲能性能。第一，我們開發了一種新穎、經濟且直接的方法來合成柔性和導電的 還原氧化石墨烯和還原氧化石墨烯/多壁奈米碳管複合薄膜。通過三電極系統，在一些強鹼水性電解質，如 氫氧化鉀、清氧化鋰

和氫氧化鈉中，研究加入多壁奈米碳管對還原氧化石墨烯/多壁奈米碳管複合薄膜電化學性能的影響。通過循環伏安法 (CV)、恆電流充放電 (GCD) 和電化學阻抗譜 (EIS) 探測薄膜的超級電容器行為。通過 X 射線衍射儀 (XRD)、拉曼光譜儀、表面積分析儀 (BET)、熱重分析 (TGA)、場發射掃描電子顯微鏡 (FESEM) 和穿透電子顯微鏡 (TEM) 對薄膜的結構和形態進行研究. 用 10 wt% 多壁奈米碳管(GP10C) 合成的還原氧化石墨烯/多壁奈米碳管薄膜表現出 200 Fg-1 的高比電容，15000 次循環測試後保持92%的比電容，小弛豫時間常數（~194 ms）和在2M氫氧化

鉀電解液中的高擴散係數 (7.8457×10−9 cm2s-1)。此外，以 GP10C 作為陽極和陰極，使用 2M氫氧化鉀作為電解質的對稱超級電容器鈕扣電容在電流密度為 0.1 Ag-1 時表現出 19.4 Whkg-1 的高能量密度和 439Wkg-1 的功率密度，以及良好的循環穩定性:在，0.3 Ag-1 下，10000 次循環後，保持85%的比電容。第二，我們合成了一種簡單、環保、具有成本效益的異質元素（氮、磷和氟）共摻雜氧化石墨烯（NPFG）。通過水熱功能化和冷凍乾燥方法將氧化石墨烯進行還原。此材料具有高比表面積和層次多孔結構。我們廣泛研究了不同元素摻雜對合成的還原氧化石墨烯的儲能性能

的影響。在相同條件下測量比電容，顯示出比第一種方法生產的材料更好的超級電容。以最佳量的五氟吡啶和植酸 (PA) 合成的氮、磷和氟共摻雜石墨烯 (NPFG-0.3) 表現出更佳的比電容（0.5 Ag-1 時為 319 Fg-1），具有良好的倍率性能、較短的弛豫時間常數 (τ = 28.4 ms) 和在 6M氫氧化鉀水性電解質中較高的電解陽離子擴散係數 (Dk+ = 8.8261×10-9 cm2 s–1)。在還原氧化石墨烯模型中提供氮、氟和磷原子替換的密度泛函理論 (DFT) 計算結果可以將能量值 (GT) 從 -673.79 eV 增加到 -643.26 eV，展示了原子級能量如何提高與電解質

的電化學反應。NPFG-0.3 相對於 NFG、PG 和純 還原氧化石墨烯的較佳性能主要歸因於電子/離子傳輸現象的平衡良好的快速動力學過程。我們設計的對稱鈕扣超級電容器裝置使用 NPFG-0.3 作為陽極和陰極，在 1M 硫酸鈉水性電解質中的功率密度為 716 Wkg-1 的功率密度時表現出 38 Whkg-1 的高能量密度和在 6M氫氧化鉀水性電解質中，24 Whkg-1 的能量密度下有499 Wkg-1的功率密度。簡便的合成方法和理想的電化學結果表明，合成的 NPFG-0.3 材料在未來超級電容器應用中具有很高的潛力。

USA

為了解決gt的問題，作者Koenemann 這樣論述：

Koenemann is a German publisher of illustrated books on art, architecture, photography, and design.

利用模糊層級分析法 探討半導體產業品牌影響因素之分析

為了解決gt的問題，作者范志旻 這樣論述：

隨著時間的流逝，半導體創新正在發生變化，可以適用於不同的創新業務，半導體業務的發展至關重要，因而開闢了許多新的職位。半導體業務是一個融合了不同創新能力並協調上游，中途和下游提供商的專業能力的行業，並且通常具有較高的進入壁壘 。廠家已投入花費很多精力與成本進入這個行業，期盼永續經營與回饋利害關係人。本研究第一步採用PEST, 五力 & SWOT分析，在美國，日本和臺灣，這些是國際半導體供應商鏈中的關鍵成員。經過最新半導體有關文獻的討論和分析，發現現有廠商已經建立了行業品牌，並獲得了用戶的信任。因此，品牌研究在這個行業是大家一直在探索的領域。考慮到寫作對話和大師談話，本研究使用分析層次結構(A

HP)研究技術對品牌的關鍵指針在半導體品牌的關鍵部件上進行重要性的排序，然後利用模糊層次分析法(FAHP)來分析這些標記之間的聯繫。經調查，有11項顯著結果可供參考，關鍵是要在半導體品牌建設上取得優異的成績，“客戶價值”和“品牌資產”都必須達到一定的水平。本研究發現，半導體品牌策略應以“客戶價值”為核心，解決客戶問題，創造卓越價值，並隨著技術的進步不斷投入新產品的研發，以奠定半導體品牌長期成功的基礎。