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另外網站交通大學TFT LCD驅動原理及設計- 自學課程QA也說明：課程名稱P102214 TFT LCD驅動原理及設計開課時數24小時上課費用一般價5,500 ... 了其它產品的發展如手機、PMP、MP3、遊戲等，使TFT LCD面板產能需求大 ...
國立雲林科技大學 電機工程系 曾萬存、郭智宏所指導 翁楷翔的 顯示器閃爍自動調節系統開發 （2021），提出tft lcd面板的驅動與設計關鍵因素是什麼，來自於薄膜電晶體液晶顯示器、閃爍、時鐘饋通效應。
而第二篇論文國立中央大學 光電科學研究所碩士在職專班 張榮森所指導 郎立德的 手機液晶顯示器穿透率最佳化之研究 （2020），提出因為有 穿透率、配向角、液晶效率的重點而找出了 tft lcd面板的驅動與設計的解答。
最後網站【網友開箱介紹】TFT-LCD面板的驅動與設計~熱銷中 - 和明威則補充：第一章，先介紹關於TFT LCD的基本知識，第二章說明TFT LCD的操作原理，第三章以一個實例說明設計時如何應用操作原理，第四章則說明如何驅動TFT LCD面板。
TFT-LCD面板的驅動與設計
為了解決tft lcd面板的驅動與設計 的問題，作者戴亞翔 這樣論述：
不論公司在帶領新進人員，或是在學校教學，我都常被問到相似的問題：「關於學習TFT LCD的驅動與設計，有沒有什麼入門書可以參考的？」 要回答這個問題，必須認知到，TFT LCD是一種整合多元知識的技術，牽涉很多原理，如果不深入探討，便不足以一窺全貌，因此，必須要能夠將相關知識廣泛地整合融會，才能算是真正學好FTF LCD的技術。 本書從另一種方式出發，一開始不求將所有的原理鋪陳完備，而是先建構大致的觀念，之後，再嘗試進行設計實例說明，隨著設計過程，仔細琢磨相關原理知識，並藉由實例漸進的導入各種問題考量，希望能對讀者知識的整合融會貫通有所幫助。 第一章，先介紹關於TFT LC
D的基本知識，第二章說明TFT LCD的操作原理，第三章以一個實例說明設計時如何應用操作原理，第四章則說明如何驅動TFT LCD面板。為了避免太多細節，會混淆對操作及驅動原理的了解，到第五章才討論一些設計時的現實考量，最後在第六章探索TFT LCD設計，未來可能的發展面向。 作者簡介 戴亞翔 現職：國立交通大學光電工程學系暨顯示科技研究所副教授 學歷：國立交通大學電子研究所博士 經歷：工業技術研究院電子工業研究所課長、元太科技工業股份有限公司副理、統寶光電股份有限公司經理
顯示器閃爍自動調節系統開發
為了解決tft lcd面板的驅動與設計 的問題，作者翁楷翔 這樣論述：
由於薄膜電晶體液晶顯示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD）均有畫面閃爍之問題，所以在模組生產時需要做Vcommon（Common：共汲極）電壓校正，其目的為補償TFT（Thin Film Transistor）的源極（Source）、閘極（Gate）端作動時所產生的時鐘饋通效應（Feed Through），當閘極（Gate）作動時此寄生電容將會影響汲極（Drain）所造成的電壓。 本論文為了改善TFT-LCD畫面閃爍，先行敘述TFT-LCD原理架構、TFT-LCD閃爍（Flicker）成因，再介紹Flicker
閃爍數據量化計算方式，最後證明使用感光元件配合演算法所量測之數據與光學量測儀器CA210量測之結果相符，可將感光元件替代CA210作為TFT-LCD Flicker閃爍校正量化生產時之所用，進而降低生產線設備成本，來對企業最大利益化。 TFT-LCD顯示器均需要做Vcommon電壓校正，但中小尺寸礙於螢幕尺寸、解析度、電路設計空間限制較為嚴苛情況下，使得中小尺寸TFT-LCD顯示器在作動所時產生的Feed-Through電壓對於顯示器閃爍的影響甚巨，而且中小尺寸應用的產品大多的消費者都是近距離使用，會使得閃爍現象更為容易顯現出來，故提出針對中小尺寸LCD需片片調節考量所設計的系統應用。
手機液晶顯示器穿透率最佳化之研究
為了解決tft lcd面板的驅動與設計 的問題，作者郎立德 這樣論述：
面板廠在設計階段時，常常擺在第一重點的就是穿透率，常常需要達到穿透率的要求就會去犧牲某些條件，或是成本的提高來達到要求。所以在設計單位常常需要解決此方面的困境，如果只是單純將設計稍加變更，並與理論搭配，是有機會達到這樣的要求。在面板基本的架構下，背光穿透不同Cell層都會讓光的亮度損失，所以傳統設計中，會將彩色濾光片做不同類型色組與膜厚的搭配；或是將背光更換成不同類型的LED型態，但這些是犧牲紅、綠、藍、白的色點偏移或是一些成本上的加乘，來達到穿透率增加。但應該可以改善面板內部設計，來增加穿透率。所以特別研究不同Pixel設計:1Dot 1 Domain、1Dot 2 Domain、2Dot
2 Domain發現各有各自優缺點； TFT薄膜電晶體 (Thin-film transistor)側的ITO(銦錫氧化物)做不同寬度下的設計，並搭配上不同角度的配向膜與BM寬度的設計，進行穿透率的提升的因素，可以達到整體高穿透率優化的主要因素。並使用田口法分析，確認何種條件下的搭配確實會提升穿透率，並將產品產出，藉由實際量測確認效果是否如此。在使用負型液晶條件下，16μm下的Pixel穿透區中將ITO(銦錫氧化物)寬度縮小至2.5μm、使用3根ITO、BM 寬度為5μm、配向角為0度，此樣的條件下，確實可以達到穿透率為5.6%，對比約為1800左右。在相同架構下但未最佳化的情況，穿透率最差
可能來到4.3%，此優化可以提升30%的穿透率。