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而第二篇論文國立中央大學 光電科學與工程學系 張瑞芬所指導 邱盈蒼的 垂直式有機發光電晶體 之點矩陣式微米尺寸面板設計與製作 (2019),提出因為有 垂直式有機電晶體、垂直式有機發光電晶體、高介電常數介電層、面板設計、微影製程的重點而找出了 toyota鑰匙的解答。

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汽車最新高科技(全彩修訂版)

  • 作者:高根英幸  
  • 譯者:黃郁婷
  • 出版社:晨星
  • 出版日期:2022-08-01

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應用 VSM 與 TRIZ 方法改善航太零件機械加工效率-以某航太零件製造業為例

為了解決toyota鑰匙的問題,作者黃意茹 這樣論述:

面對全球新冠肺炎疫情及航太產業不景氣的競爭環境,臺灣航太產業正面對國際航太供應鏈前所未見的挑戰,而經營成本的不斷上升的壓力促使產品銷售的價格降低,且國際航太大廠如Boeing、Airbus、Bombardier等都要求其供應商持續降價,並需要迅速地回應客戶的要求,特別是航太產品多樣少量化的特性更是個艱難的任務。因此,如何降低成本、縮短時間、提升品質,是臺灣航太產業需要不斷面對的課題。多數人將航太工業歸類為尖端科技產業,但事實上航太零件從無到有的製造過程,仍須倚靠大量的新式、舊式加工模式與機台,與傳統機械加工產業是很類似的,而機械加工現場,人員的有效產出是非常低的。本研究藉由價值流圖(VSM)

應用於航太零件製造業的生產流程,找出其中的所有可能之浪費與非增值時間,藉此探討少量多樣的航太零件製造業之生產流程存在的浪費及機會改善點,針對問題一:縮短瓶頸工站換線作業時間,依照欲改善的參數與避免惡化的參數查找TRIZ理論之矛盾矩陣相應的可行解,解決方案實施後,改善前換線作業平均需費時240.17分鐘,改善後降為43.79分鐘,減少83%之浪費;問題二:縮短瓶頸工站加工時間,運用物質-場分析與76標準解獲得可行解法,改善前每1 PCS總加工時間需費時519.4分,反之改善後每1 PCS總加工時間僅僅費時205.62分,節省60%之加工時間。綜合前述改善方案效益,大幅節省個案公司主力件號之生產成

本,確保個案公司精進前置時間、降低生產成本及提升競爭力的目標,而TRIZ理論與方法可做為精實生產的手段及工具之一,並提供航太同業或機械加工同業新的解決問題模式。提供傳統產業或不認識、不瞭解TRIZ之企業,在創新或改善策略方面,有一套架構與方法參考依循,可快速且有效地擬定解決方案。關鍵字:航太產業、VSM、TRIZ、矛盾矩陣、物質-場分析、76標準解

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為了解決toyota鑰匙的問題,作者蔡緯昱 這樣論述:

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  • 作者:蔡緯昱  
  • 出版社:墨刻
  • 出版日期:2019-05-01

垂直式有機發光電晶體 之點矩陣式微米尺寸面板設計與製作

為了解決toyota鑰匙的問題,作者邱盈蒼 這樣論述:

摘要 IAbstract II目錄 III圖表目錄 VI第一章 緒論 11-1 前言 11-2 傳統有機薄膜電晶體 21-3 蕭特基基底垂直電晶體 41-4 有機發光二極體顯示器 101-5 研究目的與動機 11第二章 基本理論 122-1 垂直式電晶體之工作原理 122-1-1 垂直式電晶體-關狀態操作機制 142-1-2 垂直式電晶體-開狀態操作機制 172-1-3 垂直式電晶體-轉換特性曲線與開/關電流比 202-2 有機發光二極體之工作原理 21第三章 元件材料與實驗儀器 243-1 介電層材料 253-1-1 三氧化二鋁 253-1-2 二氧化鉿 263-1-3 雙層介電層 283

-1-4 有機發光層材料介紹 293-1-5 金屬電極材料與能階 303-2 實驗儀器 313-2-1 原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD) 313-2-2 熱蒸鍍機(Thermal Evaporation Coater) 373-2-3 阻抗分析儀(LF Impedepance Analyzer) 383-2-4 手套箱(Glove Box) 393-2-5 旋轉塗佈機(Spin Coater) 403-2-6 紫外光/可見光譜儀(Ultraviolet-Visible Spectroscopy) 403-2-7 紫外光臭氧清洗機(UV-Ozone) 413

-2-8 表面輪廓儀(Alpha-Step profile meter) 413-2-9 半導體參數分析儀(Semiconductor Parameter Analyzer, SPA) 423-2-10 手動光罩對準曝光儀(Mask and Bond Aligner) 433-2-11 Arduino Uno開發板 44第四章 實驗方法 464-1 氧化銦錫(ITO)導電膜玻璃圖案設計 464-2 定義金屬膜對準鑰匙(Alignment key) 494-3 氧化銦錫(ITO)導電膜玻璃圖案蝕刻 554-4 ALD製作雙層介電層與半導體層 584-5 氧化鋅半導體層圖案蝕刻 594-

6 定義金屬源極區域 624-7 源極絕緣層氧化矽(SiOx)鍍製 684-8 倒置結構有機發光二極體之陣列製程 71第五章 結果與討論 755-1 高電容密度雙層介電層 755-2 點矩陣式微米尺寸面板之光罩設計 775-2-1 定義金屬膜對準鑰匙(Alignment key)圖案之光罩設計 775-2-2 定義氧化銦錫(ITO)圖案之光罩設計 785-2-3 定義半導體層圖案之光罩設計 815-2-4 定義金屬源極圖案之光罩設計 825-2-5 定義金屬源極絕緣層圖案之光罩設計 835-2-6 定義金屬共汲極圖案之金屬遮罩設計 845-2-7 點矩陣式微米尺寸面板製作總結 855-3 點矩

陣式面板程序控制 865-4 點矩陣式微米尺寸面板量測方法與結果 92第六章 結論與未來展望 96參考文獻 97

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