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國立臺灣大學 物理學研究所 陳凱風所指導 蔡瑞發的 尋找電荷宇稱破壞在質子對撞後頂夸克對的產生與衰變 （2016），提出三重 TT93關鍵因素是什麼，來自於高能物理、粒子物理、高能實驗、粒子加速器、頂夸克、電荷宇稱破壞。
而第二篇論文國立成功大學 材料科學及工程學系 黃肇瑞所指導 陳劭恩的 以電子束蒸鍍法製備摻雜鎢離子之二氧化釩薄膜的熱致變色性質研究 （2016），提出因為有 VO2、WxV1-xO2、退火處理、電子束蒸鍍法、摻雜的重點而找出了 三重 TT93的解答。
尋找電荷宇稱破壞在質子對撞後頂夸克對的產生與衰變
為了解決三重 TT93 的問題，作者蔡瑞發 這樣論述：
此論文發表第一個尋找頂夸克對的電荷宇稱(CP)破壞現象。此研究利用 T-odd 三重乘積組合之可觀測量來做非對稱量測，其T為時間反轉運算子。此實驗是基於 8 TeV中心質量的質子對撞資料數據而進行分析，而數據量為 19.7 fb-1 並由緊湊緲子線圈偵測器(CMS)所收集。此分析關注於對撞結果的事件含有至少四個噴流以及一個電子或渺子。其 T-odd 可觀測量均由頂夸克對衰變粒子的線性獨立四動量而組成。最後的非對稱量測結果顯示沒有CP 破壞效應的徵兆，並吻合標準模型的預測。
以電子束蒸鍍法製備摻雜鎢離子之二氧化釩薄膜的熱致變色性質研究
為了解決三重 TT93 的問題，作者陳劭恩 這樣論述：
由於溫室效應的影響，近來在能源消耗及溫室氣體排放的問題逐年增長，為了解決暖化與能源短缺問題，可在不消耗其他能源的前提下使建築自我減少或隔絕太陽光輻射溫度的吸收，將可有效改善室內冷卻的問題，達到節省能源、費用及改善空氣品質等目的。具熱致變色性質之二氧化釩(VO2)會在接近於68 °C 的相變化溫度(T _t )經歷一個完全可逆的半導體-金屬相變化，變伴隨著電性及光學性質的急遽變化，使其可應用在光/電切換裝置，如憶阻器、Mott場效應晶體管、可調式超材料、表面等離激元、抗反射裝置、智慧窗…等。然而純相VO2的T _t 還是太高，並不足以應用在與室溫溫度相關的應用端上，因此將改變薄膜厚度以及摻雜鎢
離子來改變薄膜結構，使其具有低T _t 。以往高品質摻鎢之VO2薄膜大多採用APCVD、AACVD、PLD及濺鍍法等方式製備，而在本篇研究中將使用至今尚未有文獻成功報導的電子束蒸鍍法作為薄膜製備之製程，並針對其晶體結構、化學成分及光學性質進行探討。實驗結果顯示，VO2薄膜晶體結構會隨著退火溫度的提升，自VO2(B)轉換為VO2(M)結構。摻雜W離子之VO2薄膜(WxV1-xO2)，其部分釩離子的價態從V4+還原為V3+，而W離子以W6+的形式存在與VO2晶格中，造成VO2晶體結構的變化。在光學性質方面，VO2薄膜在68 °C 附近展現出優異的紅外光切換效率(〖∆T 〗_IR )，且T _t 隨
著薄膜厚度的減少而些微降低；WxV1-xO2薄膜的T _t 則隨著W摻雜量增加而大幅度地降低，且伴隨著紅外光遮蔽能力的降低。此外，當W含量過多時甚至在室溫附近的溫度範圍內無法觀測到明顯的熱滯迴圈。