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CuI薄膜及其異質結構成長與光電特性研究

為了解決中興大學 應用科技大樓的問題，作者林煜軒 這樣論述：

本研究先從電鍍與熱蒸鍍的比較中選出成長較優質的Cu薄膜的方法，再從氣態、液態及固態三種碘化方法中選出成長較優質的CuI薄膜的方式，並以此成長之後實驗所需的CuI薄膜，並對這項材料進行一系列分析與研究。使用光學顯微鏡、掃瞄式電子顯微鏡及原子力顯微鏡觀察結構；以能量散射X射線譜分析元素組成；以X光繞射分析樣品的晶格結構；利用拉曼光譜量測研究晶體的振動模式；利用二次離子質譜量測分析樣品厚度。從霍爾實驗得出其具有大約7.3 cm2/V*s的遷移率，而它的載子濃度則有接近7x1016 cm-2，而從穿透及光電導實驗中判斷能隙位置大約在2.94 eV左右。從PL實驗中判斷能隙位置大約在3.01 eV，有

一個銅缺陷在40meV的位置，另外有一個碘缺陷在1.75 eV的位置。從這些研究中了解這種材料的各種特性並對其未來的應用方向做一個初步的探索。

硒化亞錫和硒化錫晶體成長及其特性研究

為了解決中興大學 應用科技大樓的問題，作者胡翰笙 這樣論述：

本論文主要探討硒化亞錫和（SnSe）和硒化錫（SnSe2）之材料與光電特性及熱電特性分析。利用化學氣相傳導法（chemical vapor transport, CVT）成長SnSe和SnSe2材料。我們利用掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察SnSe和SnSe2 材料的表面形貌；並透過拉曼散射光譜分別顯示了SnSe和SnSe2兩種材料的兩個主要峰值，A1g與Eg；並透過X-ray繞射發現SnSe和SnSe2種材料（001）、（002）、（003）、（004）和（005）之c軸長度；進一步透過穿透式電子顯微鏡觀察到SnSe和SnSe2兩種材料的晶體結構與原子排列以及a軸。接下來將以光感測器為目的，

對SnSe和SnSe2兩種材料進行光學和電學特性研究。首先，在製備樣品方面，我們使用銅線以及銀膠製作成金屬電極，製備成簡單的蕭特基金屬-半導體-金屬（Schottky Metal-Semiconductor-Metal）樣品。以光特性的量測，對SnSe和SnSe2兩種材料進行變溫吸收光譜的量測，經由變溫吸收光譜可以得到溫度對SnSe和SnSe2兩種材料的間接能隙位置；再來以電特性的量測，透過電流電壓量測，量測出適當的工作電壓；接下來將SnSe和SnSe2種材料進行光電導量測、自動變頻光導、持續性光導和光響應等實驗量測。以熱電轉換為目的，對SnSe和SnSe2兩種材料進行熱電特性量測。首先以本實

驗室自行架設之席貝克係數量測系統，量測出SnSe席貝克係數為286.35μV/K；而SnSe2為 -367μV/K。最後以p-n junction為目的，量測出SnSe/SnSe2接面之熱電轉換。