走在汽車革命的路上論文書籍站
國立成功大學 電機工程學系 李文熙所指導 高健凱的 巨磁阻結合磁電開關在邏輯元件上的應用 （2021），提出仁王 Switch關鍵因素是什麼，來自於巨磁阻、磁電、鐵電、邏輯記憶體。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電控工程研究所 陳科宏所指導 高郁詠的 具有基於氮化鎵之二極體等效技術的積體化氮化鎵驅動器及氮化鎵功率開關實現50MHz操作頻率及小於0.2ns的死區時間控制 （2021），提出因為有 積體化氮化鎵閘級驅動器和氮化鎵開關、基於氮化鎵之二極體等效技術、亞穩態快速比較器、主動式自舉技術、雙向迴轉率控制器、半橋式拓譜的重點而找出了 仁王 Switch的解答。
仁王 Switch進入發燒排行的影片
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巨磁阻結合磁電開關在邏輯元件上的應用
為了解決仁王 Switch 的問題，作者高健凱 這樣論述：
摩爾定律(Moore’s law)，由 intel創始人Gordan Earle Moore提出。自1980年以來，半導體元件產業的發展遵循著Moore’s law不斷前進。儘管如此，隨著近年Moore’s law 的漸緩，找尋具有更低的開關能量,更高的元件效率及邏輯元件密度成為研究的重要指標。其中，磁力便是其中一個重要發展方向。 本研究使用磁電開關 (Magnetoelectric switching)透過加入偏壓將電壓訊號轉換為自旋訊號，並透過巨磁阻 (Giant Magnetoresistance)將自旋訊號透過電阻值讀出，目的在取代單純使用電流控制的邏輯元件以達到低的啟動電壓及較小
的漏電流且同時具有邏輯元件(Logic device)與記憶體元件(Memory device)的特性。 製程上使用脈衝雷射沉積技術(Pulsed Laser Deposition, PLD)沉積高品質的磁電耦合層(Magnetoelectric layer),鐵電層(Ferromagnetic layer)以及巨磁阻結構，再利用感應耦合電漿蝕刻技術(Reactive ion Etching, RIE)通過氬離子(Ar)的撞擊，蝕刻元件形狀，最後沉積鉑(Pt)做為電極以及保護層。 各製程結束後透過原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope, AFM), 穿透式電子顯微鏡(
Transmission electron microscope, TEM), 聚焦電子束(Focused Ion Beam, FIB), 能量散射X射線譜(Energy-dispersive X-ray analysis, EDS) 做薄膜量測，透過磁光克爾效應(Magneto-optic Kerr effect, MOKE) 量測磁滯曲線，透過探針及混和訊號示波器量測元件電性。 本論文著重在元件的製造與排除製程上的困難，並針對其結果進行分析與討論。
具有基於氮化鎵之二極體等效技術的積體化氮化鎵驅動器及氮化鎵功率開關實現50MHz操作頻率及小於0.2ns的死區時間控制
為了解決仁王 Switch 的問題，作者高郁詠 這樣論述：
摘要......p.iABSTRACT......p.ii誌謝......p.iiiContents......pivFigure Captions......p.viTable Captions......p.viiiChapter 1 Introduction of Gate Driver ICs and GaN HEMTs......p.11.1 Background of Gate Driver ICs and GaN-based Power Converters......p.11.2 Issues of GaN HEMTs......p.31.2.1 GaN-on-Si Stru
cture......p.41.2.2 Reverse Conduction of GaN HEMTs......p.61.2.3 Trapping Effect......p.81.2.4 Miller Effect......p.101.2.5 Summary of Issues......p.111.3 Thesis Organization......p.11Chapter 2 Prior Art and Design Goals......p.122.1 Issues on the Prior-Art......p.122.1.1 Gate Driver with Fixed Dea
dtime and Tri-slope Gate Control......p.122.1.2 Gate Driver with Negative Turn-off Gate Bias......p.132.1.3 Integrated GaN Driver with Temperature-Related Control......p.152.1.4 Low Driving Problem in the Conventional Half-bridge Topology......p.162.2 Design Goals......p.18Chapter 3 Proposed Monolit
hic GaN-based Driver and 650V eGaN Power HEMT with Diode-emulated Technique......p.193.1 Architecture of Proposed Monolithic GaN-based Driver and 650V eGaN Power HEMT......p.193.2 Proposed Diode-emulated Technique.......p.21Chapter 4 Proposed Active Bootstrap Technique and Gate Driver with Dual dv/d
t Control......p.274.1 Operation of Active Bootstrap Technique......p.274.2 Dual dv/dt Controller......p.294.3 LFER Diode Modulation......p.32Chapter 5 Experimental Results......p.355.1 Chip Micrograph......p.355.2 Measured Active Bootstrap Waveform......p.355.3 Measured Slew Rate......p.365.4 Measu
red Deadtime......p.385.5 Statistics Results......p.395.6 Comparisons with the Other Gate Driver ICs Methodologies......p.41Chapter 6 Conclusion and Future Work......p.436.1 Conclusion......p.436.2 Future Work......p.43Reference......p.44