半導體材料的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

計算機概論：半導體、硬體與程式語言概說

為了解決半導體材料的問題，作者北極星 這樣論述：

　　初學者輕鬆學習計算機組成原理 　　詳盡的圖文解說強化軟硬體知識 　　精選的主題內容提升資訊的技能   　　本書內容為計算機的硬體及其運行原理，在日常生活中所看到的計算機，例如像是個人電腦也好，手機也罷，全都是以硬體為基礎，並配合程式或者是軟體來運行，所以完整的計算機是硬體與軟體（或程式）的結合，也因此，計算機在應用上才有了如此多采多姿的相關產品。   　　本書也在設計上打破了傳統教科書的設計，以淺顯易懂的語言文字來描述內容，能輕鬆學會計算機的基本概念。   　　目標讀者： 　　1. 高三畢業生 　　2. 大一新生 　　3. 非資訊等相關本科系的社會人士   　　精彩內容 　　►制系統的

進階入門與邏輯運算概說：真值表、布林代數、德摩根定律、進位數轉換、有效位、邏輯運算與溢位、補數、實數。　　 　　►基礎科學概說：原子的基本概念、電流、電荷、電壓、電池、電路中的電子流、電子墨水技術。 　　►半導體產業發展概說：真空管與ENIAC、積體電路、半導體製程、晶圓直徑與電路大小、摩爾定律、Integrative level、無塵室。 　　►半導體材料與半導體動作原理概說：導體、半導體與絕緣體、八隅體規則與共價鍵、二極體、電晶體、直流電。 　　►邏輯閘的簡單概說：及閘、或閘、反閘、反及閘、互斥或閘、多輸入的設計、組合邏輯電路設計。 　　►電腦硬體的基本入門：二進位的硬體操作、同位位元、機

械語言、硬體、主機板上的插座與插槽設計。 　　►硬體的輸入裝置：遊戲機台、滑鼠、緩衝區、鍵盤、軌跡球、觸控板、觸控螢幕、觸控筆。 　　►硬體的輸出裝置：顯示器、印表機、揚聲器。 　　►程式語言概說：虛擬記憶體、小端序與變數、條件判斷、迴圈、函數、陣列、指標、結構►編碼概說與綜合資訊。

半導體材料進入發燒排行的影片

少數層二硒化鈀之電性傳輸與熱電性質

為了解決半導體材料的問題，作者李天任 這樣論述：

尋找高效率的熱電材料是一個重要而有趣的課題，二維 (Two-Dimensional, 2D) 過渡金屬二硫化合物 (Transition Metal Dichalcogenides, TMDC)，因其優越的熱電性能以及未來廣闊的應用前景而受到廣泛關注。其中，二維二硒化鈀 (PdSe2) 因其理論上計算出高熱電性能，吸引了眾多科研工作者的目光。本實驗使用機械剝離法，剝取少數層PdSe2，利用半導體製程技術製作少數層二硒化鈀的場效電晶體與熱電元件，在室溫下研究了二硒化鈀的電性。本實驗中，二硒化鈀為n型半導體材料，電流的開關比 (On/Off Ratio) 約爲104，臨界擺幅 (Subthre

shold Swing, S.S.) 約爲9.52 V/dec，載流子遷移率 (Mobility) 最大為34.7 cm2·V-1·S-1。 另外，在二硒化鈀元件的熱電性能測量上，得到的最大席貝克係數約爲655 µV/K，與理論值十分接近，並觀察到席貝克值與電晶體場效應有關聯性。當閘極偏壓設定在臨界電壓附近時，席貝克係數到達峰值，而當閘極偏壓小於臨界電壓時，通道關閉沒有熱電效應。最後計算了二硒化鈀的熱電功率因子(Power Factor, PF)，通過調節閘極偏壓觀察熱電功率因子隨場效應的變化，並對比相應的材料層數，發現最大熱電功率因子為0.26 mW/m·K2，材料厚度為12層，證明二硒化鈀

是極具潛力的熱電材料。

半導體元件物理學第四版（上冊）

為了解決半導體材料的問題，作者施敏,李義明,伍國珏 這樣論述：

最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   　　《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   　　Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯

然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   　　全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊

收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   　　1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   　　2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   　　3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   　　4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。

鎵酸鉍/石墨化氮化碳之複合型光觸媒製備及其光還原CO2之應用

為了解決半導體材料的問題，作者鄭兆均 這樣論述：

光還原為可持續和綠色太陽能燃料以及有機化合物的光催化降解通常被認為是同時克服環境問題和能源危機的有吸引力的解決方案。本研究的主要目的是研究BixGayOz/g-C3N4 複合光催化劑用於光催化 CO2 還原為甲醇。由於成分的相對能帶排列，異質結構表現出高效的電荷分離並具有顯著的光催化氧化和還原能力，可用於甲醇生產。本論文採用化學沉澱法和水熱法合成了BixGayOz/g-C3N4複合材料。 X射線粉末衍射儀、場發射掃描電子顯微鏡能量色散X射線光譜儀、高分辨率X射線光電子能譜儀、漫反射光譜儀、比表面積分析儀和螢光光譜儀用於測試產品的分子元素組成、帶隙、化合物結構和氧化態。所有樣品的光催化活性

均基於在 254 nm 紫外輻射下 CO2 轉化為甲醇的情況進行評估。在紫外光照射下，在 450 mL NaOH 溶液中，0.05 g Ga2Bi1-2W-700-50wt% 複合催化劑達到最大甲醇生成率。該反應條件的結果表明RMeOH的甲醇形成速率= 3792.01 μmole/g-h。這項工作提供了一種簡單的策略來調整光催化劑和半導體異質結的能帶結構，以實現高效的光催化 CO2 還原。