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國立中正大學 機械工程系研究所 張國恩所指導 黃柏鈞的 共振腔增強之矽基鍺錫光偵測器與發光二極體 (2017),提出大大寬頻中和關鍵因素是什麼,來自於鍺錫合金、共振腔效應、光偵測器、發光元件。

而第二篇論文國立臺中教育大學 區域與社會發展學系碩士班 梁炳琨所指導 耿壽山的 臺中市新社區新社花海節的地方建構 (2013),提出因為有 新社花海、休閒農業、節慶活動、地方建構的重點而找出了 大大寬頻中和的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了大大寬頻中和,大家也想知道這些:

共振腔增強之矽基鍺錫光偵測器與發光二極體

為了解決大大寬頻中和的問題,作者黃柏鈞 這樣論述:

本文之研究目的為發展新型 IV- IV 族鍺錫合金光偵測器與發光元件,利用低溫分子束磊(MBE)成長於矽基板上,且 IV- IV 族鍺錫合金與 CMOS 製程相容,使用黃光微影製程製做元件便如魚得水。藉由設計共振腔結構,可大大提升響應與發光,用以改善四族半導體材料在先天上發光特性的不足,並能夠有效地將偵測波段涵蓋整個通訊波段(1260-1675 nm)。在光偵測器方面,我們對元件進行電性與光性量測。偏壓在+1V 與-1V 之間可以看到其良好的二極體特性,正逆偏壓比例達到 173,可清楚觀測出其二極體整流現象;在偏壓為-1V 時,能夠看到有無照光之光電流產生,能夠看出元件有著光偵測器之性能;在

光響應度量測上,於光源波長 1550 nm 下可達到 0.35 A/W,和未具共振腔之元件相比增加了 30%,偵測範圍也能夠達到 1800 nm,我們預計增加錫的摻雜濃度,提升響應度強度與涵蓋波長。在發光元件,本文所用為正向入射式共振腔結構,利用各層折射率不同產生共振效果以增強元件發光效率,並量測元件的電致發光頻譜以探討共振腔增強之發光特性,且分別於變溫環境與變電流強度下量測,藉以推算出其光學增益,並達成光學損耗減少。未來,將提高錫濃度及改良共振腔設計以實現光學增益,朝著電激發雷射為目標邁進。

臺中市新社區新社花海節的地方建構

為了解決大大寬頻中和的問題,作者耿壽山 這樣論述:

臺灣在加入WTO後,面對外來農產品的競爭,傳統農業勢開始轉型,而休閒農業成為改變的重要契機。 臺中市新社區在九二一災後受創嚴重,多次的重建還是無法完全回復當地產業,自從農委會開始推行一鄉一休閒農漁園區計畫後,新社區開始走向休閒農業一途。到了2006年,行政院農委會種苗改良繁殖場首度舉辦新社花海節,所得到的回響超出預期,2013為止參觀人數已經約有256萬人,相關產業以及周邊商家所獲得的利益也超過17億,已經是臺灣最具知名度的花海活動。 本文企圖了解新社花海節發展歷程,以及與休閒農業的關聯性;利用地方建構的角度,來看政府單位、種苗改良繁殖場、地方社群如何建構新社花海節;與大

眾傳媒、網際網路影片對於新社花海節的塑造。研究發現:1.新社花海節確實於休閒農業關係密切。2.地方與政府相互建構的花海場域並獲得其利。3.花海地景浮現塞車造成影響居民生活品質的問題。