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使用氮化銦鎵/氮化鎵非對稱量子井對發光二極體之影響

為了解決家樂福飛利浦燈泡的問題，作者陳彥任 這樣論述：

　　我們提出的非對稱量子井(asymmetric Quantum Wells)氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體金屬氧化物半導體(InGaN/GaN LED)，利用寬井有儲存更多載子的能力以及漸變厚度的井防止過多的載子進入主動區，窄的量子井位障有助於電洞深入主動區，增加輻射復合等優勢，其特性優於傳統的LED。在光電特性量測中，AQW LED較conventional LED有較高的光輸出(29%)以及較晚出現roll off現象。此外，AQW LED應用於實驗是自行架設之光通訊系統，其資料傳輸速率達260Mbit/s。