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創新者的窘境（珍藏版）

為了解決希捷硬碟的問題，作者克萊頓·克里斯坦森 這樣論述：

縱觀全球商業史，不乏許多在叱吒風雲中突然倒閉的行業巨頭。 面對市場變化和新技術的挑戰，這些管理良好、認真傾聽客戶意見、積極投資技術研發的成熟企業，反而輸給了其他採用破壞性技術的新興企業，並逐漸喪失市場主導權。這就是“創新者的窘境”。 在這本書中，管理學大師克里斯坦森分析了電腦、汽車、鋼鐵、零售等多個行業的創新模式，並提出了決定企業成敗的兩個重要概念： 延續性技術和破壞性技術。延續性技術：根據主流客戶需求，不斷延續或強化產品性能的技術；破壞性技術：滿足低端市場的客戶需求，或者為了新市場而開發的技術。 價值網路。利益相關者組成的關係，包括客戶、產品、技術、組織。價值網路決定了企業的能力和局

限。 要想避免被競爭對手顛覆，企業必須牢記五大原則，以此決定何時使用哪種技術，何時不盲從于客戶，何時轉向性能較低、利潤空間較小的產品，何時成立獨立機構，制定新的流程和價值觀。 原則一：企業的資源分佈取決於客戶和投資者；原則二：小市場並不能解決大企業的增長需求；原則三：企業無法對並不存在的市場進行分析；原則四：機構的能力決定了它的局限性；原則五：技術供應可能並不等同於市場需求。 《創新者的窘境》英文版於1997年出版，此書一出便立刻奠定了克里斯坦森在管理學領域“創新之父”的地位。他曾是比爾·蓋茨和安迪·格魯夫的座上賓，也是政客、商企所尊敬的商業思想領袖。時至今日，破壞性創新理論仍被創業者、

企業家奉為圭臬。   克萊頓·克里斯坦森 世界創新大師，哈佛商學院教授，因《創新者的窘境》一書為人所熟知，被譽為“當代50名具有影響力的商業思想家之一”（2011年《哈佛商業評論》）。在管理學領域成績斐然，曾兩次獲得“麥肯錫獎”。 另著有《你要如何衡量你的人生》《創新者的解答》《創新者的基因》《困境與出路》，是比爾·蓋茨和安迪·格魯夫的座上賓，並常到世界各地給政府和企業做諮詢和演講，是受人尊敬的商業思想領袖。   推薦序一 吳曉波 推薦序二 陳春花 推薦序三 周航 引言 第一部分 為什麼優秀的大企業會失敗 第1章 從硬碟行業獲得的啟示 硬碟的

工作原理 世界上最早的硬碟 兩種技術的不用影響 延續性技術：成熟企業的變革方式 破壞性技術：新興企業的顛覆之道 本章小結 第2章 價值網路決定創新驅動力 組織結構阻礙創新 突破式創新和漸進式創新 價值網路決定企業成敗 技術S形曲線 決策模式：希捷公司的3.5英寸硬碟 快閃記憶體技術是否會破壞硬碟業？ 關於創新的五大建議 第3章 挖掘機行業的破壞性技術 延續性技術：從蒸汽到柴油和電動機 破壞性技術：液壓控制系統 領先製造商如何應對危機 在纜索和液壓之間做出選擇 挖掘機製造商的窘境 第4章 回不去的低端市場：來自小型鋼鐵廠的衝擊  “東北角牽引力”：向高端市場進軍 價值網路和典型的成本結構

非對稱性：資源配置和低端市場 1.8英寸硬碟沒有市場？ 低端市場競爭真空 綜合性鋼鐵廠的東北角移動 小型鋼鐵廠的破壞性技術 第二部分 管理破壞性技術變革 第5章 打破資源依賴理論 資源配置流程：客戶控制企業投資 硬碟業的3個成功案例 管理者並非不可作為 電腦行業：IBM公司的成功秘訣 零售業：折扣零售顛覆傳統零售 印表機行業：惠普公司自殺以求生存 第6章 讓機構規模與市場規模相匹配 成為領先者還是追隨者 企業規模V.S.增長率 牛頓PDA：蘋果如何創造新興市場 希捷硬碟：發展到一定規模時再進入 讓小企業發展破壞性技術 本章小結 第7章 發現新市場：先行動再制定計劃 無法預測的破壞性技術

惠普經驗：不能完全聽信市場分析 搶佔北美：本田的小型摩托車戰略 英特爾：從DRAM業務轉移到微處理器 “不可知行銷”法：以發現為導向做規劃 第8章 如何評估機構的能力和缺陷 機構能力框架 機構能力決定企業如何應對破壞性創新 能力遷移：從資源到流程和價值觀 3種方法創造新能力 本章小結 第9章 產品性能、市場需求和生命週期 性能過度供給：從容量競爭到體積競爭 產品演變成商品 購買等級：從重功能到重價格 關於破壞性技術的兩條規律 會計軟體競爭 胰島素市場競爭 市場需求與技術供給 最佳戰略 第10章 假如讓你開發電動汽車專案 預測電動汽車市場規模 制定市場行銷戰略 產品技術和經銷策略 創建獨

立機構 第11章 本書觀點回顧 閱讀指南 致謝  

希捷硬碟進入發燒排行的影片

具垂直異向性多相FePt複合膜之磁性質與微結構探討

為了解決希捷硬碟的問題，作者莊登竣 這樣論述：

本研究為對FePt添加BN及C等分隔材料(segregant)的複合靶進行兩階段功率變化沉積，作為主要研究之磁性層，希望藉以提升FePt磁性層晶粒分隔性。實驗共分兩部分，透過觀察不同功率兩階段沉積的FePt其磁性及微結構的變化，進而探討功率變化對FePt磁性層的影響。 兩部分實驗之膜層結構皆以MgTiOBN及CrRu分別作為中間層及種子層，第一部分首先比較以30W及150W沉積功率兩階段沉積厚度24nm的FePt-BN,C磁性層樣品150W/30W及30W/150W。XRD繞射結果顯示樣品皆有良好的(001)超晶格峰序化，樣品150W/30W具有較明顯的非序化FePt(200)繞射峰及

些微FePt(111)繞射峰。SQUID磁性量測結果顯示兩樣品水平與垂直矯頑力、飽和磁化量皆偏低，而不具良好垂直異向性，推測樣品中可能含有軟磁相L12-FePt。 第二部分實驗選擇改變兩階段沉積FePt的底層功率30W / X (W) 並將上層功率固定為30W，進行X =30,60,90,120,150,180,210 (W) 的一系列階梯式功率變化。XRD繞射結果顯示30W/180W及30W/210W的FePt(001)超晶格峰有較明顯角度偏移，與第一部分樣品150W/30W共同討論，由EDS組成元素分析及磁性結果的軟磁表現，驗證了各樣品確實包含硬磁相L10-FePt、軟磁相L12-F

e3Pt與FePt3及非序化相A1等多相。SQUID磁性結果顯示底層為高瓦數X = 180,210 (W)的樣品具優異的垂直異向性。同時樣品30W/180W具有相對較高的飽和磁化量(Ms)，與其由Fe占比較多的L12-Fe3Pt所主導有關，僅部分非序化相A1與少量序化L10-FePt。另FePt膜層微結構則趨於連續膜而非預期之顆粒柱狀晶，可能是造成低矯頑力的原因。由兩部分綜合討論的結果總結兩階段功率變化製程可能使得沉積FePt磁性層時Fe和Pt的組成比例不均，形成含多種相的FePt並影響磁性結果，此外以不同功率下兩階段沉積的膜層堆疊將形成不整齊的微結構。關鍵詞: FePt-BN,C;功率變化;

L10-FePt ; L12-Fe3Pt; FePt3;非序化A1;垂直異向性