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豐田精實管理的翻轉獲利秘密：不浪費就是提升生產力

為了解決效率公式的問題，作者江守智 這樣論述：

年度MVP經理人，多家台灣上市櫃企業、隱形冠軍產業顧問，如何利用豐田精實管理方法，幫台灣產業翻轉獲利？   以台灣產業真實應用案例分析，企業老闆最推薦的豐田精實管理方法在地化教練！   聯華食品（可樂果、萬歲牌、元本山）、宏亞食品（77乳加、禮坊、新貴派）、台灣福興（全球最大門控裝置製造廠）、信昌機械（全台前五大汽車零組件廠）、喬崴進科技（台灣大型工具機製造商）、凱馨實業（亞洲最大有色雞電宰廠）、六和機械（台灣大型汽車零組件製造廠） —作者實際輔導成功案例，為單一企業創造8位數新台幣效益！     為什麼公司獲利停滯？是因為品牌不夠有力？還是沒有跟上創新？ 為什麼工作產能降低？是因為不夠自

動化？還是少了什麼科技工具？ 其實或許先做到一個關鍵，就能提升獲利、推動產能，那就是：「不浪費」！   有效提昇工作效率、拉抬生產效益的方法，可能是新科技、可能是新趨勢，但也可能在於你的工作流程、生產流程有太多「浪費」，而只要回頭「不浪費」，那麼不一定要學會「高級動作」，你也能在自己原本的流程中，找到提昇生產力的方法。   從這樣的概念出發，作者在企業顧問中實際帶領主管們去發現不一定要去「再學一個新東西」，而是如果能「更加精實」，其實才是效率提昇的法門，不用再為了學一大堆新技術，工作產品卻還是沒有改進而焦慮。   國立政治大學 司徒達賢 講座教授： 「從書中的內容可以看出，他不只對企業界可以一

針見血地指出問題及提出建議，而且在顧問及輔導的過程中也不斷自我成長，這些都是十分難能可貴的。」   聯華食品 李開源 董事長： 「如果在聯華食品一開始摸索階段時就有這本書存在，我想我們能夠少走許多的冤枉路。」   宜特科技 余維斌 董事長： 「書中跨產業的實際案例、簡單明瞭的論述說明，筆觸生動不枯燥，我相信，不論您在哪個產業公司，都能夠從中獲得體悟並且更加善用精實思考」   凱馨實業 鄧學凱 總經理： 「江老師的這本新書他用年輕人的口吻、豐富多元的生活例子，然後非常短潔的篇幅讓我們深入到精實每一個環節的核心。」   企業管理專家專文推薦 國立政治大學  司徒達賢 講座教授  策略大師，台灣商管

個案教學先驅 中華精實協會  大野義男 院長  豐田式管理大師，獲頒經濟獎章肯定 聯華食品(1231)  李開源 董事長  可樂果、元本山、萬歲牌等 宜特科技(3289)  余維斌 董事長  台灣電子產品驗證服務龍頭 講師、作家  謝文憲 憲哥  富比世雜誌亞洲前50大企業講師 講師、作家  王永福 福哥  台灣頂尖講師及職業教練   跨產業經營者一致推薦 信昌機械  奚志雄 董事長  台灣前五大汽車零組件廠 六和機械  宗緒順 總經理  兩岸大型汽車零組件廠 慧國工業  江瑞坤 總經理  日本愛信精機在台子公司 台灣福興(9924)  林子軒 協理  全球最大門控裝置製造廠 聯華食品(123

1)  江志強 協理  可樂果、元本山、萬歲牌等 宏亞食品(1236)  張云綺 總經理  77乳加、新貴派、禮坊等 凱馨實業  鄧學凱 總經理  台灣有色雞最大供應商 喜特麗  侯劭諺 總經理  台灣前三大廚房設備品牌 喬崴進科技  陳松江 董事長  台灣工具機製造，多次獲得台灣精品獎 iFit愛瘦身  謝銘元 創辦人  台灣最大瘦身社群，億元級電商 政大企管  李易諭 副教授  作業管理領域知名學者 高雄榮總  楊坤仁 主治醫師  急診醫學、醫療法律跨領域專家

效率公式進入發燒排行的影片

雙埠網路應用於永磁同步馬達最大效率預測

為了解決效率公式的問題，作者王彥文 這樣論述：

對傳統馬達解析解之公式，乃是透過設定一預期之轉速，透過相關之公式解出該轉速下之轉矩及其效率，然而此方法僅能得知該轉速之工況，並無法得知該顆馬達之最大效率點為何及該操作點之轉矩以及其轉速。因此本研究基於電路學之基礎上，透過簡易之電路模型並利用雙埠網路矩陣進行最大效率公式之推導，亦可同時求得最大效率操作點之性能參數，並透過電路範例經由模擬軟體驗證公式之正確性，確定無誤後將會對直流有刷馬達以及交流無刷馬達進行數學建模，透過將其等效為電路之模型後再轉為控制方塊圖，並會對馬達之各項損失進行說明並定義，並將過往傳統理想情況之馬達模型進行修正，化為較為實務之馬達模型，接著將進行馬達實例之驗證，透過一直流有

刷馬達以及一表貼式永磁同步馬達之範例，藉由推導出之最大效率公式進行該馬達範例之性能預測，並在之後將會與經由馬達模擬軟體分析後之結果進行比較驗證，並探討其之間誤差來源。

GaAs基光電陰極

為了解決效率公式的問題，作者常本康 這樣論述：

本書是著作者承擔國家科研項目的總結，是論述GaAs光電陰極的專著。全書共分10章，介紹了三代微光像增強器、數字微光器件、GaAs和GaAlAs材料和光電陰極的發展概況；研究了GaAs光電陰極的光電發射與光譜響應理論、多信息量測控與評估系統、激活工藝及其優化；提出了變摻雜GaAs光電陰極物理概念，探索了反射式和透射式變摻雜GaAs光電陰極理論，在三代微光像增強器中進行了實踐；提出了窄帶響應GaAs光。常本康，南京理工大學教授，博士生導師，國防科工委微光重點實驗室學術委員會副主任委員。主要從事光電發射材料、器件與多光譜融合的圖像探測系統的研究。培養碩士70多名、博士與博士后50多名。先后出版過的專

著和教材有：《顯示技術》（1994）、《多鹼光電陰極機理、特性與應用》（1995）、《紅外成像陣列與系統》（2006）、《紅外成像陣列與系統（修訂版）》（2009）、《多鹼光電陰極》（2011）以及《 GaAs光電陰極》（2012）等。在國內外學術期刊與會議發表論文400多篇，申報專利20多項。 第1章 緒論 11.1 三代微光像增強器簡介 11.1.1 三代微光像增強器的基本原理 11.1.2 GaAlAs／GaAs光電陰極 41.1.3 微通道板 51.1.4 積分靈敏度 61.1.5 分辨力、MTF 61.1.6 信噪比 71.1.7 三代微光像增強器的應用領域 81

.1.8 三代微光像增強器的國內外發展現狀 111.2 數字微光器件與電子源中的GaAs基光電陰極 131.2.1 數字微光器件 131.2.2 電子源 211.3 GaAs光電陰極的發展概況 231.3.1 GaAs光電陰極的發現及特點 231.3.2 GaAs光電陰極的制備 241.4 GaAs光電陰極國內外研究現狀 271.4.1 GaAs光電陰極材料特性 281.4.2 GaAs光電陰極激活工藝的研究 291.4.3 GaAs光電陰極的穩定性研究 311.4.4 GaAs光電陰極表面模型研究 321.5 國內外GaAs光電陰極性能現狀 361.5.1 國外GaAs光電陰極技術水平現狀

361.5.2 國內GaAs光電陰極技術水平現狀 391.5.3 國內外GaAs光電陰極的光譜響應特性比較 40參考文獻 42第2章 GaAs和GaAlAs光電陰極材料 512.1 GaAs材料的性質 512.1.1 GaAs的物理和熱學性質 512.1.2 GaAs的電阻率和載流子濃度 532.1.3 GaAs中載流子離化率 542.1.4 GaAs中電子的遷移率、擴散和壽命 552.1.5 GaAs中空穴的遷移率、擴散和壽命 572.1.6 GaAs的能帶間隙 602.1.7 GaAs的光學函數 612.1.8 GaAs的紅外吸收 662.1.9 GaAs的光致發光譜 682.1.10 G

aAs中缺陷和缺陷的紅外映像圖 722.1.11 GaAs的表面結構和氧化 762.1.12 GaAs的濕法腐蝕速率 782.1.13 GaAs的界面和接觸 792.2 GaAlAs材料的一般性能 812.2.1 GaAlAs中的缺陷能級 812.2.2 GaAlAs中的 DX 缺陷中心 852.2.3 GaAlAs的光致發光譜 892.2.4 GaAlAs的電子遷移率 912.2.5 LPE GaAlAs中的載流子濃度 932.2.6 MOCVD GaAlAs的載流子濃度 942.2.7 MBE GaAlAs的載流子濃度 952.2.8 反應離子和反應離子束對GaAlAs的腐蝕速度 962.

2.9 LPE GaAlAs的光學函數 97參考文獻 110第3章 GaAs光電陰極的光電發射與光譜響應理論 1113.1 GaAs光電陰極光電發射過程 1113.1.1 光電子激發 1113.1.2 光電子往光電陰極表面的輸運 1133.1.3 光電子隧穿表面勢壘 1153.2 GaAs光電陰極電子能量分布 1193.2.1 透射式光電陰極電子能量分布 1193.2.2 反射式光電陰極電子能量分布 1233.3 GaAs光電陰極量子效率公式的推導 1283.3.1 反射式GaAs光電陰極 1283.3.2 背面光照下的透射式GaAs光電陰極 1293.3.3 正面光照下的透射式GaAs光電陰

極 1303.3.4 考慮 、L 能谷及熱電子發射的量子效率公式 1313.3.5 考慮前表面復合速率的量子效率公式推導 1353.4 GaAs光電陰極性能參量對量子效率的影響 1403.4.1 電子表面逸出幾率 1403.4.2 電子擴散長度 1403.4.3 光電陰極厚度 1403.4.4 前表面復合速率 1423.4.5 后界面復合速率 1433.4.6 吸收系數 1453.5 GaAs光電陰極性能參量的評估 1463.5.1 P、LD、Sfv和Sv值的確定 1463.5.2 積分靈敏度的計算 147參考文獻 148第4章 GaAs光電陰極多信息量測控與評估系統 1524.1 GaAs光

電陰極多信息量測控與評估系統的設計 1524.1.1 Cs源電流的原位監測和記錄 1524.1.2 O源電流的原位監測和記錄 1524.1.3 超高真空系統真空度的原位監測和記錄 1534.1.4 光電陰極光電流的原位監測和記錄 1534.1.5 光電陰極光譜響應的原位監測和記錄 1544.2 超高真空激活系統 1544.2.1 超高真空激活系統的結構和性能 1554.2.2 超高真空的獲取 1584.2.3 超高真空系統與國外的差距 1594.3 多信息量在線監控系統的構建 1594.4 光譜響應測試儀 1634.4.1 光譜響應測試原理 1634.4.2 光譜響應測試儀的硬件結構 1654

.4.3 光譜響應測試儀的軟件編制 1684.4.4 光譜響應測試方式 1734.5 在線量子效率測試與自動激活系統 1744.5.1 系統結構 1744.5.2 系統硬件設計 1764.5.3 自動激活策略 1804.5.4 軟件設計 1834.5.5 實驗與結果 1934.5.6 自動激活與人工激活對比性實驗 1954.6 GaAs光電陰極表面分析系統 1974.6.1 X射線光電子能譜儀 1974.6.2 紫外光電子能譜儀 1994.6.3 變角XPS表面分析技術 2004.7 超高真空的殘氣分析系統 2024.7.1 四極質譜儀原理與結構 2024.7.2 HAL201殘余氣體分析儀軟

件 2034.7.3 超高真空的殘氣分析 2044.8 研制的GaAs光電陰極多信息量測試與評估系統 210參考文獻 212第5章 反射式GaAs光電陰極的激活工藝及其優化研究 2145.1 反射式GaAs光電陰極激活工藝概述 2145.2 Cs源、O源的除氣工藝 2155.3 GaAs表面的凈化工藝研究 2165.3.1 化學清洗工藝 2175.3.2 加熱凈化工藝的優化設計 2185.3.3 GaAs（100）面凈化后的表面模型 2195.3.4 材料表面凈化與XPS分析試驗 2215.4 GaAs光電陰極Cs—O激活機理 2235.4.1 （GaAs（Zn）：Cs）：O—Cs光電發射模型

2245.4.2 在Cs—O激活中摻Zn的富砷 GaAs（100）（2*4）表面的演變 2255.4.3 基於 （GaAs（Zn）：Cs）：O—Cs模型的計算 2285.5 GaAs光電陰極激活過程中多信息量監控 2405.6 GaAs光電陰極的Cs、O激活工藝及其優化研究 2415.6.1 首次進Cs量對光電陰極的影響 2415.6.2 Cs／O流量比對光電陰極激活結果的影響 2455.6.3 不同激活方式比較 2475.6.4 高低溫兩步激活工藝研究 2505.6.5 高低溫激活過程中光電子的逸出 2535.6.6 GaAs光電陰極表面勢壘的評估 2585.6.7 Cs、O激活工藝的優化

措施 2625.7 GaAs光電陰極的穩定性研究 2635.7.1 光照強度與光電流對光電陰極穩定性的影響 2635.7.2 Cs氣氛下光電陰極的穩定性 2665.7.3 重新銫化后光電陰極的穩定性 2685.7.4 光電陰極光電流衰減時量子效率曲線的變化 2695.7.5 重新銫化后光電陰極量子效率曲線的變化 272參考文獻 274第6章 GaAs基光電陰極中電子與原子結構研究 2796.1 研究方法與理論基礎 2796.1.1 單電子近似理論 2796.1.2 密度泛函理論 2816.1.3 平面波贗勢法 2846.1.4 光學性質計算公式 2856.1.5 第一性原理計算軟件 2866.

2 Ga1—xAlxAs光電陰極結構設計 2876.2.1 不同Al組分Ga1—xAlxAs性質研究與Al組分的選取 2876.2.2 空位缺陷Ga0：5Al0：5As電子結構和光學性質研究 2956.2.3 摻雜元素的選取與摻雜 Ga0：5Al0：5As性質研究 3016.3 Ga1—xAlxAs光電陰極表面凈化 3046.3.1 氧化物的去除與高溫清洗溫度的選取 3056.3.2 晶面選取中的電子與原子結構研究 3076.3.3 Ga0：5Al0：5As（001）表面重構相的研究 3166.3.4 摻雜表面電子和原子結構研究 3216.3.5 殘余氣體分子吸附研究 3246.4 Ga1—x

AlxAs光電陰極 Cs、O激活 3316.4.1 Ga0：5Al0：5As（001）β2（2×4） 重構相 Cs、O吸附研究 3316.4.2 摻雜 Ga0：5Al0：5As（001）β2（2×4） 重構相 Cs、O吸附研究 340參考文獻 345第7章 窄帶響應GaAlAs光電陰極的制備與性能 3517.1 NEA GaAlAs光電陰極的光電發射理論 3517.1.1 GaAlAs（100）表面Cs、O雙偶極層模型 3527.1.2 GaAlAs（100）和GaAs（100）表面Cs吸附比較研究 3557.1.3 GaAlAs光電陰極量子效率模型研究 3577.2 窄帶響應GaAlAs光電

陰極的結構設計與生長 3657.2.1 GaAlAs材料基本性質 3657.2.2 窄帶響應GaAlAs光電陰極結構設計基礎 3677.2.3 影響GaAlAs光電陰極量子效率的性能參量 3687.2.4 窄帶響應GaAlAs光電陰極的結構設計 3747.2.5 窄帶響應GaAlAs材料生長 3787.3 窄帶響應GaAlAs光電陰極的制備 3807.3.1 窄帶響應GaAlAs材料的化學清洗 3807.3.2 窄帶響應GaAlAs材料的加熱凈化 3897.3.3 窄帶響應GaAlAs材料的 Cs、O激活 3907.4 窄帶響應GaAlAs光電陰極的性能評估 3937.4.1 制備工藝對反射式

GaAlAs光電陰極性能的影響 3947.4.2 真空系統中反射式GaAlAs光電陰極的穩定性 4027.4.3 窄帶響應透射式GaAlAs光電陰極的性能評估 409參考文獻 412第8章 反射式變摻雜GaAs光電陰極材料與量子效率理論研究 4178.1 反射式變摻雜GaAs光電陰極能帶結構理論研究 4178.1.1 梯度摻雜GaAs材料的能帶結構 4178.1.2 指數摻雜GaAs材料的能帶結構 4198.1.3 指數摻雜GaAs光電陰極的電子擴散漂移長度 4208.2 反射式變摻雜GaAs光電陰極量子效率理論研究 4228.2.1 指數摻雜光電陰極量子效率公式 4228.2.2 指數摻雜光

電陰極靈敏度與量子效率理論仿真 4248.2.3 梯度摻雜GaAs光電陰極量子效率模型研究 4268.3 變摻雜GaAs光電陰極材料外延生長 4278.3.1GaAs光電陰極材料生長方法 4278.3.2 變摻雜光電陰極材料MBE外延生長技術研究 4298.3.3 分子束外延變摻雜光電陰極材料測試評價研究 4308.4 反射式變摻雜GaAs光電陰極摻雜結構的設計與制備工藝研究 4338.4.1 變摻雜GaAs光電陰極材料的設計和制備 4348.4.2 變摻雜GaAs材料的激活實驗 4368.4.3 變摻雜GaAs材料的激活結果 4398.4.4 高性能反射式變摻雜GaAs光電陰極研究 4418

.5 反射式變摻雜GaAs光電陰極的評價方法 4448.5.1 激活時Cs在GaAs材料表面的吸附效率評估 4448.5.2 變摻雜GaAs光電陰極的結構性能評估 4498.5.3 不同變摻雜GaAs光電陰極的結構性能對比 4538.6 寬帶響應反射式變摻雜GaAs基光電陰極研究 4568.6.1 寬帶響應反射式變摻雜GaAs和GaAlAs光電陰極的光譜響應 4568.6.2 寬帶響應反射式變摻雜GaAs基光電陰極的對生成閾 4588.7 反射式模擬透射式變摻雜GaAs光電陰極設計與實驗 4608.7.1 MBE 生長的反射式模擬透射式變摻雜GaAs光電陰極設計與實驗 4618.7.2 MOC

VD 生長的反射式模擬透射式變摻雜GaAs光電陰極設計與實驗 464參考文獻 468第9章 透射式變摻雜GaAs光電陰極理論與實踐 4729.1 透射式變摻雜GaAs光電陰極能帶結構與材料設計 4729.1.1 均勻摻雜和指數摻雜GaAs光電陰極能帶結構比較 4729.1.2 透射式變摻雜GaAs光電陰極結構設計與制備 4739.2 透射式變摻雜GaAlAs／GaAs材料與組件的性能測試 4759.2.1 透射式變摻雜GaAlAs／GaAs材料的SEM測試 4759.2.2 透射式變摻雜GaAlAs／GaAs材料的ECV測試 4769.2.3 透射式變摻雜GaAlAs／GaAs材料的HRXRD

測試 4789.2.4 透射式變摻雜 GaAlAs／GaAs 材料組件的 HRXRD 測試 4799.3 透射式GaAs光電陰極組件的光學性質與結構模擬 4809.3.1 透射式GaAs光電陰極組件光學性能測試 4809.3.2 透射式GaAs光電陰極組件結構模擬理論模型 4819.3.3 透射式GaAs光電陰極組件光學性能擬合 4849.3.4 分光光度計測試誤差對光學性能的影響 4969.4 透射式變摻雜GaAs光電陰極激活 4979.4.1 MBE 生長的透射式變摻雜GaAs光電陰極激活 4979.4.2 MOCVD生長的透射式變摻雜GaAs光電陰極激活 4999.4.3 透射式變摻雜G

aAs光電陰極光譜響應的研究 5009.4.4 MBE與MOCVD生長的透射式變摻雜GaAs光電陰極材料與組件的比較 5089.5 陰極組件光學性能對微光像增強器光譜響應的影響 5109.5.1 透射式GaAs光電陰極光譜響應曲線擬合與結構設計 5109.5.2 光電陰極組件光學性能對微光像增強器光譜響應的影響 5119.5.3 國內外微光像增強器GaAs光電陰極光譜響應特性比較 5129.6 光電陰極組件工藝對GaAs材料性能的影響 5149.6.1 反射式和透射式光電陰極的聯系和區別 5149.6.2 光電陰極組件工藝對GaAs材料電子擴散長度的影響 5179.7 微光像增強器的光譜響應性

能評估 5239.7.1 靈敏度和光譜響應性能監測 5239.7.2 沖擊試驗 5259.7.3 振動試驗 5279.7.4 高溫試驗 5299.7.5 低溫試驗 530參考文獻 532第10章 近紅外響應InGaAs光電陰極制備與性能 53510.1 InxGa1—xAs光電陰極研究現狀及材料基本性質 53510.1.1 InxGa1—xAs光電陰極研究現狀 53510.1.2 InxGa1—xAs材料基本性質 53810.2 InxGa1—xAs光電陰極結構分析 54610.2.1GaAs襯底特性分析 54610.2.2 InxGa1—xAs光電陰極組分的選擇與分析 55410.2.3 本

征In0：53Ga0：47As體材料特性分析 55710.2.4 摻雜的形成 56210.2.5 空位缺陷的存在對體摻雜發射層的影響 56710.2.6 In0：53Ga0：47As表面重構的探討 57310.2.7 表面Zn的摻雜位的選取 58210.2.8 InGaAs表面負電子親和勢的形成 59010.3 InGaAs／InP半導體材料的結構設計與制備工藝研究 60110.3.1 InGaAs／InP半導體材料結構設計 60110.3.2 InGaAs／InP半導體材料的生長 60410.3.3 InGaAs／InP半導體材料的熱凈化研究 60610.4 InGaAs／GaAs半導體材料

結構設計與制備工藝研究 60810.4.1 InGaAs／GaAs半導體材料結構設計 60810.4.2 InGaAs／GaAs發射層變組分結構設計 60910.4.3 InGaAs／GaAs半導體材料生長質量評估 61110.4.4 InGaAs／GaAs半導體材料的化學清洗工藝 61210.4.5 InGaAs／GaAs半導體材料的加熱凈化工藝 61610.5 InGaAs光電陰極性能評估 62010.5.1 不同制備工藝對InGaAs光電陰極性能的影響 62110.5.2 不同發射層結構對InGaAs／GaAs光電陰極的影響 62810.5.3 真空系統中InGaAs／GaAs光電陰極的

穩定性 63210.5.4 InGaAs／GaAs光電陰極性能對比 636參考文獻 637第11章 GaAs光電陰極及像增強器的分辨力 64611.1 GaAs光電陰極微光像增強器分辨力研究現狀 64611.1.1 MTF及分辨力概述 64611.1.2 透射式GaAs光電陰極的分辨力 64811.1.3 三代微光像增強器各部件的分辨力 65011.2 GaAs基光電陰極的電子輸運及分辨力 65211.2.1 指數摻雜GaAs光電陰極的分辨力 65211.2.2 透射式指數摻雜GaAlAs光電陰極的分辨力 66011.3 透射式均勻摻雜GaAs光電陰極分辨力 66511.3.1 均勻摻雜GaA

s光電陰極光電子輸運性能 66511.3.2 透射式均勻摻雜GaAs光電陰極的MTF 67511.4 透射式指數摻雜GaAs光電陰極分辨力 68011.4.1 透射式指數摻雜GaAs光電陰極光電子輸運模型 68111.4.2 透射式指數摻雜GaAs光電陰極光電發射性能理論研究 68411.4.3 近貼聚焦場對透射式GaAs光電陰極的滲透影響 68811.5 近貼聚焦微光像增強器的分辨力 69211.5.1 近貼聚焦系統光電子輸運及分辨力理論研究 69211.5.2 微通道板對近貼聚焦微光像增強器分辨力的影響 69911.6 GaAs光電陰極微光像增強器halO效應及分辨力測試 70711.6.

1 halO效應測試裝置及原理 70711.6.2 微光像增強器halO效應及分辨力的測試 71011.6.3 GaAs光電陰極微光像增強器halO效應及分辨力研究 720參考文獻 725第12章 回顧與展望 72812.1 GaAs基光電陰極研究工作的簡單回顧 72812.1.1 GaAs光電陰極 72812.1.2 窄帶響應GaAlAs光電陰極 74012.1.3 近紅外響應InGaAs光電陰極 74512.1.4 GaAs光電陰極及其微光像增強器的分辨力 74812.2 研究工作中的糾結 75112.3 新一代GaAs基光電陰極的研究展望 756參考文獻 757彩圖

捕捉空氣汙染物之水霧裝置設計

為了解決效率公式的問題，作者李育旻 這樣論述：

空氣污染影響每個人的身體健康，可能導致人們呼吸困難、哮喘、咳嗽、氣喘、甚至是加重現有的呼吸和心肺疾病。因此本研究目的是設計一款可以捕捉空氣汙染物的裝置。本研究基於下雨過後大氣會變得空氣清新的大自然現象，所以本裝置就利用水霧原理來設計抓取空氣汙染物裝置以改善少空氣汙染。 本研究參考現有防止空氣污染過濾器設計方法，設計與製作一款由噴嘴、風扇、空氣汙染物感知器、Arduino Mega板、檀香座、抽水馬達、集污盒、壓克力實驗箱所組成捕捉空氣汙染物的裝置，利用所設計之水霧裝置來進行捕捉空氣汙染物的實驗，實驗結果指出本水霧裝置具有過濾空氣汙染物效果。