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明志科技大學 材料工程系碩士班 阮弼群所指導 竇鈞耀的 氮化鉭/氧化鉬/氧化鉿鋯/氮化鉭結構於半導體鐵電之元件應用 （2021），提出斜英文steep關鍵因素是什麼，來自於電漿增強原子層沉積、六羰基鉬、鉿鋯氧化薄膜、金屬/絕緣層/金屬 (MIM) 結構。
而第二篇論文國立暨南國際大學 土木工程學系 王國隆所指導 許真甄的 淺層崩塌潛勢及影響範圍分析-以南投縣為例 （2020），提出因為有 淺層崩塌、定量統計法、影響範圍分析的重點而找出了 斜英文steep的解答。
氮化鉭/氧化鉬/氧化鉿鋯/氮化鉭結構於半導體鐵電之元件應用
為了解決斜英文steep 的問題，作者竇鈞耀 這樣論述：
本實驗利用漿輔助原子層沉積 (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, PE-ALD) 技術成功製備兩種疊層結構：TaN/Ferroelectric (Zr-doped HfO2)/TaN/Mo/p-Si (MIM) 與TaN/Ferroelectric (Zr-doped HfO2) /MoO2/TaN/Mo/p-Si (MIM)。一為Ferroelectric層中不同鋯摻雜比例於二氧化鉿使用三種退火溫度450、600、750°C，另一種為上述Ferroelectric層上製備一層二氧化鉬後，以退火溫度600°C進行熱退火處理以觀察其特性的變化。二氧
化鉬薄膜是以Mo (CO)6為Precursor在鉿鋯氧化薄膜上進行電漿輔助原子層沉積 (PE-ALD) 製程。我們利用X光繞射分析儀 (XRD)，來分析薄膜結晶相、鐵電量測儀 (RT-66B) 來分析鐵電特性、半導體分析儀來量測電容-電壓 (C-V) 特性、電壓-電流 (J-V) 來分析電流機制及利用原子力顯微鏡 (AFM) 分析其表面形貌與表面粗糙度。由鐵電量測儀分析結果得知，隨著在氧化鉿上摻雜氧化鋯比例的增加，氧化鉿鋯薄膜的飽和極化量也隨之增加，並且隨著退火溫度的提升飽和極化量也隨之提升，另外第二種結構添加MoO2薄膜後比無添加的飽和極化量來的高，且隨著MoO2瓦數的上升飽和極化量也隨之
提升，鉿鋯氧化薄膜最大的飽和極化量Pr=60.2μC/cm2，添加MoO2薄膜最大的飽和極化量Pr =74μC/cm2，在電容-電壓 (C-V) 量測中，隨著摻雜比例上升，鉿鋯氧化薄膜的電容值也隨之上升。而電流-電壓 (I-V) 分析中，隨著摻雜比例上升，其漏電流亦隨之下降。
淺層崩塌潛勢及影響範圍分析-以南投縣為例
為了解決斜英文steep 的問題，作者許真甄 這樣論述：
淺層崩塌為最常見的邊坡破壞現象，經常因為降雨而發生，且淺層崩塌會提供豐富的土砂材料來源，可能會觸發土石流的發生，南投縣內地形主要以山地為主，包含了不少地質破碎及地勢陡峭的區域，位於南投縣內，省道為居民重要的聯外道路，其突發性的邊坡破壞發生於主要道路上，會造成道路阻斷，對居民的生計也會造成影響。本研究對南投縣內的淺層崩塌進行分析，收集可能導致淺層崩塌的影響因子，將各因子經統計及相關性分析後，選取出坡度、坡向、坡型、全坡高、地層、距稜線距離、距河道距離及距斷層距離等8個淺層崩塌潛勢因子，對南投縣內淺層崩塌與各因子進行區別分析，並利用正判率及ROC曲線驗證區別分析之結果，由驗證結果得出區別分析之正
判率為74.15%，且ROC曲線法之曲線下面積AUC=0.818，可確認本研究使用區別分析所得之淺層崩塌潛勢值F，再判別是否為淺層崩塌上具有良好的判別能力，將其結果淺層崩塌潛勢值F分成低、中、高與極高四個等級，並套疊於現地調查之區域，繪製出各淺層崩塌區域之淺層崩塌潛勢圖。於淺層崩塌影響範圍分析，比較流向演算法(Flow-R)與顆粒流模擬法(Rockyfor3D)兩種不同的演算法所模擬之影響範圍，根據現地調查之淺層崩塌模擬結果，可得知流向演算法易受地形之影響，如蝕溝及道路，顆粒流模擬法之料源擴散不會因為道路而停止。本研究使用陰影角(Fahrböschung angle)對實際崩塌情況、流向演算法
及顆粒流模擬法進行比對，所計算出的陰影角分別為36.04°、37.58°及35.99°，其顆粒流模擬法與實際崩塌之陰影角較符合。