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利用射頻磁控濺鍍法在具有鑽石薄膜之矽晶片上沉積氧化鋅薄膜及表面聲波之應用

為了解決晶鑽鍍膜價格的問題，作者王茂進 這樣論述：

近年來氧化鋅廣泛地被應用在表面聲波元件，它已經成功地被成長在quartz、Si、GaAs、sapphire基板上，其中成長sapphire基板更被廣泛的應用在高頻表面聲波元件，其主要原因為sapphire基板具有高聲速的之優點，然而由於sapphire基板價格較 Si 基板昂貴且不利於大面積化，在本研究中，我們成長ZnO在Diamond/Si上以達高頻表面聲波元件應用。以鑽石相關材料為基底之表面聲波元件，在其元件之工作頻率已被證實其優越之特性。在本研究中，我們將探討不同型態之鑽石基板對元件波傳遞特性之影響。我們利用射頻磁控濺鍍法分別沉積ZnO薄膜於奈米鑽石（NCD）/Si與微米鑽石（MCD）

/Si基板上，並製作成表面聲波元件。實驗結果顯示，其ZnO薄膜C軸優選方向之半高寬分別為0.21˚與0.23˚，薄膜表面平坦度分別為18.5 nm與9.3 nm，並利用網路分析儀量測元件之頻率響應，其IDT/ZnO/NCD/Si之第0模態之波速為5296 m/s（331 MHz），ZnO/IDT/NCD/Si之第1模態之波速為8960 m/s（448 MHz）。實驗所得結果與前人所作之理論分析結果相近。