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另外網站氖灯简介氖灯特点--电子技术 - 电工屋也說明：氖灯 工作特点：高电压，小电流。氖灯管所用高压电源由变压器提供，此种变压器是一种单相变压器，低压输出电压为220V伏交流电，高压输出电压为15000 ...

國立中央大學 機械工程學系 李天錫所指導 江昭慶的 光電化學效應抑制P-型多孔矽形成之研究 （2015），提出氖燈電壓關鍵因素是什麼，來自於多孔矽、光電化學、奈米晶。

而第二篇論文輔仁大學 物理學系碩士班 張連璧所指導 陳翰的 光電式麥克森干涉儀之研製 （2013），提出因為有 麥克森干涉儀、光敏電晶體、干涉術、相干長度的重點而找出了 氖燈電壓的解答。

最後網站最近很多裝修新建案的屋主一定都會遇到LED燈泡閃爍的問題則補充：因為內部電子安定器回路設計不同，那股微小氖燈電流不足以讓電容電壓累積，所以電壓不會上升到啟動臨界點，有的是在輸入部分有加旁路電阻或電容來處理，有的純粹是安定器 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了氖燈電壓，大家也想知道這些：

光電化學效應抑制P-型多孔矽形成之研究

為了解決氖燈電壓的問題，作者江昭慶 這樣論述：

近年來，多孔矽研究和相關應用廣泛被應用到半導體製程、薄膜太陽能電池、藥物檢驗和燃料電池。因此，多孔矽的研究價值被廣泛認可。在研究中，我們使用的低功率雷射633、830、1064和1310nm，在氫氟酸(HF)溶液蝕刻P型矽的電化學製程，同時照射雷射進行了研究。雷射功率為幾個毫瓦照射，電化學蝕刻速率為100、200mA，蝕刻時間10、30分鐘，控制奈米級的多孔矽形成，已成功的被使用。同時研究中意外地發現，使用雷射照射於晶片表面，此時電化學蝕刻速率會降低。多孔矽的發光特性，通過光激發光頻譜(He -Cd 325 nm)雷射被激發，多孔矽的光譜並於顯微鏡中捕獲。PL光譜微觀分佈出現在多孔矽形成的過

程光束強度分佈，發光峰值為單個PL峰，已確認雷射照射區的PL峰值，對應於室溫下紅色發光的1.94電子伏特。多孔矽呈現均勻尺寸的量子點，已於TEM的圖像證實。上述電化學反應經雷射功率大小照射，於晶片表面進行能量變化，與多孔矽的形成和電化學抑制反應進行控制，多孔矽具有奈米晶體的量子點結構。在雷射照射過程上，因為電子數目從襯底被激發，使得多孔矽層的形成有很大的影響，該圖像於較強度的紫外燈(365nm)照射下被捕獲。雷射抑制提供一個在奈米尺度的多孔矽層厚度良好的控制，研究表明，多孔矽的奈米顆粒和厚度是可以通過蝕刻期間的雷射光功率照射進行控制，是為一種可行性的技術。

光電式麥克森干涉儀之研製

為了解決氖燈電壓的問題，作者陳翰 這樣論述：

利用市售的光電子及電子元件設計感測、波形轉換及計數電路，成功地完成架構簡單、穩定且具有教學功能的光電式麥克生干涉儀。我們對三種市售的光敏感應元件—光敏電阻 (CdS)、光敏二極體和光敏電晶體—的反應速率做了詳細地測量，由於光敏電晶體的光電流是光敏二極體的500倍以上。因此選擇光電流和反應速度都足以符合實驗要求的光敏電晶體做為光偵測器。以具有吸震減壓的記憶枕材質所製作的轉動桿轉動螺旋測微器可以進一步降低因震動所造成的計數誤差。用自行研製的干涉儀測量氦氖雷射632.8 nm紅光波長、氬離子雷射488 nm藍光波長及自行架設的Nd:YVO4固態雷射1064.3 nm波長，實驗誤差皆小於千分之一，精

準度比一般機械式測量方式足足提高了2~3個數量級。從示波器上的波形變化可以計算出干涉條紋的可見度(visibility)。測量鈉燈589.3 nm的黃光波長需要7 mW以上的黃光功率。目前欠缺有效的聚光方式，有待進一步的努力以完成波長、可見度以及相干長度的測量。

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