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氮化鎵的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦施敏,李義明,伍國珏寫的 半導體元件物理學第四版（上冊） 和盧廷昌,王興宗的 半導體雷射技術（2版）都 可以從中找到所需的評價。
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這兩本書分別來自國立陽明交通大學出版社 和五南所出版 。
國立臺北科技大學 環境工程與管理研究所 王立邦所指導 吳德懷的 利用焙燒暨酸浸法從廢棄LED晶粒中回收鎵金屬資源 （2021），提出氮化鎵關鍵因素是什麼，來自於發光二極體、氮化鎵、鎵、回收、焙燒、浸漬。
而第二篇論文國立臺北科技大學 管理學院EMBA華南專班 應國卿所指導 陳俊達的 氮化鎵半導體產業之發展與市場趨勢 （2021），提出因為有 氮化鎵、碳化矽、寬能隙、第三代半導體、化合物半導體的重點而找出了 氮化鎵的解答。
最後網站什麼是氮化鎵充電器黑科技？ - 遠傳則補充：氮化鎵 （GaN）是一種新型的半導體材質，具有超強的導熱效率、耐高溫以及耐酸鹼等特性，可以讓充電器做到體積更小、重量也更輕，在充電功率的轉換上比起一般的充電器更 ...
半導體元件物理學第四版（上冊）
為了解決氮化鎵 的問題，作者施敏,李義明,伍國珏 這樣論述：
最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍 《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。 Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯
然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。 全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊
收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版） 第四版特色 1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。 2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。 3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。 4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。
氮化鎵進入發燒排行的影片
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利用焙燒暨酸浸法從廢棄LED晶粒中回收鎵金屬資源
為了解決氮化鎵 的問題，作者吳德懷 這樣論述：
LED是發光二極體(Light Emitting Diode)的簡稱。由於LED燈具有節能、無汞等特性，在照明市場之需求日益增加，LED在許多領域已經取代了傳統光源(白熾燈、螢光燈等)。LED燈之高效率白光照明主要是由LED晶粒中氮化鎵(GaN)半導體所產生。隨著LED市場的擴大，未來將產生大量的LED廢棄物。因此，回收廢棄LED中所含的鎵金屬資源對於資源的可持續利用和環境保護都具有重要意義。本研究以廢棄LED燈珠為對象，利用焙燒與酸浸法從其LED晶粒中回收鎵金屬資源，主要包括三個部分：化學組成分析、氟化鈉焙燒處理與酸溶浸漬等。探討各項實驗因子包括焙燒溫度、焙燒時間、礦鹼比、酸浸漬種類及濃度
、浸漬時間、及浸漬固液比等，對於鎵金屬浸漬率之影響，並與各文獻方法所得到的鎵金屬浸漬效果進行比較。研究結果顯示，LED晶粒中含有鎵5.21 wt.%，氟化鈉焙燒暨酸溶浸漬之最佳條件為焙燒溫度900 ℃、焙燒時間3hr、礦鹼比1:6.95、鹽酸浸漬濃度0.5 M、浸漬溫度25 ℃、浸漬時間10mins、固液比2.86 g/L，鎵金屬浸漬率為98.4%。與各文獻方法相比較，本方法可於相對低溫且常壓下獲得較高之鎵金屬浸漬效果。
半導體雷射技術（2版）
為了解決氮化鎵 的問題，作者盧廷昌,王興宗 這樣論述：
半導體雷射廣泛的存在於今日高度科技文明的生活中，如光纖通信、高密度光碟機、雷射印表機、雷射電視、雷射滑鼠、雷射舞台秀甚至雷射美容與醫療、軍事等不勝枚舉之應用都用到了半導體雷射。半導體雷射的實現可以說是半導體科技與光電科技的智慧結晶，同時也對人類社會帶來無與倫比的便利與影響。本書沿續「半導體雷射導論」由淺入深的介紹半導體雷射基本操作原理與設計概念，內容涵蓋了不同半導體雷射的構造與光電特性，以及半導體雷射的製程與信賴度，可為大(專)學四年級以及研究所一年級相關科系的學生與教師，提供有系統的學習半導體雷射的教科書，本書亦適用於想要深入了解半導體雷射的專業人員。
氮化鎵半導體產業之發展與市場趨勢
為了解決氮化鎵 的問題，作者陳俊達 這樣論述：
本研究從市場面和應用面來探討氮化鎵 (Gallium Nitride, GaN)半導體產業之發展與市場趨勢，因為GaN能夠在廣泛的應用中提供顯著改進的性能，同時減少提供該性能所需的能量和物理空間。在矽材料應用於功率轉換已達到其材料物理極限，GaN在未來應用技術變得日漸重要。由於GaN具有效率、開關速度、尺寸和高溫操作的優勢，使越來越多競爭者投入市場，5G、EV車用電子、太陽能逆變器等電源系統在使用GaN後，對於效能的提升與減少能源消耗都有相當助益。本研究透過專家訪談了解氮化鎵半導體產業之發展與市場趨勢，有快速充電器的市場助益，強烈帶動了GaN的市場，加上未來的電動車與能源等應用，讓第三類半導
體材料更加重要，希望本研究能提供相關業者之參考。