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中原大學 電機工程學系 洪穎怡所指導 邱品誠的 行車駕駛人瞌睡偵測與嵌入式系統實現 (2021),提出水密度g/ml關鍵因素是什麼,來自於田口方法、強健設計、瞌睡偵測、特徵擷取。

而第二篇論文國防大學 機械工程碩士班 李彥宏所指導 黃國隆的 磁控智慧型流體對電磁波散射吸收效能之研究 (2021),提出因為有 鐵磁流體、超順磁性、電磁波、羅森史維格不穩定、智慧型匿蹤材料的重點而找出了 水密度g/ml的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了水密度g/ml,大家也想知道這些:

行車駕駛人瞌睡偵測與嵌入式系統實現

為了解決水密度g/ml的問題,作者邱品誠 這樣論述:

中文摘要 iAbstract ii致謝 iii目 錄 vi表目錄 vii圖目錄 viii第1章、 緒論 11-1 研究背景 11-2 研究目的 21-3 文獻回顧 21-4 本論文的貢獻 31-5 論文架構 4第2章、學理基礎 52-1 Dlib程式庫 52-1-1 Dlib程式庫概述 52-1-2 方向梯度直方圖 62-1-3 支持向量機 92-1-4 影像金字塔 142-1-5 滑動視窗檢測方案 162-1-6 集成迴歸樹 172-2 OpenCV程式庫 202-2-1 OpenCV程式庫概述 202-2-2 圍

繞眼睛多邊形凸殼 212-3 紅外線 23第3章、 系統設計 243-1 系統架構 243-2硬體設備 253-2-1 Raspberry Pi 4 Model B 微型單板電腦 253-2-2 Raspberry Pi Noir Camera V2 8MP紅外線夜視攝影機 293-2-3 Raspberry 3.5吋TFT LCD觸控螢幕顯示模組 313-2-4 外接式48顆燈泡850 nm紅外線燈 323-3 田口法實驗設計介紹 333-4 系統設計流程 37第4章、實驗結果 434-1 控制因子水準表 454-2 各組實驗的平均值、標準偏差

、及S/N比 474-3 S/N比及品質特性的因子反應 484-4 控制因子的分類與製程最佳化 504-5 最後實驗確認 52第5章、結論 53參考文獻 54表目錄表 1.1、事故肇因表 1表 3.1、Raspberry Pi 4 Model B 26表 3.2、Raspberry Pi Noir Camera V2 規格 30表 3.3、Raspberry 3.5 吋 TFT LCD 觸控螢幕顯示模組規格 31表 3.4、日間閾值選定實驗 . 41表 4.1、控制因子水準表 45表 4.2、夜間照度實驗 45表 4.3、各組實驗的平均值、標準偏差、及 S/N 比

表 47表 4.4、S/N 比的因子反應表 . 48表 4.5、品質特性的因子反應表 49表 4.6、控制因子的分類 50表 4.7、最後確認實驗 51圖目錄圖 2.1、Dlib 的組件 6圖 2.2、局部梯度或目標邊緣方向的密度分佈 7圖 2.3、HOG 特徵提取流程圖 8圖 2.4、線性可分 9圖 2.5、線性不可分(輕度) 10圖 2.6、線性不可分(重度) 10圖 2.7、過擬合 12圖 2.8、模型使用圖 13圖 2.9、高斯金字塔濾波取樣圖 14圖 2.10、高斯金字塔圖 15圖 2.11、補充像素點 15圖 2.12、滑動視窗檢測 17圖 2.13、分類樹

18圖 2.14、迴歸樹 19圖 2.15、(a)P 簡單多邊形、(b)Pa 非簡單多邊形 22圖 3.1、日間工作流程 24圖 3.2、夜間工作流程 25圖 3.3、Raspberry Pi 4 Model B 25圖 3.4、Raspberry Pi 4 Model B 電源配線圖 27圖 3.5、Raspberry Pi 4 Model B 觸控螢幕配線圖 28圖 3.6、Raspberry Pi Noir Camera V2 8MP 紅外線夜視攝影機配線圖 . 29圖 3.7、Raspberry Pi Noir Camera V2 8MP 紅外線夜視攝影機 30圖 3.

8、Raspberry 3.5 吋 TFT LCD 觸控螢幕顯示模組 31圖 3.9、外接式 48 顆燈泡 850nm 紅外線燈 32圖 3.10、工程系統設計或研發的三個主要步驟 33圖 3.11、影響品質特性的因子 34圖 3.12、臉部偵測 37圖 3.13、Dlib 68 points facial landmark 38圖 3.14、集成迴歸樹去進行一毫秒人臉定位 39圖 3.15、圍繞眼睛多邊形凸殼 39圖 3.16、眼睛長和寬 40圖 3.17、眼睛長寬比睜眼與閉眼 40圖 3.18、日間總流程圖 42圖 4.1、實驗流程圖 43圖 4.2、實驗架構圖

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磁控智慧型流體對電磁波散射吸收效能之研究

為了解決水密度g/ml的問題,作者黃國隆 這樣論述:

本研究主要是使用由超順磁性奈米粒子組成之磁性流體(EMG805及EMG905),在磁場作用下,探討羅森史維格不穩定現象(Rosensweig instability)對於電磁波散射及吸收效益之分析。在磁場作用下,磁液滴會有重力、磁力及表面張力三者相互作用之情形,於出現羅森史維格不穩定現象時,將分裂成錐狀結構。在不同磁場強度下,磁液滴分裂之形態、數量及分布方式會有所差異,為觀察磁流體錐狀對於電磁波反射型態之影響,本計畫先透過超高頻綠光雷射進行可視化實驗,並利用光功率計量測雷射光反射強度,以進行不同型態錐狀結構對電磁波反射損耗之量化比較。為精確掌握磁流體對於對電磁波屏蔽實際效果,本研究同時運用網

路分析儀測量電磁波損耗參數,與之進行分析比對,以掌握影響磁控智慧型流體應用於匿蹤材料的關鍵因素。實驗結果發現,磁通量越大,磁力線密度變高,磁液滴分裂數量越多,且數量與磁通量強度成線性關係,其錐狀結構之密度亦隨磁場增強而增加,且至特定磁場強度後達飽和。透過綠光電磁波於不同入射角度發射至不同磁場作用下之磁流體上,整體趨勢發現錐狀體數量越多,反射光點越弱。主要原因為電磁波受到不同入射角及錐體角度之改變,會形成坡谷鏡面反射、坡面相互反射、坡面鏡面反射及坡峰散射等4種現象,而形成不同反射能量損耗,實驗結果發現,隨磁通量越大,磁流體錐狀結構越多且錐角越小,電磁波反射損耗越明顯。此外,電磁波以不同入射角照射

,散(反)射效果亦有所差異,整體而言,在入射角45°時,有較佳之反射損耗。最後,發射8.2~18GHz電磁波至不同型態磁流體上,經網路分析儀測試結果,以高頻13~18GHz 電磁波照射於混合磁流體(0.5ml EMG805+ 0.5 ml EMG905 )時,電磁損耗效果較顯著,且當磁流體厚度2mm時,對於13GHz電磁波達到-42dB之最佳電磁損耗,此成果可提供屏蔽電磁波或匿蹤效果之參考依據,並評估磁控智慧型流體應用於匿蹤材料之可行性。