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另外網站白色光發光二極體發展動向:白光LED,有機白光LED,無機白光 ...也說明：三波長白光未來最被看好，其原理為：以紫外光LED晶片激發塗在其表面及周圍的螢光粉(內含R.G.B三色混合)使產生三波長白光，由於紫外光激發的螢光粉其發光效率效藍光來得 ...
這兩本書分別來自電子工業出版社 和電子工業出版社所出版 。
國立臺北科技大學 光電工程系 陳隆建所指導 趙力韡的 高效率近紅外鈣鈦礦量子點之發光二極體 （2021），提出發光二極體原理關鍵因素是什麼，來自於鈣鈦礦結構、量子點、發光二極體、紅外光。
而第二篇論文國立臺北科技大學 製造科技研究所 呂志誠所指導 李厚德的 不同SMD LED封裝結構之發光角度及發光強度研究 （2021），提出因為有 LED、發光角度、封裝結構、發光強度、回歸分析的重點而找出了 發光二極體原理的解答。
最後網站發光二極體-價格比價與低價商品-2021年10月則補充：發光二極體 價格比價與低價商品，提供LED 發光二極體、藍色發光二極體、發光二極體LED自閃在MOMO、蝦皮、PCHOME價格比價，找發光二 ... 發光二極體之原理與製程(第3版).
電路設計與製作實用教程（Allegro版）
為了解決發光二極體原理 的問題，作者董磊 這樣論述：
本書以Cadence公司的開發軟體CadenceAllegro16.6為平臺，以本書配套的STM32核心板為實踐載體，對電路設計與製作的全過程進行講解。主要包括基於STM32核心板的電路設計與製作基礎、STM32核心板介紹、STM32核心板程式下載與驗證、STM32核心板焊接、Cadence Allegro軟體介紹、STM32核心板原理圖設計及PCB設計、創建元器件庫、輸出生產檔，以及製作電路板等。 本書所有知識點均圍繞著STM32核心板，希望讀者通過對本書的學習，能夠快速設計並製作出一塊屬於自己的電路板，同時掌握電路設計與製作過程中涉及的所有基本技能。 本書既可以
作為高等院校相關專業的電路設計與製作實踐課程教材，也可作為電路設計及相關行業工程技術人員的入門培訓用書。
高效率近紅外鈣鈦礦量子點之發光二極體
為了解決發光二極體原理 的問題，作者趙力韡 這樣論述：
目錄摘要 iABSTRACT ii致謝 iv目錄 v表目錄 viii圖目錄 ix第一章 緒論 11.1 前言 11.2 研究動機與論文架構 1第二章 理論基礎與文獻回顧 52.1 鈣鈦礦之特性 52.2 量子點之探討與介紹 62.2.1 量子點之特性 62.2.2 量子點之應用 62.3 鈣鈦礦量子點發光二極體原理 82.4 鈣鈦礦量子點發光二極體(QLED)之材料特性 82.4.1 導電基板ITO 82.4.2 電洞注入層PEDOT:PSS 82.4.3 電洞傳輸層(PVK / Poly-TPD / VB-FNPD) 92.4.4 發光層鈣鈦礦FA
PbI3量子點 112.4.5 電子傳輸層TPBi 112.4.6 電子傳輸層CN-T2T 122.4.7 金屬電極LiF/Al 13第三章 實驗方法與步驟 143.1 實驗大綱 143.2 實驗材料 143.3 實驗設備 153.3.1 CO2 清洗設備 153.3.2 加熱板 163.3.3 旋轉塗佈機 173.3.4 半導體雷射雕刻機 183.3.5 磁力攪拌機 183.3.6 高速離心機 193.3.7 氧電漿機 203.3.8 手套箱系統 213.3.9 真空熱蒸鍍系統 223.4 實驗步驟 233.4.1 FAPbI3鈣鈦礦量子點(Quantu
m Dots)合成步驟 233.4.2 ITO基板清洗 243.4.5 氧電漿表面處理 253.4.6 電洞注入層PEDOT:PSS薄膜製備 253.4.7 電洞傳輸層PVK/Poly-TPD/VB-FNPD薄膜製備 253.4.8 發光層FAPbI3鈣鈦礦量子點薄膜製備 253.4.9 電子傳輸層TPBi與CN-T2T蒸鍍 263.4.10 電子注入層LiF蒸鍍 263.4.11 金屬電極Al蒸鍍 263.4.12 元件封裝 273.5 量測儀器與系統 283.5.1 原子力顯微鏡 283.5.2 場發式掃描電子顯微鏡 293.5.3 場發式穿透電子顯微鏡 30
3.5.4 X射線繞射儀 303.5.5 X射線光電子能譜儀 313.5.5 傅立葉變換紅外光譜 323.5.5 光激發螢光光譜與時間解析光激發螢光光譜 333.5.5 界達電位 343.5.5 LED絕對螢光量子產率測試儀 35第四章 實驗結果與討論 374.1 透過PEAI鈍化FAPbI3鈣鈦礦量子點之材料特性分析 374.2 不同HTL之FAPbI3鈣鈦礦量子點薄膜表面型態分析 404.3 HTL與FAPbI3鈣鈦礦量子點之間的覆蓋成膜機制 434.4 FAPbI3鈣鈦礦量子點元件及結構分析 44第五章 結論與未來展望 515.1 結論 515.2 未來展
望 51參考文獻 52表目錄表1.1 歷年NIR-I QLED的元件性能總結 3表3.1 實驗材料總表 20表4.1不同濃度PEAI鈍化FAPbI3量子點XRD與PL譜中峰FWHM、平均激子壽命和PLQY總表 54表4.2 不同溶液退火時間之薄膜殘留率 60 圖目錄圖2.1鈣鈦礦結構示意圖 5圖2.2 PEDOT:PSS分子結構圖 13圖2.3 PVK分子結構圖 14圖2.4 Poly-TPD分子結構圖 15圖2.5 VB-FNPD分子結構圖 16圖2.6 TPBi分子結構圖 17圖2.7 CN-T2T分子結構圖 17圖3.1液態CO2 清洗設備 19圖3.2加熱板
22圖3.3旋轉塗佈機 23圖3.4半導體雷射雕刻機 24圖3.5磁力攪拌機 25圖3.6高速離心機 26圖3.7氧電漿機 27圖3.8三手套箱與四手手套箱 28圖3.9真空熱蒸鍍系統 29圖3.10 PEAI鈍化的FAPbI3量子點的合成示意圖 33圖3.11有機材料與金屬遮罩示意圖 33圖3.12量子點發光二極體元件示意圖 35圖3.13量子點發光二極體元件封裝示意圖 36圖3.14原子力顯微鏡實體照 39圖3.15 場發射掃描式顯微鏡 40圖3.16 場發射穿透式顯微鏡 41圖3.17 X光繞射儀 42圖3.18 X射線光電子能譜儀 43圖3.19傅立
葉變換紅外光譜 45圖3.20 光激發螢光光譜與時間解析光激發螢光光譜 46圖3.21 界達電位 47圖3.22 LED絕對螢光量子產率測試儀 48圖4.1不同濃度PEAI鈍化FAPBI3 QDs (a) TEM圖像 49圖4.1不同濃度PEAI鈍化FAPBI3 QDs (b) XRD圖 49圖4.1不同濃度PEAI鈍化FAPBI3 QDs (c) I3d和 49圖4.1不同濃度PEAI鈍化FAPBI3 QDs (d) Pb4f XPS光譜 49圖4.1不同濃度PEAI鈍化FAPBI3 QDs (f) FTIR光譜 49圖4.1不同濃度PEAI鈍化FAPBI3 QDs (g)
TRPL衰變曲線 49圖4.2不同PEAI 濃度鈍化FAPbI3QDs低倍TEM與粒徑分析 50圖4.3不同PEAI 濃度鈍化FAPbI3cQDs內燈(左)和UV燈(右)照片 51圖4.4不同電洞傳輸層 (a) AFM圖像 52圖4.4不同電洞傳輸層 (b) SEM圖案 52圖4.4不同電洞傳輸層 (c)正辛烷和HTLs之間的接觸角的照片 52圖4.4不同電洞傳輸層 (d)室內光下的PVK、Poly-TPD和VB-FPND膜照 52圖4.4不同電洞傳輸層 (e) UV燈下的PVK、Poly-TPD和VB-FPND膜照 52圖4.4不同電洞傳輸層 (f) Rq、覆蓋率、殘留率、
接觸角、ζ電位和PLQY 52圖4.5 在(a) PVK (b)Poly-TPD (c) VB-FNPD膜上的FAPbI3量子點之覆蓋率 58圖4.6基板和量子點間(a)不同和 (b)相同極性的表面電荷的示意圖 59圖4.7在VB-FPND上塗佈不同PEAI濃度鈍化FAPbI3量子點的AFM圖 59圖4.8 QD成膜機制示意圖 (a)大接觸角 (b)低粘附力 (c)高粘附力 59圖4.9 (a)元件結構示意圖 60圖4.9 (b)不同傳輸層之能級圖 60圖4.9 (c) 不同結構電流密度-電壓曲線 60圖4.9 (d) 不同結構輻射度-電壓曲線 60圖4.9 (e)不同結構E
QE-電流密度曲線 60圖4.9 (f)不同偏壓下效率最佳元件EL光譜 (插圖是為3.6 V的元件發光圖) 60圖4.9 (e) 使用不同電洞傳輸層之電壓-電流密度 60圖4.9 (d) 使用不同電洞傳輸層之 EQE特性曲線圖 61圖4.10 CN-T2T和TPBi的UPS圖與Tauc plots圖 61圖4.11 PEAI2的UPS圖 62圖4.12 (a) PVK (b)Poly-TPD (c)VB-FNPD之UPS圖和Tauc plots圖 62圖4.13 PEAI10、PEAI1、PEAI2和PEAI3之元件阻抗 63圖4.14 CN-T2T和TPBi元件之阻抗 63
圖4.15 (d) 元件3結構重複性測試數據圖 64圖4.16 元件3在不同初始輻射發射度之工作壽命 (T50) 64
電路設計與製作實用教程--基於立創EDA
為了解決發光二極體原理 的問題，作者唐滸等（主編） 這樣論述：
本書以深圳市立創電子商務有限公司的立創EDA設計工具為平臺，以本書配套的STM32核心板為實踐載體，介紹電路設計與製作的全過程。主要內容包括基於STM32核心板的電路設計與製作流程、STM32核心板介紹、STM32核心板程式下載與驗證、STM32核心板焊接、立創EDA介紹、STM32核心板的原理圖設計及PCB設計、創建元件庫、匯出生產檔以及製作電路板等。本書所有知識點均圍繞著STM32核心板，希望讀者通過對本書的學習，能夠快速設計並製作出一塊屬於自己的電路板，同時掌握電路設計與製作過程中涉及的所有基本技能。本書既可以作為高等院校相關專業的電路設計與製作實踐課程教材，也可作為
電路設計及相關行業工程技術人員的入門培訓用書。
不同SMD LED封裝結構之發光角度及發光強度研究
為了解決發光二極體原理 的問題，作者李厚德 這樣論述：
發光二極體(Light-Emitting Diode)具有製程簡易、成本低廉、壽命長等優勢，已被廣泛使用在各領域上，本實驗的發光二極體為壓模(Transfer Molding)製程形式，使用兩組高碳鋼模具將環氧樹脂(Epoxy)以兩次射出成型方式完成LED封裝結構，實驗共製作了六種不同結構模具，分析量測數據並探討三種類型晶片(InGaN Blue, InGaN Green, AlInGaP Green)搭配六種封裝結構之發光角度與發光強度差異，使用回歸分析法建立其回歸方程式，找出模具設計參數的顯著影響因子，實驗結果得知三種晶片在發光強度上趨勢是一致的，主要影響因子皆為LED結構的開口深度，其
次為下孔徑尺寸，上孔徑則是對亮度影響最小的因子，InGaN藍光晶片在上孔徑0.36 mm、下孔徑0.22 mm搭配0.27 mm開口深度的實驗結果亮度最高，較其他同晶片組別最多提升亮度87.51%，在相同參數結構下InGaN綠光晶片提升18.87%，AlInGaP綠光晶片提升25.19%，未來還可藉由實驗得到的亮度及角度回歸方程式精準預估目標值，對於模具設計與LED光學特性之預測帶來許多便捷。