碳化矽製程的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦郭向云寫的 高比表面積碳化硅 和勾紅洋的 低碳陰謀:一場大國發起假環保之名的新經濟戰爭都 可以從中找到所需的評價。
另外網站【碳化矽新兵報到1】力拚碳化矽商機台灣功率IC設計新創頻頻 ...也說明:相比在矽製程的投入上,台灣的IC設計業者可說是數不勝數,而碳化矽IC設計卻少之又少。鄭凱安分析,主因在於晶圓大多掌握在Wolfspeed手中,台灣取得晶 ...
這兩本書分別來自化學工業 和高寶所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 柯明道所指導 李雨鑫的 應用於FlexRay的高壓雙向靜電放電防護設計與碳化矽製程的靜電放電特性調查 (2021),提出碳化矽製程關鍵因素是什麼,來自於靜電放電防護、FlexRay、雙向靜電放電防護、高壓、TLP、HBM、IEC61000-4-2、碳化矽。
而第二篇論文國立臺灣科技大學 化學工程系 洪儒生所指導 李柏陞的 以MTS-CVD高產率製備β-SiC薄膜之動力學探討 (2020),提出因為有 碳化矽、熱壁式化學氣相沉積法、甲基三氯矽烷、長膜動力的重點而找出了 碳化矽製程的解答。
最後網站碳化矽裂片技術淺談與其產業應用 - 機械工業網則補充:其中,以目前正蓬勃發展的第三代半導體材料碳化矽(Silicon Carbide, SiC)為 ... 晶圓尺寸越大越棘手,SiC晶錠切割為晶圓的過程即唯一重要的製程技術, ...
高比表面積碳化硅
為了解決碳化矽製程 的問題,作者郭向云 這樣論述:
高比表面積碳化矽是最近十幾年來逐漸引起人們重視的一種新材料,具有堆積密度低(約0.2g/cm3)、比表面積大(>30m2/g)的特性,是一種性能優異的載體材料。 本書系統地介紹了高比表面積碳化矽的製備方法,以及高比表面積碳化矽作為載體材料在多相催化、光催化和電催化等領域應用的研究進展。為了讓讀者更全面地瞭解高比表面積碳化矽材料,對其在電磁波吸收領域的應用情況也作了一些簡單介紹。 本書適合從事多相催化、光催化和電催化研究的科研人員,以及高等院校相關專業的師生閱讀。 第1章碳化矽概述/001 1.1自然界的碳化矽/001 1.2碳化矽的人工合成/004 1.3碳化矽的結構
和命名/007 1.4碳化矽的性質和應用/007 1.4.1碳化矽在磨料和磨具領域中的應用/009 1.4.2碳化矽在耐火材料中的應用/010 1.4.3碳化矽在複合材料增強方面的應用/010 1.4.4碳化矽在電子材料領域的應用/010 1.4.5碳化矽在吸波材料中的應用/010 1.4.6碳化矽在生物醫學領域的應用/011 參考文獻/012 第2章高比表面積碳化矽的製備方法/014 2.1範本法/015 2.1.1碳範本法/015 2.1.2氧化矽範本法/021 2.2碳矽凝膠碳熱還原法/031 2.3化學氣相沉積法/034 2.4矽烷及聚碳矽烷熱解法/036 2.5溶劑熱還原法/037
2.6碳化矽複合型載體的製備方法/040 2.6.1碳化矽衍生碳/040 2.6.2分子篩/碳化矽複合物/040 參考文獻/042 第3章高比表面積碳化矽作為多相催化劑載體/048 3.1高溫催化反應/049 3.1.1甲烷重整制合成氣/049 3.1.2烷烴的氧化偶聯和脫氫反應/057 3.2強放熱反應/063 3.2.1費托合成/063 3.2.2甲烷催化燃燒/066 3.2.3甲烷化反應/069 3.2.4甲醇轉化/071 3.2.5其他放熱反應/072 3.3苛刻條件下的反應/073 3.3.1H2S的選擇性氧化/073 3.3.2合成氨/073 3.3.3硫酸分解反應/074 參
考文獻/075 第4章高比表面積碳化矽光催化應用/082 4.1碳化矽光催化的一般原理/083 4.2光催化分解水/085 4.2.1純碳化矽光解水/086 4.2.2金屬/碳化矽光解水/090 4.2.3石墨烯碳化矽複合物光解水/091 4.2.4半導體碳化矽複合物光解水/093 4.3光催化降解有機污染物/094 4.4光催化CO2還原/098 4.5光催化有機合成/100 參考文獻/113 第5章高比表面積碳化矽電催化應用/118 5.1電化學感測器/119 5.1.1氣體檢測/119 5.1.2溶液中離子的檢測/121 5.1.3有機污染物及生物分子的檢測/122 5.2燃料電池催
化劑/128 5.2.1氧氣還原催化劑/129 5.2.2甲醇氧化催化劑/131 5.3染料敏化太陽能電池/137 5.3.1碳化矽光陽極/138 5.3.2碳化矽對電極/139 5.4鋰離子電池材料/140 5.5超級電容器材料/145 參考文獻/148 第6章高比表面積碳化矽吸波材料/156 6.1材料吸收電磁波的機理/157 6.2SiC微粉的吸波性能/159 6.3納米SiC的吸波性能/161 6.4摻雜SiC的吸波性能/164 6.5SiC複合材料的吸波性能/166 參考文獻/168 碳化矽是一種常見的工業陶瓷材料,自1891年被霍華德·艾奇遜合成出來以後,在磨
料、磨具、耐高溫陶瓷以及微電子領域得到了廣泛的應用。目前,全世界碳化矽的年產量已超過200萬噸,都是採用改進的艾奇遜法生產出來的。這種方法以河沙、焦炭(或煤)等為原料,通過石墨電極加熱到2500℃以上,氧化矽和碳之間發生反應形成碳化矽。由於反應溫度高,得到的產品都是α-碳化矽,比表面積很低,一般不到1m2/g。碳化矽具有非常高的機械強度和化學穩定性,而且導電導熱性能良好。這些優良的性能,使得它有望成為一種新的催化劑載體材料。然而,碳化矽要想作為催化劑載體得到應用,它的比表面積就必須得到大幅度的提高。 早在20世紀90年代,國外一些學者就開展了碳化矽作為催化劑載體的研究,也發展出了一些製備高比
表面積碳化矽的方法。例如,法國斯特拉斯堡大學Loudex教授課題組發明的形狀記憶合成法就是一種有效的製備高比表面積碳化矽的方法,可製備比表面積大於30m2/g的β-碳化矽。國內也有不少學者注意到碳化矽作為催化劑載體的優越性。編著者課題組,從2000年開始研究高比表面積碳化矽的製備方法,發明了一種溶膠凝膠結合碳熱還原製備碳化矽的方法。 這種方法經過初步的工業放大試驗後,仍能製備出比表面積大於60m2/g的β-碳化矽。其後,課題組一直從事高比表面積碳化矽的研究工作,探索了這種材料作為催化劑載體在高溫、強放熱等反應中的應用,發現碳化矽作為載體不僅可改善催化劑的穩定性,而且催化劑的預處理條件也相對簡
單。最近幾年,人們發現碳化矽用於光催化和電催化時,也表現出了一些特殊的優勢。因此,有關碳化矽在熱催化、光催化以及電催化方面應用的文獻報導越來越多。 國內雖然已經有一些關於碳化矽的著作,但都是把碳化矽作為一種高性能陶瓷材料或者微電子材料來介紹的。據編著者所知,國內目前還沒有關於高比表面積碳化矽製備以及高比表面積碳化矽在催化中應用的書籍。因此,我們感到有責任將分散在浩如煙海的科學文獻中關於碳化矽的工作,進行系統整理和綜合分析,編成一書,以利于我國研究人員在進入這一領域時能迅速對本領域有一個比較全面的瞭解。 本書在成書過程中得到了作者前工作單位(中國科學院山西煤炭化學研究所)課題組同事和學生的大
力協助。靳國強、王英勇、郭曉甯和童希立等同事,多年來一直在本課題組從事有關碳化矽的研究,在本書寫作過程中做了大量工作,不僅協助本人整理了相關章節的文獻,甚至還寫出了章節的初稿。本書中介紹的相當一部分工作都是本課題組完成的,這得益於曾經和仍然在課題組學習和工作的研究生們。如果沒有他們的辛勤努力,肯定不可能有這本書的問世。另外,在本書寫作過程中,經常需要查找一些文獻,也是請學生們幫忙找到的。在此,對他們一併表示感謝。 國家自然科學基金委員會十幾年來曾多次支持課題組開展關於高比表面積碳化矽的研究工作,山西省科技廳也以科技重大專項的形式支持高比表面積碳化矽產業化的研究,在此表示感謝。感謝江蘇省綠色催
化材料與技術重點實驗室資助本書出版。最後,我要感謝化學工業出版社的相關編輯,沒有他們的辛勤付出,本書的完成也是不可想像的。 高比表面積碳化矽雖然是一個比較小的研究領域,從眾多期刊中找出相關的文獻仍然並非易事,再加上編著者水準有限,疏漏之處在所難免,敬請專家和讀者批評指正。 郭向雲 2019年5月于常州大學
應用於FlexRay的高壓雙向靜電放電防護設計與碳化矽製程的靜電放電特性調查
為了解決碳化矽製程 的問題,作者李雨鑫 這樣論述:
隨著車用電子的發展,車內的多種裝置皆發展成電子化控制,諸如線控煞車(brake-by-wire)、線控轉向(steer-by-wire),這些裝置對於訊號的速度、訊號的正確性相較於過去有更高的要求。FlexRay相較於過去LAN、CAN具有更高速,更高的安全性的車用通訊規範。FlexRay的應用電壓範圍為±60V,因此在系統線總(Bus)上需要雙向高壓的靜電放電(ESD)防護以防止內部電路因靜電放電損壞,並且在不影響系統的正常操作。因此本論文提出兩個符合FlexRay雙向高壓所需的ESD防護元件,其一是以兩個單向PNP (uni-directional PNP) 連接而成的雙向PNP (U2
BPNP),其二是一個單獨的對稱雙向PNP (BiPNP)。在U2BPNP中我們藉由量測其TLP Vt1和It2以比較各操作電壓單向PNP所組成的U2BPNP之間的差異。在BiPNP中我們改變各參雜層間的距離以達到±60V的應用電壓。此外並藉由改變元件的尺寸分析尺寸對TLP It2的關係。另外FlexRay的規範中也訂定其線總上BP和BM須分別通過HBM ±6kV及IEC61000-4-2 ±6kV。因此本文也列出了所提出的雙向PNP元件的HBM和IEC等級。另外藉由其TLP、HBM及IEC61000-4-2量測結果可以得知BiPNP相較於U2BPNP有更好的面積效率。此外根據量測結果得知本文
提出的元件具有HBM等級(V)為2~1.7kΩ倍的TLP It2(A),IEC等級(V)為0.6kΩ倍的TLP It2(A)的關係。在高壓應用中,寬能帶元件(wide bandgap device),如碳化矽(SiC),砷化鎵(GaAs),是下個世代很重要的高功率元件。在本論文中,我們也針對SiC的PN接面二極體 (PN junction diodes) 和金氧半場效電晶體(MOSFET) 的ESD特性進行量測,包含TLP及HBM。SiC的PN junction diode中我們發現HBM與元件尺寸沒有絕對的關係。在SiC的MOSFET的量測結果得知,PMOS具有比NMOS更高的ESD耐受度及
Vt1。值得注意的是SiC的NMOSFET相較於傳統Si製程的NMOSFET沒有回彈(snapback)的現象。
低碳陰謀:一場大國發起假環保之名的新經濟戰爭
為了解決碳化矽製程 的問題,作者勾紅洋 這樣論述:
◎第三次世界大戰提早來臨,暗中的操盤手是美國和歐盟,以環保之名行經濟壓榨之實,要置中國、印度等開發中國家於死地。 ◎這絕對跟你有關係,因為食衣住行統統都跟「碳」脫離不了關係,這些以後可能全部都要收錢。甚至連你呼吸吐出的碳也不例外…… ◎中國本土經濟學家首次對歐美國家陰謀進行正面反擊。 ★資深媒體人陳文茜 推薦 ★政治大學經濟系教授暨中國情勢分析專家 林祖嘉 專業解析 這絕對是政治、經濟議題,而不是環保浩劫而已。 一場比金融海嘯還要惡毒的重頭戲正在醞釀, 真正的第三次世界大戰即將來臨, 看美國、歐盟如何挖深環保的窟窿, 封殺中國、印度等開發中國家的生存空間……
一向對環保、氣候大會不太理會的美國,為何在哥本哈根氣候大會突然高調起來,像是一個正義使者的化身,要求中國和印度共同參與減碳協議。這單純只是為了後世子孫,減緩暖化危害的環保議題嗎?美國想要獲得什麼好處? 歐盟過去一直積極樹立二氧化碳減排的領導者,積極建立碳交易制度,設立碳交易場所,中間又有什麼油水可撈? 全球氣候談判是一場沒有煙硝的戰爭,但卻摻雜政治、道德、科技、經濟等多方因素,使得不同國家立場各異,遠比過去任何一次的國際爭端來得更加激烈和複雜,國際衝突一觸即發。 開發中國家反對立即承諾碳減排,因為它們正處於經濟發展階段,用碳需求持續增加,現在要求減碳,很可能限制經濟發展,永遠
停留在開發中國家之林,所以中國、印度、南非、巴西企圖讓「碳」陰謀浮上檯面,以捍衛自己在國際上的地位和權益。 值得一提的是,2012年京都議定書即將失效,如果在這之前各國政府不能對減緩氣候變遷的做法達成共識,未來連各國的排碳量都無法約束,氣候變化恐加劇。 為此,西方國家無不跳腳,希望能搶在京都議定書失效前簽訂新合約。在2009年哥本哈根會議,各國吵吵鬧鬧,只達成沒有法律約束力的協議,會後,歐美考慮對商品課徵碳稅、碳關稅,這意味著未來消費所有商品,都要多付二氧化碳的費用,企業若沒有擁有減少二氧化碳的科技技術,將很難在國際市場上生存。 碳稅、碳關稅將大幅改變我們的生活,我們勢必要關注20
10年底的墨西哥會議,歐美國家與開發中國家將再次對決:「京都議定書」留或不留?美國、歐盟會使出什麼狠招?開發中國家又會如何接招?這場關鍵會議,將決定你我的未來。 碳稅 / 碳關稅 新的經濟名詞,攸關你我的口袋裡的錢 碳稅:又稱能源稅,根據化石燃料燃燒後排放碳量的多寡,推算出化石燃料的生產、分配或使用來徵收的稅。 碳關稅:指對高耗能的產品進口徵收特別的二氧化碳排放關稅 郎咸平舉瑪丹娜與周迅的例子說明碳關稅的影響,以瑪丹娜最新全球巡迴演唱會帶來1,635噸二氧化碳排放,如果徵收碳關稅一噸30美元的話,演唱會要繳49,050美元的碳關稅。周迅為了抵銷去年飛行149,483公里產生的碳
排放19.5噸,要花6,000元人民幣買238棵樹來彌補碳排放,未來只要排出二氧化碳,就要被課稅。 作者簡介 勾紅洋 四川鹽亭縣人,現為深圳市鴻榮源房地產開發有限公司首席市場分析師、經濟師。長期浸淫總體經濟,為中國第一位運用馬克思主義經濟學對中國GDP核算體系進行過系統修正的專家,該論點對於全面反映社會經濟運行情況有很大的助益。其論述和文章經常刊登於《深圳特區報》、《深圳商報》、《21世紀經濟報道》等媒體,頗受業界敬仰。 鴻榮源集團曾經榮獲「2007年廣東省企業百強」、 「2007年中國最具競爭力房企」、「2007年中國房地產企業綜合實力前50強」等美譽。是業界和社會公認為廣東地區最具
競爭力並發展潛力的企業之一。
以MTS-CVD高產率製備β-SiC薄膜之動力學探討
為了解決碳化矽製程 的問題,作者李柏陞 這樣論述:
摘要 IAbstract II誌謝 III圖目錄 VII表目錄 XIII第一章 緒論 11.1 前言 11.2 研究動機與目的 4第二章 文獻回顧 52.1 碳化矽材料特性 52.1.1 碳化矽結構 62.1.2 寬能隙與高崩潰電場 92.1.3 熱傳導率 122.1.4 電子飽和速度 132.2 碳化矽的製備方法 152.2.1 碳化矽長晶方法 152.2.2 碳化矽原料的傳統製備方法 192.3 以化學氣相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)製備碳化矽
212.3.1 SiC-CVD法 212.3.2 使用含氯矽烷作為矽源氣體之碳化矽製程 232.3.3 以甲基三氯矽烷為先驅物的SiC-CVD 25第三章 實驗方法與步驟 293.1 實驗裝置與步驟 293.1.1 實驗設備 293.1.2 實驗步驟 323.2 實驗藥品與氣體 363.3 分析儀器 383.3.1 多角度全光譜橢圓偏振技術(Variable Angle Spectroscopic Ellipsometry, VASE) 383.3.2 高解析度場發射掃描式電子顯微鏡(Field Emission Scannin
g Electron Microscope, FESEM) 393.3.3 X射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS) 403.3.4 多功能高功率X光繞射儀(Multi Function High Power X-Ray Diffractometer) 41第四章 結果與討論 424.1 利用MTS-化學氣相沉積(CVD)系統成長碳化矽薄膜 424.1.1 CVD法製備碳化矽薄膜 424.1.2不同沉積溫度和滯留時間下碳化矽長膜的XPS分析 474.1.3不同沉積溫度和滯留時間下碳化矽長膜的XRD
分析 564.2 改變反應器管徑大小下的碳化矽CVD長膜動力學模擬與探討 61第五章 結論 75第六章 參考文獻 76
碳化矽製程的網路口碑排行榜
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#1.碳化矽的特性| 達陣科技股份有限公司
20多年來為半導體製程、LED製程、TFT / LCD製程、太陽能晶片製程、機械傳統產業、 ... SiC. 碳化矽它具有硬度僅次於金剛石和碳化硼,具有高耐磨性,因此用於滑動部件( ... 於 www.touchdown.com.tw -
#2.第三代半導體明日之星—碳化矽功率元件近況與展望
基於以上因素,碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)半導體材料在近十年 ... 最關鍵的製程是閘極氧化,要有適當的SiO2/SiC介面鈍化,以提高載子移動 ... 於 www.edntaiwan.com -
#3.【碳化矽新兵報到1】力拚碳化矽商機台灣功率IC設計新創頻頻 ...
相比在矽製程的投入上,台灣的IC設計業者可說是數不勝數,而碳化矽IC設計卻少之又少。鄭凱安分析,主因在於晶圓大多掌握在Wolfspeed手中,台灣取得晶 ... 於 www.mirrormedia.mg -
#4.碳化矽裂片技術淺談與其產業應用 - 機械工業網
其中,以目前正蓬勃發展的第三代半導體材料碳化矽(Silicon Carbide, SiC)為 ... 晶圓尺寸越大越棘手,SiC晶錠切割為晶圓的過程即唯一重要的製程技術, ... 於 www.automan.tw -
#5.北美智權報第106期:氮化鎵晶背面蝕刻碳化矽的技術發展
本文闡述如何在碳化矽晶圓背面蝕刻出85μm直徑、100μm深孔的製程技術。 氮化鎵(GaN)的高崩潰電壓和高電子遷移率使其成為高功率元件應用上極具吸引力 ... 於 www.naipo.com -
#6.全球晶片荒! 中山大學獨創長晶技術助攻產業升級
汽車製造業所需的第三代半導體材料「碳化矽(SiC)」製作難度高,導致供不應求。國立中山大學晶體研究中心創全國大專校院之先,目前正自行研發晶體生長設備及相關技術, ... 於 news.nsysu.edu.tw -
#7.第三類半導體,SiC(碳化矽),GaN(氮化鎵)
以設計來說,如Intel的電腦處理器,或是聯發科的手機處理器都是以矽來設計。至於在製造方面,台積電的矽製造是目前最先進的,可以達3奈米。以目前矽製程來 ... 於 makssin.blogspot.com -
#8.理財周刊 第1147期 2022/08/19 - 第 27 頁 - Google 圖書結果
... 中國本土化也無需向台灣 IP 廠購買相關 IP 來將無法升級先進製程,未來單, ... 年內碳化矽磊晶片產能可增加七~五千萬美元進行擴產,預計二~三片月產能約六百片, ... 於 books.google.com.tw -
#9.半導體材料升級經部40億重押碳化矽 - 自由財經
為電動車、綠能所需晶片奠基掌握下世代半導體先〔記者黃佩君/台北報導〕矽晶圓先進製程逼近一奈米以下,半導體產業要維持後摩爾時代優勢,除了製程 ... 於 ec.ltn.com.tw -
#10.第三代半導體的明日之星-SiC碳化矽- 漢民科技
漢民SiC製程研發成果及挑戰. 漢民科技為了發展第三代半導體,成立SiC部門專責研發SiC技術,自行設計長晶爐(6''SiC Furnace),經過2000℃-2500℃的長時間長晶(SiC Boule) ... 於 www.hermes.com.tw -
#11.矽島的危與機 : 半導體與地緣政治 - Google 圖書結果
值得注意的是,電動車的相關領域除了在產能與製程技術上握有絕對領先優勢的台積電, ... 乃使包括碳化矽( SiC )及氮化鎵( GaN )等第三類半導體產業的發展方興未艾, ... 於 books.google.com.tw -
#12.半導體製程設備技術 - 第 178 頁 - Google 圖書結果
即時監控系統(In-situ Monitor):常用於MOCVD製程的即時監測系統,如圖3.47所示, ... 由於加熱板表面為黑色的碳化矽 材質,且950nm的輻射光源可直接穿透藍寶石基板與氮化 ... 於 books.google.com.tw -
#13.109 學年度大四工工專題摘要
第9 組新一代原料(碳化矽)半導體製程之自動化非破壞性缺陷檢測. 指導教授桑慧敏教授. 學生. 106034003. 廖宇凡. 106034065. 張騰午. 106195029. 於 ieem.site.nthu.edu.tw -
#14.美中科技戰打的「熱火朝天」到底誰獲益?(圖) -半導體 - 看中国
據《日經亞洲》的報導,昭和主要生產功率半導體所需的碳化矽(SiC)晶體及晶圓基板。儘管由碳化矽所製的晶片成本是傳統矽晶片的2倍多,但可以更加有效 ... 於 www.secretchina.com -
#15.化合物半導體究竟有多夯? |碳化矽粉體與合成技術(8/19開課 ...
材料國際學院即將召開兩門課程-碳化矽粉體與合成技術(8/19開課)、碳化矽晶圓製程(9/16開課),邀請化合物半導體粉材料/製程/設備/元件/應用(綠能電子、車用電子)及學研 ... 於 ord.nkust.edu.tw -
#16.第三代半導體產業動態解析:SiC晶圓供應成IDM業者競爭關鍵
宏觀來說,功率元件的種類除了傳統矽製程的MOSFET與IGBT外,同時也包含了SiC與GaN,應用範圍主要分為基礎建設所需要的大型變電所或是廠房的AC/DC電力 ... 於 www.digitimes.com.tw -
#17.應用材料公司新技術助力一流碳化矽晶片製造商加速升級至200 ...
但SiC材料的密度和硬度同時也會面臨以下極大的製程挑戰:摻質的注入、準確置放和啟動,以及最大限度減少對晶格的破壞,以避免降低效能和功率效率。應用 ... 於 www.appliedmaterials.com -
#18.碳化矽- 搜尋- 旺得富理財網
意法半導體新推出的五款碳化矽MOSFET功率模組為汽車產業提供彈性選擇,其涵蓋多種 ... 長晶時間長,再加上碳化矽材質又硬又脆,導致其切割、研磨難度都相對較高,製程 ... 於 wantrich.chinatimes.com -
#19.碳化矽- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia
碳化矽 (英語:silicon carbide,carborundum),化學式SiC,俗稱金剛砂,寶石名稱鑽髓,為矽與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化矽在大自然以莫桑石這種稀有的礦物的 ... 於 zh.wikipedia.org -
#20.穩懋半導體完成「新世代通訊用之半絕緣碳化矽(SI-SiC) 晶圓及 ...
穩懋半導體完成「新世代通訊用之半絕緣碳化矽(S.I.-SiC) 晶圓及氮化鎵(GaN)元件 ... 之電晶體元件、場效電板設計及空橋式內連線前段元件製程技術開發,以及碳化矽基板 ... 於 www.winfoundry.com -
#21.【2022】碳化矽概念股有哪些股票?14檔你一定要關注的推薦 ...
碳化矽 與氮化鎵同樣作為半導體產業的第三代材料,具備耐高溫高壓、高電流密度、低耗電的特性,半導體材料的應用發展的也間接帶動了碳化矽概念股的上漲 ... 於 augustime.com -
#22.碳化矽PVT製程 - Strikingly
碳化矽 PVT製程. 一、 碳化矽晶圓材料的優勢. 相較於傳統的矽半導體材料,碳化矽(Silicon Carbide, SiC)材料作為寬能隙(Wide Band Gap)半導體的代表材料之一,具備數個 ... 於 fidertech-tech.mystrikingly.com -
#23.CVD碳化矽、陶瓷製品及石墨 - 冠緯科技股份有限公司.
半導體製程中石英、矽、燒結碳化矽、CVD碳化矽、陶瓷及石墨材質的產品應用甚廣。在這些材質加工及製造成為成品的過程是複雜且有許多必須注意的事情,例如說原材料的 ... 於 www.grandwaywonice.com.tw -
#24.碳化矽(SiC)晶圓 - 頎邦
碳化矽 是由矽(Si)與碳(C)組成的化合物半導體材料,比起傳統的矽材料有著以下優勢:更寬的能 ... 製程技術: 晶圓凸塊(bumping)、晶圓測試(chip probing)、晶圓 ... 於 www.chipbond.com.tw -
#25.【關鍵報告】電動車組成關鍵!白話詳解第三代半導體材料碳化 ...
究其根本,主要因SiC 基板和磊晶的製程困難。根據統計,SiC MOSFET 成本結構中,基板就佔了50%,其餘則為磊晶25%、元件製造20%、 ... 於 blog.fugle.tw -
#26.TWI500806B - 碳化矽薄膜的製造方法 - Google Patents
碳化矽 有許多不同種類的製備方法,現有主要的製備方式是以化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)在基板上沉積碳化矽薄膜,製程方式例如有爐管(furnace)、熱鎢 ... 於 patents.google.com -
#27.SiC與GaN競逐關鍵材料寶座
於是,以碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)為中心的第三代「寬能 ... 在高頻率元件,但在高壓高功率部分則不如SiC,過去化合物半導體最為矽製程半導體廠商 ... 於 www.pressplay.cc -
#28.漲價能力與降價去庫存的選股觀察邏輯。|錢進大趨勢陳智霖
... 同時採用先進製程及先進封裝,世芯-KY手中數個NRE專案採用製程已進入5奈 ... 中國面對美國新禁令,反而擴大在氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)第三代 ... 於 www.wearn.com -
#29.單晶碳化矽在微電子及微感測元件之應用
因. 此在對碳化矽氧化層的蝕刻上可使用和蝕刻矽氧化. 層一樣的製程。 2. 離子摻雜. 因為在溫度1800 °C 以下,所摻雜之原子在碳. 於 www.tiri.narl.org.tw -
#30.財經趨勢4.0|鎖喉戰升級!美日荷圍堵中國半導體!蘋果營收 ...
... 協議內容已經有新進展,其中不限於先進 製程 的曝光機,這對中國半導體來說無疑是一大重擊。 ... 鴻海攻8吋 碳化矽 晶體鴻揚9月生產電動車功率元件. 於 www.ntdtv.com.tw -
#31.【直播】電動車組成關鍵--第三代半導體材料碳化矽 - YouTube
具有低耗能、高功率的半導體材料「 碳化矽 」成為最佳首選!2022開春第一場,我們就要帶您了解:如何透過雷射輔助,進行 碳化矽 晶圓快速拋光! 於 www.youtube.com -
#32.碳化矽晶圓複合加工技術
但其. 材料堅硬(達莫氏硬度9.25~9.5)加工耗時成為產能上之瓶頸,導致成本居高不下。本研究以大氣電. 漿改質軟化輔助拋光之技術,結合化學機械拋光製程,整合開發創新碳化矽 ... 於 www.itri.org.tw -
#33.次世代半導體晶圓材料複合加工技術 - 機械資訊
ITRI團隊掌握硬脆材料研磨拋光關鍵製. 程及大氣電漿源製作關鍵技術,藉由SiC複合. 加工開發的製程合作,可望帶領台灣碳化矽製. 程設備業者切入國際次世代 ... 於 www.tami-ebook.com.tw -
#34.《DJ在線》碳化矽晶體生長難業者從長晶爐著手打造- 台視財經
... 中的大魔王,而業者也從最上游長晶爐打造來開始著手優化生產製程,國內包括 ... 國內碳化矽材料的發展,關鍵段即為長晶製造,也連帶可供應的基板 ... 於 www.ttv.com.tw -
#35.【圖解】第3類半導體晶片怎麼做?基板難在哪?一次看懂生產 ...
要生產出碳化矽(SiC)單晶(monocrystal或single crystal)基板,須從長晶(生長碳化矽單晶)做起,作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐,在高溫且密閉的空間使 ... 於 tw.tech.yahoo.com -
#36.HHRI/讓缺陷無所遁形– 碳化矽元件的缺陷檢測技術 - 思想坦克
碳化矽 元件的主要生產成本來自基板與後續的磊晶製程,從基板到磊晶的過程中有一道製程是buffer layer,它是控制缺陷密度的重要關鍵。透過非破壞性的檢測 ... 於 voicettank.org -
#37.科技部補助產學合作研究計畫成果精簡進度報告
作為製作碳化矽晶圓的長晶製程所需的關鍵原料。而碳化矽晶圓牽涉的產業甚廣,以目前. 碳化矽材料用途最多的市場為高功率元件,其應用為車用、通訊及航空等等……,目前市. 於 ir.lib.ncku.edu.tw -
#38.化合物半導體市場夯,漢民科技從材料、基板、關鍵製程設備 ...
綠能、電動車、5G AIoT應用、智慧醫療與航太等產業的蓬勃發展,將拉升市場對碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)等化合物半導體的需求,當Tesla將碳化矽逆變器 ... 於 www.cw.com.tw -
#39.安森美併購GTAT取得碳化矽長晶技術 - 方格子
然後再將晶球經切片、研磨等流程後製成基板(Substrate),最後在基板上長程磊晶(EPI)。晶圓代工廠再以碳化矽磊晶製程IC,後切割封裝交給模組廠製成不同的 ... 於 vocus.cc -
#40.次世代半导体晶圆材料复合加工技术 - TAMI
但其材料坚硬(达莫氏硬度9.25~9.5)加工耗时成为产能上之瓶颈,导致成本居高不下。本研究以大气电浆改质软化辅助抛光之技术,结合化学机械抛光制程,整合开发创新碳化矽晶圆 ... 於 www.tami.org.tw -
#41.〈觀察〉碳化矽8吋成本效益表現不佳3年內難普及 - 鉅亨網
整體而言,徐建華認為,基板供給、成本目前仍是市場關鍵,目前基板占SiC 晶片製造成本達4-5 成,主因基板製程中大量長晶具有一定難度,IDM 業者已開始投資 ... 於 news.cnyes.com -
#42.案號: 91100135
體裝置之材料之矽(Si)晶圓裝載於SiC(碳化矽)製等之縱 ... 倍之問題又因為設計規定微細化故於半導體製程 ... 1100 ℃以上,故於此種半導體裝置製程中使用SiC非常不. 於 patentimages.storage.googleapis.com -
#43.第三代半導體市場加速發酵穩懋、宏捷科、全新...砷化鎵台廠誰 ...
國際碳化矽(SiC)基板大廠即將大舉擴廠,且將是以8吋廠為主, ... 第三代半導體製程與我們一般熟知的矽半導體一樣,製程從長晶製成基板、磊晶、晶圓代 ... 於 www.wealth.com.tw -
#44.5G 時代熱門半導體:碳化矽、氮化鎵有什麼差別? - 報橘
由於 SiC、GaN 的耐受電壓與輸出功率不同,因此它們能在不同的場域下發揮 ... GaN 元件的狀況則正好相反,GaN 元件最棘手的地方在於,蝕刻製程不能對 ... 於 buzzorange.com -
#45.提升電動車續航4%的第三代半導體- SiC碳化矽產業介紹
第三代半導體材料碳化矽(SiC)較傳統矽(Si)晶片減少50%電能轉換損耗、 ... 年自建SiC生產線,建立包含晶片設計、晶圓製程完整能力,比亞迪在SiC ... 於 www.meiguinfo.com -
#46.BASiC l 基本半导体---碳化硅功率器件领军品牌
提供各種電流電壓等級的碳化矽肖特基二極體和平面製程碳化矽MOSFET,. 產品可應用於標準環境及高溫環境,各項性能指標達到國際領先水準。 於 www.basicsemi.com -
#47.「碳化矽」找工作職缺-2023年2月 - 104人力銀行
2023/2/5-33 個工作機會|碳化矽(SiC)長晶製程工程師【穩晟材料科技股份有限公司】、測試驗證工程師(EE)_電動車碳化矽功率模組(SiC Power Module)(中壢)【台達電子 ... 於 www.104.com.tw -
#48.為專業碳化矽(SiC)技術、材料供應商,在業界耕耘多年,熟稔 ...
穩晟材料科技為專業碳化矽(SiC)技術、材料供應商,在業界耕耘多年,熟稔各式半導體及單晶晶體生長技術,以及領先業界之晶圓加工製程技術。公司設立起,我司即關注碳化 ... 於 www.win-sheng.com -
#49.火熱的第三代半導體碳化矽(SiC),到底火在那裡? - Andy Lin
半導體界的突破; 技術困難度. 原料提煉的困難; 目前主流的製程. 成本. 原料的成本; 開發的費用. 碳化矽的特性和應用領域. 碳化矽的特性; 應用領域. 於 www.granitefirm.com -
#50.盛新材料科技
盛新材料是專門生產第3代半導體上游碳化矽晶錠及基板的製造商,成立於2020年6月。 自主開發從自製晶種、原料,到製程中的掌握晶態穩定、缺陷修補與電 ... 於 www.taisicmaterials.com -
#51.再生碳化矽晶圓 - 崇越科技
不論拋光、磊晶、半導體製程不良之碳化矽晶圓,皆可藉由再生製程將表面缺陷及元件移除,回復至可重新磊晶品質。 產品說明 產品聯絡人. 產品說明. 於 www.topco-global.com -
#52.突破技術/成本挑戰英飛凌:碳化矽發展正是時候 - 新通訊
碳化矽 (SiC)電晶體本身具備更高效率、功率密度、更精巧的尺寸和更低的系統 ... 但是,隨著製程的優化與溝槽技術的導入,英飛凌(Infineon)認為碳化矽 ... 於 www.2cm.com.tw -
#53.4H型碳化矽溝槽式閘極金氧半場效功率電晶體之關鍵製程研究
局部氧化技術在矽基半導體製程上已相當成熟甚至已被部份取代,然而在碳化矽製程上卻少有進展,其主要原因在於碳化矽的氧化速率限制。但吾人已證實,若經由一道預非晶化 ... 於 ir.nctu.edu.tw -
#54.碳化矽發展長晶為關鍵,台廠需加快腳步 - 科技新報
目前全球碳化矽由美日廠商寡占,其中的關鍵因素之一為美日廠掌握基板料源,而基板的生產中,又以長晶難度最高,以傳統的矽材來說,通常費時約3-4天即可以 ... 於 technews.tw -
#55.第三代半導體-碳化矽功率半導體元件的崛起-工程技術
李教授的團隊克服碳化矽材料的缺點,也克服了4吋機臺在製程上的限制,成功地開發出1200 V碳化矽超接面金氧半場效電晶體。李教授的團隊也經過多次精密的 ... 於 trh.gase.most.ntnu.edu.tw -
#56.碳化矽(SiC)長晶與晶圓薄化設備的技術發展趨勢 - IEK產業情報網
Technical development trend of SiC crystal growth and wafer thinning equipment ... 圖7、SiC晶圓離子佈植切割法製程; 圖8、Lapping/Grinding製程的加工機制比較 ... 於 ieknet.iek.org.tw -
#57.循環矽材–碳化矽之開發 - 材料世界網
... 以廢棄矽晶切削邊角料作為原料,透過純化回收製程後,再製成碳化矽原料, ... 並給予循環矽材之碳化矽的應用方向建議,期望在國家政策的支持下, ... 於 www.materialsnet.com.tw -
#58.化合物半導體究竟有多夯? 循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新 ...
材料國際學院辦理「循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座」,9月16日(星期五)正式開課,邀請無機粉體材料與製程之上中下游廠商及研究單位共同參與, ... 於 www.mse.ntu.edu.tw -
#59.以液相磊晶法製備單晶碳化矽的製程開發及生長機制的研究
有鑑於工業界缺乏可用的SiC 單晶基材,本研究欲首次使用液相生長法,加快SiC 磊晶的生長速度及降低其晶格的缺陷密度,製備SiC 單晶。液相的原子距離接近固體, ... 於 ndltd.ncl.edu.tw -
#60.碳化矽擋片| 凱樂士股份有限公司- Kallex
在長氧化矽薄膜或擴散製程中,碳化矽擋片常被置放於矽晶圓前端以保護後面的矽晶圓. 碳化矽擋片產品需求特性. 1.耐高溫氣體侵蝕. 2.化學安定性佳. 於 www.kallex.com.tw -
#61.行政院原子能委員會委託研究計畫研究報告
因2 吋碳化矽基板價格昂貴,在做完磊晶製程及前段元件製程. 之後單片價格比起矽製程的片子會高出許多,所以我們將2 吋晶片. 切成4 小片做實驗,原本想切成9 片甚至12 片以 ... 於 www.aec.gov.tw -
#62.獨家研發創新技術—創造精益求精的電感元件品質 - 千如電機
低溫燒結多孔陶瓷製程技術. 低溫燒結之多孔性碳化矽(SIC)散熱器,此散熱片除具有多孔性結構增加散熱表面積、 且另有絕緣、質輕、防EMI干擾特性,與傳統金屬散熱器相較 ... 於 www.atec-group.com -
#63.鴻海攻碳化矽基板降成本握電動車功率元件核心技術 - 四季線上
鴻海搶攻第三代半導體碳化矽(SiC)晶圓製造後,再布局關鍵基板製造技術。基板與磊晶占碳化矽成本超過7成,更攸關電動車功率元件性能優劣, ... 於 www.4gtv.tv -
#64.第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析 - 電子工程專輯
碳化矽 (SiC)功率電子是加速電動車時代到來的主要動能。以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT,不僅能使切換損失降低80%以上,大幅縮減電力移轉時的能源損耗, ... 於 www.eettaiwan.com -
#65.中美晶攜手宏捷科,串聯第三代半導體材料
受惠於5G基礎建設及電動車需求,第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC), ... 在半導體材料領域,中美晶持有台特化股權約30%,專供半導體製程用特殊氣體。 於 investanchors.com -
#66.晶盛8吋碳化矽晶體出爐台廠急起直追 - 工商時報
產業人士分析,碳化矽基板製造關鍵難度在於長晶,高硬度、高脆性、低斷裂韌性的碳化矽晶圓,製造技術門檻高,包括對氣流、高溫製程等控制,其中長晶爐是攸 ... 於 ctee.com.tw -
#67.8吋碳化矽晶圓變主流!第三類半導體起飛 - LINE TODAY
第三,由於材料的進步,將會加快晶圓代工廠對於8吋碳化矽、氮化鎵(GaN)的製程開發。 今年11月底,世界先進就已發布8吋0.35微米650V的新基底高電壓氮化鎵 ... 於 today.line.me -
#68.第三代半導體材料單晶碳化矽磨拋加工製程技術 - 機械新刊
摘要". 本研究提出一種機械拋光與化學機械拋光的創新方法,探討單晶碳化矽(SiC)晶片材料移除率和表面粗糙度。在機械拋光方面,使用自製改質鑽石與自製 ... 於 www.phdbooks.com.tw -
#69.晶圓製程流程及半導體的種類與製程是我們園區重要的生產力 ...
其中材料加工製造,是指從矽晶石原料提煉矽多晶體(polycrystalline silicon)直到晶圓(wafer)產出,此為半導體之上游工業。此類矽晶片再經過研磨加工及多次 ... 於 m.xuite.net -
#70.110學年度暑期碳化矽製程技術課程綱要 - NYCU Timetable
110學年度暑期 碳化矽製程技術 課程綱要 · 先修科目或先備能力:. 建議已修畢或同時選修半導體元件物理或類似課程一學期,有助於吸收課程內容 · 課程概述與目標: · 教科書( ... 於 timetable.nycu.edu.tw -
#71.陶瓷耐熱溫度
依照特性及制程的不同,精密陶瓷材料可分為氧化鋁、氧化鋯、氮化矽、氮化鋁、氮化硼及碳化矽這六大類: 車禍調解委員會 1、 碳化矽:. 於 finestore.ch -
#72.SiC 第三類半導體晶圓材料快速薄化 - 未來科技館
在電化學製程中選擇性移除碳化矽結構中矽原子,留下碳原子骨架,大幅弱化基板強度。經XRD和晶格間距檢測確定,研拋液中懸浮粒為氟化石墨烯(GF),具有高度回收價值。 於 www.futuretech.org.tw -
#73.意法/Soitec攜手開發SiC基板製造技術 - 新電子雜誌
碳化矽 是一種顛覆性的化合物半導體材料,在電動汽車及工業製程領域的高成長功率應用中,碳化矽材料之固有性質使碳化矽元件的性能及效能優於矽基半導體。 於 www.mem.com.tw -
#74.循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座(9/16-9/30)
材料國際學院辦理「循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座」,9月16日(星期五)正式開課,邀請無機粉體材料與製程之上中下游廠商及研究單位共同參與, ... 於 energy-resource-match.utrust.com.tw -
#75.台灣高品質碳化矽製品製造商| 申玥科技股份有限公司
SIC 加工. 申玥科技所代理的SIC陶瓷產品,具有高耐磨性、高硬度、耐強酸強鹼、且因其為高溫燒結而成,可耐溫度達1300~1500度,表面可做鏡面拋光處理,使化學製程中表面 ... 於 www.sy-tech.com.tw -
#76.經濟部「循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新」講座 - 青年資源讚
材料國際學院辦理「循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座」,9月16日正式開課,以產業需求為題進行課程規劃,邀請碳化矽晶圓材料與製程之上中下游廠商及研究單位共同 ... 於 youthfirst.yda.gov.tw -
#77.中國廠商8吋碳化矽晶體出爐台廠急起直追拚長晶 - 民視新聞網
產業人士分析,碳化矽基板製造關鍵難度在於長晶,高硬度、高脆性、低斷裂韌性的碳化矽晶圓,製造技術門檻高,包括對氣流、高溫製程等控制,其中長晶爐是攸 ... 於 www.ftvnews.com.tw -
#78.2022循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座筑波科技獲邀分享 ...
2022循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座筑波科技獲邀分享WBG半導體材料測試挑戰與方案. 台灣產經新聞網/筑波科技股份有限公司. 2022.09.23 00:00. 於 n.yam.com -
#79.應用材料公司新技術助力一流碳化矽晶片製造商
但SiC 材料的密度和硬度同時也會面臨. 以下極大的製程挑戰:摻質的注入、準確置放和啟動,以及最大限度減少對晶格的破壞,以避免. 降低效能和功率效率。應用材料公司150 ... 於 www.semicontaiwan.org -
#80.第三代半導體材料趨勢及展望 - Tainergy
SiC GaN. 能隙. Bandgap. eV. 1.12 3.26 3.39. 電子遷移率. Electron Mobility ... 碳化矽上下游產業鏈. 原料. 單晶. 生長. 切磨拋. 磊晶. 晶片. 製程. 於 www.tainergy.com.tw -
#81.CTIMES- 看準SiC低耗能、高效率羅姆將其用於賽車逆變器
隨近年電動車及綠色能源的發展都逐漸崛起,低耗能、高效率及小型化都成了趨勢,但傳統Si製程元件卻因受限其物理特性影響,難於其結構及構造做改善;羅姆 ... 於 www.ctimes.com.tw -
#82.經濟部公告
針對國內在化合物半導體上游產業「碳化矽晶圓生產線」及. 中游「磊晶與晶片製造」具設備整機開發能力之業者,提供設備. 研發或改造、擴晶製程、晶圓加工、品質驗證及 ... 於 www.moeaidb.gov.tw -
#83.碳化矽磊晶 - 政府研究資訊系統GRB
關鍵字:碳化矽(SiC)厚膜石墨盤;發光二極體磊晶製程;熱壁式化學氣相沉積法;有機 ... 利用HIPIMS製備以碳化矽為主之鍍膜,利用N或O的添加改善碳化矽鍍膜製程匹配性, ... 於 www.grb.gov.tw -
#84.中國廠商8吋碳化矽晶體出爐台廠急起直追拚長晶 - 聯合報
產業人士分析,碳化矽基板製造關鍵難度在於長晶,高硬度、高脆性、低斷裂韌性的碳化矽晶圓,製造技術門檻高,包括對氣流、高溫製程等控制,其中長晶爐是攸 ... 於 udn.com -
#85.第三代半導體商機發光,台廠奮起摘星-焦點專題-MoneyDJ理財網
等趨勢加速展開,碳化矽(SiC)材料及氮化鎵(GaN)因具備更高效節能、更高功率 ... 第一代半導體材料包括鍺以及矽,也是目前最大宗的半導體材料,成本相對便宜,製程 ... 於 www.moneydj.com -
#86.得碳化矽基板者得天下 - 台灣好新聞
碳化矽 晶圓不是有錢買設備就可以製作,需要特殊技術來源,經由無數次試誤取得生產參數,才能做出品質好的基板,碳化矽需要七天時間才能長出二至五公分的晶 ... 於 www.taiwanhot.net -
#87.「我想在3、5年後換車,不是特斯拉就是保時捷...」車用半導體 ...
矽適用的上限是220度,所以會使用耐高溫的氮化鎵和碳化矽等,這種材質的能 ... 負責封裝製程的半導體公司艾克爾國際科技(Amkor Technology)裡,統整 ... 於 www.businesstoday.com.tw -
#88.5G功率元件用碳化矽基板簡介
這是最主流的製程方式。 2.高溫化學氣象沉積法(HTCVD):把高純度的氣相矽源與碳源,通入高溫爐中進行反應,再將反應物帶入低溫區,再沿著碳化矽單晶 ... 於 auroraapp.com.tw -
#89.化合物半導體材料 - 磊拓科技股份有限公司
... 頻率等優越材料特性,逐漸受到矚目,最具代表性的WBG材料為碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN),在電力電子以及5G高頻等應用上具有提高能源利用效率,降低轉換耗損的優勢。 於 www.latentek.com.tw -
#90.安森美併購GTAT取得碳化矽長晶技術| BGo Biz INSIGHTS
晶圓代工廠再以碳化矽磊晶製程IC,後切割封裝交給模組廠製成不同的碳化矽原件模組。 我們將碳化矽的生產流程與對應的廠商整理在下表,可以看到這是一個上游寡占,下游 ... 於 www.bgo.business -
#91.SiC半導體的特徵: 何謂sic功率元件? | 電子小百科 - ROHM
1. SiC材料的物性與特徵. SiC(碳化矽)係由矽(Si)與碳©所組成之化合物半導體材料。 絕緣破壞電場強度為Si ... 於 www.rohm.com.tw -
#92.最新消息- 經濟部技術處
碳化矽 (SiC)晶圓為第三代半導體關鍵材料,面臨全球能源的嚴峻挑戰,支撐 ... 產業鏈上、下游,可望拉抬晶體周邊產業,如設備、製程、加工及材料等,並 ... 於 www.moea.gov.tw -
#93.第3類半導體晶片怎麼做?基板難在哪?圖解生產流程 - 數位時代
要生產出碳化矽(SiC)單晶(monocrystal或single crystal)基板,須從長晶(生長碳化矽單晶)做起,作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐,在高溫且密閉的空間使 ... 於 www.bnext.com.tw -
#94.漢磊進軍8吋碳化矽製程釋缺徵才 - 1111人力銀行
漢磊科技6吋碳化矽產能滿載,將進軍8吋碳化矽製程。圖:取自123RF. 於 www.1111.com.tw -
#95.碳化矽粉體與合成技術(8/19開課) - 南科網路學習平台
材料國際學院即將召開兩門課程-碳化矽粉體與合成技術(8/19開課)、碳化矽晶圓製程(9/16開課),邀請化合物半導體粉材料/製程/設備/元件/應用(綠能電子、 ... 於 stspaic.org.tw