碳化矽製程的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

碳化矽製程的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦郭向云寫的 高比表面積碳化硅 和勾紅洋的 低碳陰謀:一場大國發起假環保之名的新經濟戰爭都 可以從中找到所需的評價。

另外網站【碳化矽新兵報到1】力拚碳化矽商機台灣功率IC設計新創頻頻 ...也說明:相比在矽製程的投入上,台灣的IC設計業者可說是數不勝數,而碳化矽IC設計卻少之又少。鄭凱安分析,主因在於晶圓大多掌握在Wolfspeed手中,台灣取得晶 ...

這兩本書分別來自化學工業 和高寶所出版 。

國立陽明交通大學 電子研究所 柯明道所指導 李雨鑫的 應用於FlexRay的高壓雙向靜電放電防護設計與碳化矽製程的靜電放電特性調查 (2021),提出碳化矽製程關鍵因素是什麼,來自於靜電放電防護、FlexRay、雙向靜電放電防護、高壓、TLP、HBM、IEC61000-4-2、碳化矽。

而第二篇論文國立臺灣科技大學 化學工程系 洪儒生所指導 李柏陞的 以MTS-CVD高產率製備β-SiC薄膜之動力學探討 (2020),提出因為有 碳化矽、熱壁式化學氣相沉積法、甲基三氯矽烷、長膜動力的重點而找出了 碳化矽製程的解答。

最後網站碳化矽裂片技術淺談與其產業應用 - 機械工業網則補充:其中,以目前正蓬勃發展的第三代半導體材料碳化矽(Silicon Carbide, SiC)為 ... 晶圓尺寸越大越棘手,SiC晶錠切割為晶圓的過程即唯一重要的製程技術, ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了碳化矽製程,大家也想知道這些:

高比表面積碳化硅

為了解決碳化矽製程的問題,作者郭向云 這樣論述:

高比表面積碳化矽是最近十幾年來逐漸引起人們重視的一種新材料,具有堆積密度低(約0.2g/cm3)、比表面積大(>30m2/g)的特性,是一種性能優異的載體材料。   本書系統地介紹了高比表面積碳化矽的製備方法,以及高比表面積碳化矽作為載體材料在多相催化、光催化和電催化等領域應用的研究進展。為了讓讀者更全面地瞭解高比表面積碳化矽材料,對其在電磁波吸收領域的應用情況也作了一些簡單介紹。 本書適合從事多相催化、光催化和電催化研究的科研人員,以及高等院校相關專業的師生閱讀。 第1章碳化矽概述/001 1.1自然界的碳化矽/001 1.2碳化矽的人工合成/004 1.3碳化矽的結構

和命名/007 1.4碳化矽的性質和應用/007 1.4.1碳化矽在磨料和磨具領域中的應用/009 1.4.2碳化矽在耐火材料中的應用/010 1.4.3碳化矽在複合材料增強方面的應用/010 1.4.4碳化矽在電子材料領域的應用/010 1.4.5碳化矽在吸波材料中的應用/010 1.4.6碳化矽在生物醫學領域的應用/011 參考文獻/012 第2章高比表面積碳化矽的製備方法/014 2.1範本法/015 2.1.1碳範本法/015 2.1.2氧化矽範本法/021 2.2碳矽凝膠碳熱還原法/031 2.3化學氣相沉積法/034 2.4矽烷及聚碳矽烷熱解法/036 2.5溶劑熱還原法/037

2.6碳化矽複合型載體的製備方法/040 2.6.1碳化矽衍生碳/040 2.6.2分子篩/碳化矽複合物/040 參考文獻/042 第3章高比表面積碳化矽作為多相催化劑載體/048 3.1高溫催化反應/049 3.1.1甲烷重整制合成氣/049 3.1.2烷烴的氧化偶聯和脫氫反應/057 3.2強放熱反應/063 3.2.1費托合成/063 3.2.2甲烷催化燃燒/066 3.2.3甲烷化反應/069 3.2.4甲醇轉化/071 3.2.5其他放熱反應/072 3.3苛刻條件下的反應/073 3.3.1H2S的選擇性氧化/073 3.3.2合成氨/073 3.3.3硫酸分解反應/074 參

考文獻/075 第4章高比表面積碳化矽光催化應用/082 4.1碳化矽光催化的一般原理/083 4.2光催化分解水/085 4.2.1純碳化矽光解水/086 4.2.2金屬/碳化矽光解水/090 4.2.3石墨烯碳化矽複合物光解水/091 4.2.4半導體碳化矽複合物光解水/093 4.3光催化降解有機污染物/094 4.4光催化CO2還原/098 4.5光催化有機合成/100 參考文獻/113 第5章高比表面積碳化矽電催化應用/118 5.1電化學感測器/119 5.1.1氣體檢測/119 5.1.2溶液中離子的檢測/121 5.1.3有機污染物及生物分子的檢測/122 5.2燃料電池催

化劑/128 5.2.1氧氣還原催化劑/129 5.2.2甲醇氧化催化劑/131 5.3染料敏化太陽能電池/137 5.3.1碳化矽光陽極/138 5.3.2碳化矽對電極/139 5.4鋰離子電池材料/140 5.5超級電容器材料/145 參考文獻/148 第6章高比表面積碳化矽吸波材料/156 6.1材料吸收電磁波的機理/157 6.2SiC微粉的吸波性能/159 6.3納米SiC的吸波性能/161 6.4摻雜SiC的吸波性能/164 6.5SiC複合材料的吸波性能/166 參考文獻/168 碳化矽是一種常見的工業陶瓷材料,自1891年被霍華德·艾奇遜合成出來以後,在磨

料、磨具、耐高溫陶瓷以及微電子領域得到了廣泛的應用。目前,全世界碳化矽的年產量已超過200萬噸,都是採用改進的艾奇遜法生產出來的。這種方法以河沙、焦炭(或煤)等為原料,通過石墨電極加熱到2500℃以上,氧化矽和碳之間發生反應形成碳化矽。由於反應溫度高,得到的產品都是α-碳化矽,比表面積很低,一般不到1m2/g。碳化矽具有非常高的機械強度和化學穩定性,而且導電導熱性能良好。這些優良的性能,使得它有望成為一種新的催化劑載體材料。然而,碳化矽要想作為催化劑載體得到應用,它的比表面積就必須得到大幅度的提高。 早在20世紀90年代,國外一些學者就開展了碳化矽作為催化劑載體的研究,也發展出了一些製備高比

表面積碳化矽的方法。例如,法國斯特拉斯堡大學Loudex教授課題組發明的形狀記憶合成法就是一種有效的製備高比表面積碳化矽的方法,可製備比表面積大於30m2/g的β-碳化矽。國內也有不少學者注意到碳化矽作為催化劑載體的優越性。編著者課題組,從2000年開始研究高比表面積碳化矽的製備方法,發明了一種溶膠凝膠結合碳熱還原製備碳化矽的方法。 這種方法經過初步的工業放大試驗後,仍能製備出比表面積大於60m2/g的β-碳化矽。其後,課題組一直從事高比表面積碳化矽的研究工作,探索了這種材料作為催化劑載體在高溫、強放熱等反應中的應用,發現碳化矽作為載體不僅可改善催化劑的穩定性,而且催化劑的預處理條件也相對簡

單。最近幾年,人們發現碳化矽用於光催化和電催化時,也表現出了一些特殊的優勢。因此,有關碳化矽在熱催化、光催化以及電催化方面應用的文獻報導越來越多。 國內雖然已經有一些關於碳化矽的著作,但都是把碳化矽作為一種高性能陶瓷材料或者微電子材料來介紹的。據編著者所知,國內目前還沒有關於高比表面積碳化矽製備以及高比表面積碳化矽在催化中應用的書籍。因此,我們感到有責任將分散在浩如煙海的科學文獻中關於碳化矽的工作,進行系統整理和綜合分析,編成一書,以利于我國研究人員在進入這一領域時能迅速對本領域有一個比較全面的瞭解。 本書在成書過程中得到了作者前工作單位(中國科學院山西煤炭化學研究所)課題組同事和學生的大

力協助。靳國強、王英勇、郭曉甯和童希立等同事,多年來一直在本課題組從事有關碳化矽的研究,在本書寫作過程中做了大量工作,不僅協助本人整理了相關章節的文獻,甚至還寫出了章節的初稿。本書中介紹的相當一部分工作都是本課題組完成的,這得益於曾經和仍然在課題組學習和工作的研究生們。如果沒有他們的辛勤努力,肯定不可能有這本書的問世。另外,在本書寫作過程中,經常需要查找一些文獻,也是請學生們幫忙找到的。在此,對他們一併表示感謝。 國家自然科學基金委員會十幾年來曾多次支持課題組開展關於高比表面積碳化矽的研究工作,山西省科技廳也以科技重大專項的形式支持高比表面積碳化矽產業化的研究,在此表示感謝。感謝江蘇省綠色催

化材料與技術重點實驗室資助本書出版。最後,我要感謝化學工業出版社的相關編輯,沒有他們的辛勤付出,本書的完成也是不可想像的。 高比表面積碳化矽雖然是一個比較小的研究領域,從眾多期刊中找出相關的文獻仍然並非易事,再加上編著者水準有限,疏漏之處在所難免,敬請專家和讀者批評指正。 郭向雲 2019年5月于常州大學

應用於FlexRay的高壓雙向靜電放電防護設計與碳化矽製程的靜電放電特性調查

為了解決碳化矽製程的問題,作者李雨鑫 這樣論述:

隨著車用電子的發展,車內的多種裝置皆發展成電子化控制,諸如線控煞車(brake-by-wire)、線控轉向(steer-by-wire),這些裝置對於訊號的速度、訊號的正確性相較於過去有更高的要求。FlexRay相較於過去LAN、CAN具有更高速,更高的安全性的車用通訊規範。FlexRay的應用電壓範圍為±60V,因此在系統線總(Bus)上需要雙向高壓的靜電放電(ESD)防護以防止內部電路因靜電放電損壞,並且在不影響系統的正常操作。因此本論文提出兩個符合FlexRay雙向高壓所需的ESD防護元件,其一是以兩個單向PNP (uni-directional PNP) 連接而成的雙向PNP (U2

BPNP),其二是一個單獨的對稱雙向PNP (BiPNP)。在U2BPNP中我們藉由量測其TLP Vt1和It2以比較各操作電壓單向PNP所組成的U2BPNP之間的差異。在BiPNP中我們改變各參雜層間的距離以達到±60V的應用電壓。此外並藉由改變元件的尺寸分析尺寸對TLP It2的關係。另外FlexRay的規範中也訂定其線總上BP和BM須分別通過HBM ±6kV及IEC61000-4-2 ±6kV。因此本文也列出了所提出的雙向PNP元件的HBM和IEC等級。另外藉由其TLP、HBM及IEC61000-4-2量測結果可以得知BiPNP相較於U2BPNP有更好的面積效率。此外根據量測結果得知本文

提出的元件具有HBM等級(V)為2~1.7kΩ倍的TLP It2(A),IEC等級(V)為0.6kΩ倍的TLP It2(A)的關係。在高壓應用中,寬能帶元件(wide bandgap device),如碳化矽(SiC),砷化鎵(GaAs),是下個世代很重要的高功率元件。在本論文中,我們也針對SiC的PN接面二極體 (PN junction diodes) 和金氧半場效電晶體(MOSFET) 的ESD特性進行量測,包含TLP及HBM。SiC的PN junction diode中我們發現HBM與元件尺寸沒有絕對的關係。在SiC的MOSFET的量測結果得知,PMOS具有比NMOS更高的ESD耐受度及

Vt1。值得注意的是SiC的NMOSFET相較於傳統Si製程的NMOSFET沒有回彈(snapback)的現象。

低碳陰謀:一場大國發起假環保之名的新經濟戰爭

為了解決碳化矽製程的問題,作者勾紅洋 這樣論述:

  ◎第三次世界大戰提早來臨,暗中的操盤手是美國和歐盟,以環保之名行經濟壓榨之實,要置中國、印度等開發中國家於死地。   ◎這絕對跟你有關係,因為食衣住行統統都跟「碳」脫離不了關係,這些以後可能全部都要收錢。甚至連你呼吸吐出的碳也不例外……   ◎中國本土經濟學家首次對歐美國家陰謀進行正面反擊。   ★資深媒體人陳文茜 推薦   ★政治大學經濟系教授暨中國情勢分析專家 林祖嘉 專業解析   這絕對是政治、經濟議題,而不是環保浩劫而已。  一場比金融海嘯還要惡毒的重頭戲正在醞釀,  真正的第三次世界大戰即將來臨,  看美國、歐盟如何挖深環保的窟窿,  封殺中國、印度等開發中國家的生存空間……

  一向對環保、氣候大會不太理會的美國,為何在哥本哈根氣候大會突然高調起來,像是一個正義使者的化身,要求中國和印度共同參與減碳協議。這單純只是為了後世子孫,減緩暖化危害的環保議題嗎?美國想要獲得什麼好處?   歐盟過去一直積極樹立二氧化碳減排的領導者,積極建立碳交易制度,設立碳交易場所,中間又有什麼油水可撈?   全球氣候談判是一場沒有煙硝的戰爭,但卻摻雜政治、道德、科技、經濟等多方因素,使得不同國家立場各異,遠比過去任何一次的國際爭端來得更加激烈和複雜,國際衝突一觸即發。   開發中國家反對立即承諾碳減排,因為它們正處於經濟發展階段,用碳需求持續增加,現在要求減碳,很可能限制經濟發展,永遠

停留在開發中國家之林,所以中國、印度、南非、巴西企圖讓「碳」陰謀浮上檯面,以捍衛自己在國際上的地位和權益。   值得一提的是,2012年京都議定書即將失效,如果在這之前各國政府不能對減緩氣候變遷的做法達成共識,未來連各國的排碳量都無法約束,氣候變化恐加劇。   為此,西方國家無不跳腳,希望能搶在京都議定書失效前簽訂新合約。在2009年哥本哈根會議,各國吵吵鬧鬧,只達成沒有法律約束力的協議,會後,歐美考慮對商品課徵碳稅、碳關稅,這意味著未來消費所有商品,都要多付二氧化碳的費用,企業若沒有擁有減少二氧化碳的科技技術,將很難在國際市場上生存。   碳稅、碳關稅將大幅改變我們的生活,我們勢必要關注20

10年底的墨西哥會議,歐美國家與開發中國家將再次對決:「京都議定書」留或不留?美國、歐盟會使出什麼狠招?開發中國家又會如何接招?這場關鍵會議,將決定你我的未來。 碳稅 / 碳關稅   新的經濟名詞,攸關你我的口袋裡的錢   碳稅:又稱能源稅,根據化石燃料燃燒後排放碳量的多寡,推算出化石燃料的生產、分配或使用來徵收的稅。   碳關稅:指對高耗能的產品進口徵收特別的二氧化碳排放關稅   郎咸平舉瑪丹娜與周迅的例子說明碳關稅的影響,以瑪丹娜最新全球巡迴演唱會帶來1,635噸二氧化碳排放,如果徵收碳關稅一噸30美元的話,演唱會要繳49,050美元的碳關稅。周迅為了抵銷去年飛行149,483公里產生的碳

排放19.5噸,要花6,000元人民幣買238棵樹來彌補碳排放,未來只要排出二氧化碳,就要被課稅。 作者簡介 勾紅洋   四川鹽亭縣人,現為深圳市鴻榮源房地產開發有限公司首席市場分析師、經濟師。長期浸淫總體經濟,為中國第一位運用馬克思主義經濟學對中國GDP核算體系進行過系統修正的專家,該論點對於全面反映社會經濟運行情況有很大的助益。其論述和文章經常刊登於《深圳特區報》、《深圳商報》、《21世紀經濟報道》等媒體,頗受業界敬仰。   鴻榮源集團曾經榮獲「2007年廣東省企業百強」、 「2007年中國最具競爭力房企」、「2007年中國房地產企業綜合實力前50強」等美譽。是業界和社會公認為廣東地區最具

競爭力並發展潛力的企業之一。

以MTS-CVD高產率製備β-SiC薄膜之動力學探討

為了解決碳化矽製程的問題,作者李柏陞 這樣論述:

摘要 IAbstract II誌謝 III圖目錄 VII表目錄 XIII第一章 緒論 11.1 前言 11.2 研究動機與目的 4第二章 文獻回顧 52.1 碳化矽材料特性 52.1.1 碳化矽結構 62.1.2 寬能隙與高崩潰電場 92.1.3 熱傳導率 122.1.4 電子飽和速度 132.2 碳化矽的製備方法 152.2.1 碳化矽長晶方法 152.2.2 碳化矽原料的傳統製備方法 192.3 以化學氣相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)製備碳化矽

212.3.1 SiC-CVD法 212.3.2 使用含氯矽烷作為矽源氣體之碳化矽製程 232.3.3 以甲基三氯矽烷為先驅物的SiC-CVD 25第三章 實驗方法與步驟 293.1 實驗裝置與步驟 293.1.1 實驗設備 293.1.2 實驗步驟 323.2 實驗藥品與氣體 363.3 分析儀器 383.3.1 多角度全光譜橢圓偏振技術(Variable Angle Spectroscopic Ellipsometry, VASE) 383.3.2 高解析度場發射掃描式電子顯微鏡(Field Emission Scannin

g Electron Microscope, FESEM) 393.3.3 X射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS) 403.3.4 多功能高功率X光繞射儀(Multi Function High Power X-Ray Diffractometer) 41第四章 結果與討論 424.1 利用MTS-化學氣相沉積(CVD)系統成長碳化矽薄膜 424.1.1 CVD法製備碳化矽薄膜 424.1.2不同沉積溫度和滯留時間下碳化矽長膜的XPS分析 474.1.3不同沉積溫度和滯留時間下碳化矽長膜的XRD

分析 564.2 改變反應器管徑大小下的碳化矽CVD長膜動力學模擬與探討 61第五章 結論 75第六章 參考文獻 76