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風化台北：性產業的第二人稱敘事

為了解決粒 粒 英文的問題，作者梁評貴 這樣論述：

　　什麼是半套、全套？養生館是做什麼的？台北哪裡還看得到阻街女郎？ 　　網路上的夜遊資訊是真是假？個人工作室又是在做什麼工作的？ 　　以第二人稱敘事散文筆法紀錄台北城裡的風花雪月   　　風化」一詞本身有兩種涵義，其一，指物理學上的物體風化，物體與自然空氣接觸風蝕，最終分解為細小的土石沙礫。其二，即是社會所指稱的「風化產業」，廣義上進行性交易的相關產業。一座城市的風化，往往從最不易為人所見的角落開始，這些性工作者的命運、產業型態，也常受到忽視，她們是這座城市的一部分，卻也是最不起眼的一部分，在沒有明確法令的保障下，日復一日地被磨損虛耗，最後從這座城市的暗角被解離，化為細小的微塵砂粒，風吹四

散，無處依託。因此本項計畫的「風化」，將物理上的風化之意，借用為這座城市風化產業之風化，以第一、二人稱視角的敘述形式，將這些不為人所見的產業書寫出來，使讀者能對從事相關性工作產業之人，有更多的理解、包容與辨識。   　　本書共分為十五篇散文，十五種屬於臺北風化產業的當下現況。全書分為五輯，分別是：輯一、半套店：一半的愛情、輯二、外送茶：解渴的宅急便、輯三、流鶯：巷弄裡的飛翔、輯四、個工：兩小時的歸人、輯五、豆干厝：糖醃的豆干。將個人生命故事，與臺北土地、風化產業型態、生命記憶相互結合。

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具有綠光雷射結晶多晶矽通道之T型閘薄膜電晶體射頻特性分析

為了解決粒 粒 英文的問題，作者葉宇婕 這樣論述：

本論文中，我們研究具有T型閘極、空氣邊襯及矽化閘/源/汲極多晶矽薄膜電晶體的射頻特性。為了提升多晶矽薄膜的晶粒尺寸，我們使用綠光奈秒雷射來製備厚度為50 nm與100 nm的多晶矽薄膜。結果顯示厚度為100 nm的薄膜能得到等效尺寸大於1 μm的晶粒大小，遠優於50 nm厚的多晶矽薄膜。我們於元件製作時採用了新穎的T型閘極技術，不僅降低元件的閘極電阻，也使電晶體具有比微影技術解析極限更小的閘極線寬，使轉導得以大幅提升。我們也分別利用高溫的快速熱退火及低溫的微波退火來活化源汲極雜質。在通道厚度為100 nm並以快速熱退火進行源汲極活化的多晶矽薄膜電晶體中，對最小通道長度達124 nm之元件，截

止頻率可達59.7 GHz，最大震盪頻率亦可達34 GHz。具有相同通道厚度並以微波退火來活化雜質的電晶體中，當通道長度微縮至102 nm，元件的截止頻率更高達63.6 GHz，最大震盪頻率亦可達29.7 GHz。相較過往文獻報導的多晶矽薄膜元件，我們以微波活化源汲極的薄膜電晶體達到了最高的截止頻率。

我們的語言：應用、爭議、修辭

為了解決粒 粒 英文的問題，作者紀蔚然 這樣論述：

　　沒有語言，事物無法現身。 　　貫通任督二脈的語言學秘笈   　　標點符號左右文意  稍有不慎便後悔莫及 　　錯置逗點要人命  不加分號打官司  驚嘆連連鬧離婚  　　語言癌問題不小  語言潔癖也是病 　　話語痙攣人人有  殭屍名詞殺不完 　　追求完美穩失敗  但人總想把話說得更好 　　可惜語言滑溜如泥鰍 　　揭示時遮掩  隱瞞時泄漏  　　唯有透過「心語」  始能窺見自我與他者的靈魂   　　24堂趣味十足的哲學課，以日常情境剖析語言的真相與迷思，從親身體驗回溯話語的源頭，一面舉起修辭刀，殺殭屍，解痙攣；一面提醒自己語言不停改變，或可選擇不隨波逐流，倒也不必口誅筆伐。   　　語言是抉

擇──伸展你的書寫以便伸展你的心智。   　　應用篇：剖析音標的重要、學習關鍵期、雙語利弊、難搞的標點符號、寫作指南和風格之要。   　　爭議篇：介紹語言學研究重要的爭論和假說，如語言的源起、演化、本能論和文化論、語言相對論等各學派的基礎論述。   　　修辭篇：探討語言的藝術，說話或書寫的技巧，即每個人以語言與人互動的方式。藉小說、戲劇、史詩和生活對話，揭示人們如何運用語言傳達字面上和字面以外的意義，進而揣摩心語，領會感受與言說之間的裂隙。   　　語言之間，無分軒輊；語言之前，人人平等。   本書特色   　　劇作家的語言課，破解日常生活的說寫迷思。 　　語言涉及教育、心理、文化、歷史、腦科

學、行為認知、人類學等，影響人類感知和思考模式，思考語言就是思考我們的存在。

應力對於側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體結晶性及可靠度之影響

為了解決粒 粒 英文的問題，作者陳威諺 這樣論述：

多晶矽因為其易堆疊性與低製程熱預算而被視為未來有機會實現三維晶片的材料，然而，多晶矽因結晶性較差而有較低的載子遷移率，進而影響其電性表現。為了使多晶矽元件能達到三維晶片電性需求，提升多晶矽結晶性成為實現三維晶片的重要的課題。在本篇論文中，我們成功製作出側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體，並利用改變上層氮化矽厚度施加更大的應力於通道，藉此製作出結晶性更佳的電晶體。我們製作出上層氮化矽為 40 奈米、60 奈米及 80 奈米的多晶矽電晶體，並透過材料分析與電性比較來研究應力與結晶性的關係。研究發現，上層氮化物為 60 奈米之元件因其在結晶時感受到最大的應力，所以結晶速度最慢，最慢的結晶速度能成長出

最大的晶粒與最少的結晶缺陷。透過材料分析與電性量測，我們證實了上層氮化物為 60 奈米之元件有最好的結晶性與電性。此外，我們對不同上層氮化物厚度的側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體的溫度穩定性、閘極偏壓可靠度與熱載子可靠度做了深入的研究。上層氮化物為 60 奈米之元件因其結晶性較佳所以有較好的通道與閘極氧化層介面，因此在高溫時有較少的次臨界擺幅衰退；也因其有較佳的結晶性與較少的晶界，晶界導致的電場加強效應較不明顯，因此展現出較佳的閘極偏壓可靠度與熱載子可靠度。此外，因為熱載子造成的碰撞解離相比於閘極偏壓時的主要衰退機制-氧化層電荷捕獲有更低的活化能，因此熱載子可靠度對結晶性有更高的敏感度。總結來

說，調變應力能大幅提升元件電性與可靠度，適合應用於未來三維晶片製程。