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紅外線偵測器的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦施敏、伍國(王玉)寫的 半導體元件物理學(第三版)下冊 可以從中找到所需的評價。
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國立陽明交通大學 光電工程研究所 余沛慈所指導 楊婷芸的 氧化鉬矽異質接面太陽能電池與感測器之應用發展 （2021），提出紅外線偵測器關鍵因素是什麼，來自於矽異質接面太陽能電池、氧化鉬異質接面太陽能電池、940 nm 光感測器。
而第二篇論文醒吾科技大學 資訊科技應用系 卓世明、盧正崇所指導 邱巧萱的 使用物聯網模組實現羽球步伐輔助訓練系統 （2021），提出因為有 羽球步伐訓練、紅外線偵測、物聯網 Wi-Fi 模組的重點而找出了 紅外線偵測器的解答。
最後網站人體紅外線偵測器 - iT 邦幫忙則補充：人體紅外線偵測器. 這邊我使用的傳感器是D-SUN 的人體紅外線傳感器( Pyro-electric Infrared Detector，簡稱PIR )，外觀就是一個縮小的半球。 Webduino 人體紅外線偵測 ...
半導體元件物理學(第三版)下冊
為了解決紅外線偵測器 的問題，作者施敏、伍國(王玉) 這樣論述：
這本經典的書籍在半導體元件領域中，樹立了先進的研究以及參考的標準，現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織，以反應元件概念以及品質上的巨大 進展。第三版維持最詳細且徹底的資料在最重要的半導體元件上，使讀者立即獲得重要的元件物理知識以及詳細的元件特性，包含主要的雙載子、場效、微波、光子 以及偵測元件。非常適合作為電機、電子、物理、材料等科系大學高年級生及研究生修習半導體相關課程使用。也適合作為半導體產業工程師與科學家的參考資料， 可說是半導體相關領域人員必讀的聖經。 本書為施敏教授與Kwok K.Ng 博士所撰寫的「半導體元件物理」(Physics of Semiconductor
Devices, Wiley)第三版之中譯本，第一版於1969年問世後就陸續被翻譯成6種語言，施敏教授撰寫第一版時，在短短的一年半當中，讀完兩千篇研究論文，並從中 挑出六百篇做重點整理，幾乎看完當時所有的相關論文。第二版於1981年再度問世，在全世界銷售量已超過百萬冊以上，廣為大學、工業以及研究機構所採用， 目前在學術界已被引用超過一萬五千次，為當代工程及應用科學領域中被引用最多的文獻。最近發行第三版，與第二版相隔26年，除了保存前二版的精華外，並增 加許多符合時代潮流的內容，根據施敏老師的說法：「這26年間的半導體發展並沒有新的元件被商品化的產出，但是所有元件卻是高速地朝輕、薄、短、小，且速
度倍增的發展。這次的新書內容超過了百分之五十的更新與重新編排，雖然基本的寫法不變，但其實是更淺顯易懂。基本上，只要讀完這本書的人都可以看得懂專業 的論文期刊」。 新版的內容包含：將最新的發展徹底更新。新的元件例如三維MOSFETs、MODETs、共振穿隧二極體、半導體偵測器、量子Cascade雷射、單電子電晶體、real-space transfer以及更多的元件。將材料完全重新組織。在每一章的後面設立問題集。所有的圖以最高的品質重新繪製。 為了使工程師、科學家、大學教師以及學生了解今日所使用最重要的元件，以及評估未來元件的品質與限制，本書提供了實踐的基礎。 作者簡介 施敏 教授 施
敏教授獲台灣大學學士學位，美國華盛頓大學碩士學位以及美國史丹佛大學電機博士學位。1963至1989年在貝爾實驗室服務，1990 年任教於國立交通大學電子系。現任國立交通大學榮譽講座教授以及美國史丹福大學電機系顧問教授。他對半導體元件有基礎性以及前瞻性的貢獻;特別是發明了非 揮發性記憶體（包括EEPROM以及快閃記憶體）。曾發表科技論文超過200篇，以及撰寫與主編專業書籍12冊。其中所著的【半導體元件物理】 （Wiley）?近代工程和應用科學中被引用次數最多的文獻（依ISI資料超過一萬六千次）。施敏教授獲選為IEEE Fellow，中央研究院院士及美國國家工程院院士等。 伍國（王玉）博士 1
975年於美國羅格斯大學以及1979年於哥倫比亞大學分別獲得電機 學士與博士學位。1980年服務於AT&T的貝爾實驗室（1996年成為?訊科技的一部份），2001年服務於美商Agere公司（位於賓夕法尼 亞州的艾倫鎮），自2007年起在Semiconductor Research Corporation服務。伍博士擔任IEEE Electron Device Letters 的編輯以及IEEE Press聯絡人，為【半導體元件完全指南】第二版（Wiley）的作者。
氧化鉬矽異質接面太陽能電池與感測器之應用發展
為了解決紅外線偵測器 的問題，作者楊婷芸 這樣論述：
傳統矽基太陽能電池常透過高摻雜來達到載子分離的目的，近年來高效太陽能電池以矽基作為吸收層，在基板的正背面有對稱的表面鈍化層，最後是分別位在基板不同側之電洞選擇層和電子選擇層，形成理想五層結構太陽能電池，而傳統矽異質接面太陽能電池 (Silicon Heterojunction Solar Cells, SHJ)即為符合此標準五層結構之太陽能電池元件。此外亦可藉由避免矽摻雜的方式 (Dopant-free)沉積薄膜作為鈍化層與載子選擇層，本研究嘗試以較寬能隙材料氧化鉬 (MoOx)取代SHJ 結構中的a-Si:H(p)層作為電洞選擇層之太陽能電池以改善元件正面的寄生吸收問題。本研究一開始重複S
HJ結構太陽能電池，利用WCT-120 測量隱含Voc (iVoc)確認薄膜表面鈍化能力後，透過橢圓偏光儀與光激發光影像確認成膜均勻性，最後製作元件找到適合此結構的金屬電極製程為使用E-gun 鍍Ag 電極。接下來嘗試將熱蒸鍍MoOx 換入SHJ 結構中，一開始亦透過光激發光影像確認成膜均勻性，之後優化此層厚度與正面電極圖案，最後在SHJ 結構和MoOx SHJ 結構元件置於加熱器上大氣環境中設定180°C、 200°C、220°C 及250°C 15 分鐘進行退火對元件電流電壓特性影響之研究分析，SHJ 元件在退火220°C 後填充因子為79.6%且光電轉換效率可達到17.4%；MoOx S
HJ 元件退火 200°C後填充因子達到81.6%，光電轉換效率為20.3%，證實MoOx在異質接面結構中能有效地傳輸電洞。此外940 nm 紅外光應用於手機感測器的潛力誘發我們將太陽能電池元件進行對於此940 nm 波長光下之光響應度(Responsivity)及光偵測度(Detectivity)分析。於加上負偏壓的EQE 量測結果中，SHJ 元件和MoOx SHJ 元件在-0.2 V 偏壓下得到940 nm 波長位置時光響應度值分別0.66 A/W 和0.60 A/W；於改變白光雷射光強搭配940 nm濾波器的電流電壓量測結果中，SHJ 元件和MoOx SHJ 元件於-0.2 V偏壓下得到
光響應度值分別為0.45 A/W 和0.46 A/W，並且可得到其偵側度分別為1.1×10^11 Jones 及1.3×10^11 Jones，證實MoOx SHJ 結構可作為940 nm 光感測器的能力。
使用物聯網模組實現羽球步伐輔助訓練系統
為了解決紅外線偵測器 的問題，作者邱巧萱 這樣論述：
近年來，我國羽球運動好手在運動會場上發光發熱，為國爭取佳績，使國內的羽球運動風潮又盛行了起來。然而，對於羽球選手而言，反應的快與慢，成為打得好不好的關鍵因素。現今，羽球運動的競爭強度，越來越高，對於競技的選手們，每日訓練，特別是步伐與打點的反應能力，是常見的基礎訓練方式。羽球選手的訓練，通常由教練進行一對一培訓，通常選手聽由教練的指示與監控，選手們依據最常使用的「米字步伐」、「六向步伐」或「前後場步伐」等移動方法進行步伐訓練。訓練時，通常由教練以碼表量測選手反應時間，一般來說，其成果由教練認定。此一方式，除了耗費時間及精力，教練也無法隨時掌握每個選手的反應、移動時間跟速度。因此，本研究以物聯
網技術，開發建立一套羽球步伐訓練系統，讓選手們可以自行操作，並且精準地紀錄選手訓練時的反應時間。系統設計配合羽球場地之指示燈版，採用 Wi-Fi 模組之軟體程式設計，隨機點亮「米字步伐」的8個位置指示燈，指示選手進行N個位置的步伐移動。選手使用手機，瀏覽網頁，啟動訓練。為了精準偵測選手到達指示點位置，8個紅外線偵測器，用於偵測選手是否精準到達指示點並揮拍，同時，揮拍時的反應時間，上傳到系統網站，以紀錄選手反應時間。本系統優點，除了選手可以自行訓練外，同時，系統記錄所有選手訓練之紀錄，方便教練與專家們，可即時或於訓練後，網頁瀏覽觀看與檢討。