結晶鍍膜價格的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

一般式鈣鈦礦太陽能電池的高分子電洞傳遞層與吸收層之界面修飾層研究

為了解決結晶鍍膜價格的問題，作者蔡佳樺 這樣論述：

鈣鈦礦太陽能電池(Perovskite solar cells，簡稱PSC)，由於組裝過程簡易且材料價格便宜，因此製作成本低而快速發展。至2021年PSC元件已驗證的光電轉換效率已達25.5%。PSC元件中所使用的電洞傳遞層(hole transporting layer, HTL)材料須具備高電洞萃取效率、快速電洞傳遞及與鈣鈦礦層的valence band (VB)與conduction band (CB)能階匹配等特性。Spiro-OMeTAD、P3HT等是常用的PSC HTL材料。本研究利用本實驗室合成之P12、P15、P16、P17、P18、P19、P20、P21等7個高分子作為PS

C元件之HTL材料，利用高分子疏水的特性，增加PSC元件的長時間穩定性。將高分子材料溶於高沸點溶劑中使沉積的膜排列具有較高的規則度，並以4-Iso-propyl-4‘-methyldiphenyliodonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate (簡稱DPI-TPFB)作為摻雜劑，並在鈣鈦礦(Psk)膜與高分子HTL之間沉積一層2-Bromo-5-hexylthiophene (簡稱BHT)膜以修飾界面並可階梯式將電洞由鈣鈦礦層傳遞至電洞傳遞層，降低電位損耗，增加PSC元件的光電轉換效率，結果以P15及P18的光伏特性比P3HT好。P15膜沉積在Psk上時又

比較不會聚集(相對於P18)，可降低電洞在膜上傳遞時發生載子再結合。DPI-TPFB摻雜之P15(DPI-TPFB@P15)的HOMO能階為-5.44 eV與鈣鈦礦膜的VB能階-5.61 eV匹配性比DPI-TPFB@P18更好，因此能更有效率的萃取電洞，以DPI-TPFB@P15膜作為HTL相較於DPI-TPFB@P18膜組裝成元件有更高的Voc值為1.00 V。以DPI-TPFB@P15、DPI-TPFB@P18、及DPI-TPFB@P3HT作為HTLs組裝成元件的光電轉換效率分別為17.08%、11.75、11.63%。若再以BHT作介面修飾，元件的光電轉換效率分別提高至18.17 %、

15.03 %、及14.79 %，遲滯因子則分別為9.1 %、6.7 %、13.9 %。

在銅基板上以溶膠凝膠法製備氧化鋅薄膜其結晶性質與表面形貌對於壓電性能之影響

為了解決結晶鍍膜價格的問題，作者蔡宏宗 這樣論述：

隨著環保意識抬頭，因此便宜易取得的材料與成本及對環境的考量日趨提升。本研究使用銅基板利用浸鍍法製備氧化鋅薄膜。氧化鋅有價格低廉且無毒性、化學穩定性高、有較大的能量間隙等性質，因此應用於諸多領域上。銅基板因導電率佳、高溫熱處理時會有氧化鋅生成、且使用銅不需額外鍍上一層電極；將製備完後的氧化鋅薄膜再使用濺鍍機鍍上銀進而組裝成壓電獵能器。本研究主要以不同拉升速率、層數、溫度為實驗參數，分別以250˚C、350˚C、450˚C、500˚C常壓及真空熱處理來探討不同溫度對於氧化鋅薄膜形貌及特性的影響。當薄膜製備完成後，再輔以水熱法使氧化鋅進一步成核成長。以 SEM、XRD來觀測不同溫度對表面形貌以及結

晶性、從優取向對於壓電特性的影響，最後使用不同的震動頻率(5Hz、10Hz)來量測。實驗結果顯示常壓熱處理在450˚C；真空熱處理在500˚C時，有較佳的結晶性質。因此選定較佳的溫度來進行後續製程且水熱成長後的氧化鋅有約兩伏特的輸出電壓其效果最佳。之後再以示波器搭配震動平台來量測最後器件的壓電特性，擁有擇優取向(002)面結構為六方晶(Hexagonal)的氧化鋅，在震動頻率10 Hz的情形下，常壓晶種層約有2V的輸出電壓。關鍵字：氧化鋅薄膜、浸鍍、水熱法、壓電特性