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新型電力系統ICT應用與實踐

為了解決線電荷電場的問題，作者 這樣論述：

本書全面介紹新型電力系統建設中所涉及的主要資訊通信技術及其應用。全書共11章。第1～2章介紹碳減排背景下能源電力行業向低碳化轉型發展的趨勢，以及新型電力系統建設的必要性。第3章介紹能源行業數位化轉型現狀，給出新型電力系統的ICT架構。第4～9章系統地闡述5G助力高彈性電網建設、電力光網路、電力智慧雲網、電力物聯網、能源大資料中心、新型電力系統網路安全等方面的資訊通信關鍵技術及應用方案。第10章結合新型電力系統源、網、荷、儲全環節業務場景，以國網浙江省電力有限公司的探索與實踐為例，呈現典型應用。第11章為新型電力系統展望。 本書可為能源、電力、資訊通信等相關領域的從業人員提

供參考。

線電荷電場進入發燒排行的影片

寫入電壓及寫入/抹除過程的時間延遲對元件可靠度影響之研究

為了解決線電荷電場的問題，作者羅茜妮 這樣論述：

NAND快閃記憶體的可靠度會隨著連續寫入/抹除的次數增加，其行為可以在電流-電壓(I_D V_G)特性曲線中觀察到。導通電流隨著多次循環過程而下降。主要原因是經過多次寫入/抹除後，穿隧電子破壞氧化層而形成電荷缺陷，因而影響元件的可靠性，還可能造成資料儲存失敗或記憶體元件擊穿。本論文主要探討各種不同的寫入/抹除條件在室溫下對元件可靠度的影響，如: 寫入電壓、寫入到抹除過程的時間延遲、及抹除到寫入過程的時間延遲。從量測實驗中可以觀察到在室溫下，氧化層退化越嚴重隨著寫入電壓的增加，因為電場增加導致更多電洞注入到氧化層中，進而產生更多的電荷缺陷和介面缺陷。另外，透過實驗觀察到在室溫下，抹除到寫入過程

(E/P)的時間延遲相較於寫入到抹除過程(P/E)的時間延遲對元件可靠度有較顯著的影響，且較長的寫入/抹除時間延遲會造成更嚴重的氧化層缺陷。主要是因為在較長的的寫入/抹除時間延遲有利於電洞在氧化層中漂移，在靠近矽通道的表面與電子複合，產生更多的電荷缺陷或介面缺陷。

京阪神攻略完全制霸2023~2024

為了解決線電荷電場的問題，作者張淑婷・謝宸右・張洧函・墨刻編輯部 這樣論述：

後疫情旅遊資料最新版 全面採訪 X 更新第一手訊息 最完整、最詳實的京阪神玩樂資訊就看這一本   2020~2022年因疫情而停擺的日本旅遊，一直是心中最想回去的地方！ 不能去日本的日子裡，日本也因為觀光客銳減，導致供需不平，許多觀光為主的巴士路線及船班運休或減班，可喜可賀的是，今年後半年逐步鬆綁國門，現在日本也做好準備，要開始迎接後疫情時代的逐漸回籠的大批觀光人潮！ 擔心疫情後的所有改變嗎？ 就讓《京阪神攻略完全制霸2023-2024》做你回歸日旅的最佳伙伴！   ◎在地記者帶來第一手最新最夯資訊！ 《京阪神攻略完全制霸2023-2024》帶來京阪神最新的交通資訊、人氣的潮流景點，還有

全新環球影城特別企劃，幫你把沒去日本的這3年資訊通通補回來！   ◎京阪神交通資訊 介紹京阪神三區各大交通方式，鐵路、公車、轉乘方式、票券類型，交通疑難雜症一次解決。   ◎搭電車、巴士及高速船玩遍京阪神66個分區 京都25個分區，大阪20個分區、兵庫(神戶)21個分區，站站都讓人玩得不亦樂乎。   ◎地圖冊隨身GO 全開的地鐵路線圖，超薄超詳細；全書景點皆收錄在輕巧的地圖冊中，分區地圖輕鬆分辨東西南北。

二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用

為了解決線電荷電場的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：

半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載

子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的

記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as

sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。