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用於單晶片雷達系統之連續漸進式類比數位轉換器設計

為了解決聯電 vs 台積電 PTT的問題，作者余柳沅 這樣論述：

隨著製程的進步，良率的提升，相較於過去使用離散原件設計之系統，現在越來越流行將整個系統做在同一顆晶片。而電路分為類比與數位部份，為了連接類比與數位電路，就需要一顆類比數位轉換器，而這顆類比數位轉換器也根據系統的不同，而有所不同的需求。而連續漸進式類比轉換器，具有較低的電壓消耗的優勢，設計難度也較低。本論文將藉由三種不同設計之連續漸進式類比轉換器，去探討其差異與優劣。這三種架構分別為TSMC 90奈米實現之5MS/s八位元同步時序傳統架構連續漸進式類比數位轉換器、以TSMC 0.18微米實現之單調型電荷再分佈全差動連續漸進式類比數位轉換器設計和以UMC 0.18微米實現單調型非同步電荷再分佈全

差動七位元連續漸進式數位類比轉換器設計。其中依架構，分別針對同步與非同步時序，單調型與傳統型連續漸進演算法等不同架構之連續漸進類比轉換器進行設計與探討。並分別以台積電0.18微米、台積電90奈米與聯電0.18微米製程進行實現，所有設計區塊都有實際下線。並接著依性能特色，做出簡單整理。讓不同系統可以依據不同需求而有不同的選擇。 而其中TSMC 90奈米實現之5MS/s八位元同步時序傳統架構連續漸進式類比數位轉換器的信號與雜訊和失真比(SNDR) 46.684dB(Postsim)。以TSMC 0.18微米實現之單調型電荷再分佈全差動連續漸進式類比數位轉換器設計的信號與雜訊和失真比(SNDR

)達到52.4dB(Postsim)。以UMC 0.18微米實現單調型非同步電荷再分佈全差動七位元連續漸進式數位類比轉換器設計的信號與雜訊和失真比(SNDR)達到35.7388dB(Postsim)。