藍光LED 原理的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

圖解 電波與光的基礎和運用

為了解決藍光LED 原理的問題，作者井上伸雄 這樣論述：

從技術的歷史講起，最適合入門者的一本書！ 　　當今世界可說是由「電波」建構而成。我們的周遭隨處可見電波的存在，如廣播、電視、手機、Wi-fi、藍牙等。與電波同屬電磁波的「光」也一樣。除了照明用的燈光之外，我們也會將光的各種特性應用在我們的日常生活中。 　　各種「電波與光」的尖端技術支持著現代社會，要瞭解這些技術的原理，就必須學會基礎知識才行。 　　將高中物理的內容簡化， 　　一本搞懂「電波與光」的誕生與應用！ 　　本書會盡量擺脫複雜難解的數學公式，結合最新、最切身的具體實例，簡單說明各種生活中的物理現象。 　　不同於一般教科書將各個理論拆開說明，讓我們從起點「電波的發現」開始，隨

著簡潔直白的文字，循序漸進認識這個世界吧！ 　　第一章 生活中不可或缺的電波 　　第二章 電磁波的本質 　　第三章 電波和光是同樣的東西 　　第四章 光的各種性質 　　第五章 接下來是光子學的時代  

藍光LED 原理進入發燒排行的影片

製備鉀單鐵氧化體-釩酸鉍複合材料應用於二氧化碳光催化還原之研究

為了解決藍光LED 原理的問題，作者梁昊君 這樣論述：

本研究主要是透過簡易水熱法下製備不同pH值釩酸鉍和濃縮凝膠法複合鉀單鐵氧化體，以KFeO2-BiVO4為光觸媒應用於光還原反應系統中，將CO2及H2O轉換成CH4及CO。材料定性是以X光繞射儀（XRD）、掃描式電子顯微鏡（SEM）、衰減全反射式傅立葉紅外光譜儀（ATR-FTIR）、紫外-可見光光譜儀（UV-vis）及光致發光光譜儀（PL）作為一系列鑑定。透過比例優選，特定波長藍光LED 412~505nm、綠光LED 427~622 nm與400瓦汞燈光源測定，而其提升推測源於針對性波段的吸光度上升促使電子電洞對再結合有效降低，因為其Z型結構的堆疊，橫跨還原電位不同額外產生CO。最後以KFe

O2-BiVO4 1:1為最佳比例，分別照射綠光、藍光及汞燈其甲烷累積產率為22.4、34.1、38.5 µmol g-1，量子產率為0.23%、0.35%、0.17%；以KFeO2-BiVO4 2:1比例分別照射綠光、藍光及汞燈其一氧化碳累積產率為31.4、54.6、62.3 µmol g-1，量子產率為0.08%、0.14%、0.06%，以藍光最為突出，本研究亦提出了光催化之反應機構，現今國際碳排放及類似人造光合作用反應議題息息相關，希望本實驗未來有機會通過市場功能減少碳排放，降低能耗及大氣碳濃度，促進產業和能源結構優化，為社會帶來綠色化學、永續環境及循環經濟的價值。

氮化鎵基發光二極體晶元設計與製造技術

為了解決藍光LED 原理的問題，作者周聖軍劉勝 這樣論述：

基於作者多年從事GaN基LED晶片設計與製造技術的研究成果和產業化經驗，從理論和實踐兩個方面分別論述了GaN基LED晶片的設計與製造技術。   《氮化鎵基發光二極體晶片設計與製造技術》共10章，內容包括：LED的發展歷史與研究現狀，LED工作原理與LED光學、電學和色度學參數，壓電極化與量子限制斯塔克效應，藍光/綠光/紫外LED外延結構設計與材料生長，LED晶片製造工藝，LED晶片電流擴展特性，水準結構/倒裝結構/高壓LED晶片設計和製造，LED晶片失效機理與可靠性分析，以及新型LED器件。 第1章 緒論 1 1.1 LED發展歷史 1 1.2 LED國內外研究現狀 4 1

.2.1 LED外延生長技術與襯底材料 4 1.2.2 LED晶片結構研究現狀 16 1.2.3 LED晶片光提取效率研究現狀 21 參考文獻 35 第2章 LED基本原理 46 2.1 LED工作原理 46 2.2 輻射複合與非輻射複合 48 2.3 內量子效率與外量子效率 49 2.3.1 內量子效率 49 2.3.2 光提取效率 53 2.3.3 外量子效率 55 2.4 LED的特性參數 56 2.4.1 LED的光學參數 56 2.4.2 LED的色度學參數 59 2.4.3 LED的電學參數 63 2.4.4 LED的熱學參數 66 2.5 歐姆接觸電極 66 2.5.1 歐姆接

觸簡介 66 2.5.2 歐姆接觸原理 67 2.5.3 歐姆接觸的測量 69 2.5.4 金屬與p-AlGaN和p-GaN接觸特性 72 2.6 極化電場與量子限制斯塔克效應 80 2.6.1 InN、GaN和AlN的晶體結構和極性 80 2.6.2 自發極化與壓電極化 82 2.6.3 量子限制斯塔克效應 87 參考文獻 89 第3章 LED外延結構設計與材料生長 94 3.1 Ⅲ族氮化物晶體結構 94 3.2 GaN外延測試分析與表徵手段 97 3.2.1 原子力顯微鏡 97 3.2.2 掃描電子顯微鏡 98 3.2.3 透射電子顯微鏡 98 3.2.4 光致發光 99 3.2.5 電

致發光 99 3.2.6 陰極螢光 100 3.2.7 霍爾測試 101 3.2.8 拉曼散射 101 3.2.9 高分辨X射線衍射 102 3.3 GaN基LED外延生長 104 3.3.1 薄膜生長模式 104 3.3.2 MOCVD兩步法生長GaN 105 3.3.3 GaN基藍光LED 106 3.3.4 GaN基綠光LED 113 3.3.5 GaN基紫外LED 142 參考文獻 166 第4章 LED晶片製造工藝 179 4.1 光刻工藝 179 4.1.1 LED外延片清洗 179 4.1.2 塗膠 180 4.1.3 軟烘 180 4.1.4 曝光和顯影 180 4.2 刻蝕

工藝 181 4.2.1 藍寶石襯底的刻蝕 181 4.2.2 ITO材料的刻蝕 185 4.2.3 SiO2材料的沉積與刻蝕 188 4.2.4 GaN材料的刻蝕 190 4.2.5 ICP工藝參數對GaN刻蝕影響 195 4.3 薄膜澱積與退火工藝 215 4.4 藍寶石襯底背減薄和拋光工藝 218 4.4.1 工藝流程 219 4.4.2 工藝優化 220 4.5 藍寶石襯底剝離技術 222 4.5.1 鐳射剝離技術 222 4.5.2 化學剝離技術 223 4.5.3 機械剝離技術 225 4.5.4 複合剝離技術 226 4.6 工藝集成 227 參考文獻 232 第5章 LED晶

片電流擴展特性 238 5.1 電流聚集效應 238 5.1.1 電流擴展路徑 238 5.1.2 電流擴展模型 240 5.1.3 電流聚集效應對LED晶片光提取效率的影響 243 5.2 電-熱耦合模擬模型 248 5.2.1 LED晶片有源區一維特性 248 5.2.2 LED晶片三維電流擴展特性 250 5.2.3 LED晶片中熱的產生和傳遞 251 5.3 電流擴展模擬分析 253 5.3.1 SlimuLED軟體介紹 253 5.3.2 藍光LED晶片電流擴展模擬 253 5.3.3 紫外LED晶片電流擴展模擬 258 參考文獻 266 6章 高效率水準結構LED晶片 269 6

.1 藍寶石圖形襯底技術 269 6.2 側壁空氣間隙結構 271 6.3 側壁波浪狀微結構 275 6.4 圖形化ITO 276 6.5 電流阻擋層 287 6.6 圖形化電流阻擋層 294 6.7 低光損失電極結構 298 6.8 金屬線網格透明導電電極 301 6.9 底部反射鏡 306 參考文獻 313 第7章 倒裝結構LED晶片 319 7.1 倒裝LED晶片電極結構優化設計 319 7.1.1 倒裝LED晶片電極結構 319 7.1.2 倒裝LED晶片電流擴展模擬 320 7.2 高反射率低阻p型歐姆接觸電極 323 7.2.1 Ni/Ag 323 7.2.2 ITO/DBR 3

28 7.2.3 Ni/Ag和ITO/DBR對比 338 7.2.4 Ag/TiW和ITO/DBR對比 342 參考文獻 348 第8章 高壓LED晶片 352 8.1 高壓直流LED晶片 353 8.1.1 高壓直流LED工作原理 353 8.1.2 LED單胞陣列佈局方式優化設計 353 8.1.3 LED單胞間光子耦合傳播機制 356 8.2 高壓交流LED晶片 359 8.2.1 高壓交流LED工作原理 359 8.2.2 惠斯通電橋結構高壓交流LED晶片 360 8.3 高壓直流/交流LED晶片光電性能 362 參考文獻 365 第9章 LED晶片失效機理與可靠性分析 368 9

.1 位元錯對LED晶片可靠性的影響 368 9.2 結溫對大功率LED晶片光衰的影響 373 9.3 LED晶片正向/反向漏電流 376 9.3.1 LED晶片漏電流簡介 376 9.3.2 LED晶片正向漏電流產生機理 382 9.3.3 LED晶片反向漏電流產生機理 385 9.3.4 反向漏電流與LED可靠性 395 9.3.5 加速壽命試驗 396 9.4 p-GaN粗化與電極焊盤色差 398 參考文獻 404 第10章 新型LED器件 408 10.1 Micro-LED晶片 408 10.2 納米柱LED 413 10.3 偏振光LED 416 10.4 半極性/非極性LED

421 參考文獻 423

光萃取率提升於氮化物發光二極體之研究

為了解決藍光LED 原理的問題，作者李勁直 這樣論述：

本論文使用兩種不同波長450 nm與400 nm以及三種不同基板厚度150 um、300 um、400 um的覆晶式發光二極體( Flip chip LED )，使用表面雷射切割、隱形雷射切割以及輪刀切割三種不同的切割方式改變基板側面的外觀，之後再使用積分球和發散角偵測儀對這些發光二極體進行光電特性量測。一般若要增加外部量子效率( External Quantum Efficiency；EQE )，需改變封裝型式或提高封裝材料的折射率，以減少全內反射的發生進而將光有效導出元件，有助於LED亮度的提升。從本研究結果得知，LED基板厚度的提升可以提升整體的光輸出功率( Light output

power；LOP )和外部量子效率( EQE )，並且搭配使用隱形雷射切割及輪刀切割可以得到最佳效果，其中藍光LED在400 um基板厚度下的光輸出功率最高與最低差異可達61.02%，外部量子效率最高與最低差異可達61.44%，UV光LED在400 um基板厚度下的光輸出功率最高與最低差異可達48.31%，外部量子效率最高與最低差異可達48.10%。關鍵詞：外部量子效率、覆晶式發光二極體、光輸出功率、全內反射、改變基板外觀