走在汽車革命的路上論文書籍站
負回授電路的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包
負回授電路的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦鄭奇寫的 電子學：測驗選擇題庫劃答案(附加影音)(經濟部國營事業、台電僱員、中油僱員、台菸酒評價職、國民營考試適用) 和鄭奇的 電子學大意Q&A測驗題庫劃答案(附加影音)(初等、五等、鐵路佐級考試適用)都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自志光教育科技 和志光教育科技所出版 。
國立東華大學 電機工程學系 翁若敏所指導 洪瑜珮的 應用於5G系統之低雜訊高增益接收機前端設計 （2020），提出負回授電路關鍵因素是什麼，來自於接收機前端、5G系統。
而第二篇論文國立成功大學 微電子工程研究所 王永和所指導 林恩揚的 應用於Ku/Ka頻段之射頻前端系統的單晶微波積體電路之研製 （2015），提出因為有 單刀雙擲開關、相位移器、低雜訊放大器、負回授電路、功率放大器、威爾京生分波器、低通濾波器的重點而找出了 負回授電路的解答。
電子學：測驗選擇題庫劃答案(附加影音)(經濟部國營事業、台電僱員、中油僱員、台菸酒評價職、國民營考試適用)
為了解決負回授電路 的問題，作者鄭奇 這樣論述：
●市面唯一 蒐羅公職與國民營考試選擇題型，一本就夠用。 ●分類歸納 將考試題型加以分類歸納，輕鬆掌握命題趨勢。 ●題題精解 題題精闢解析，練題過程培養經驗，精熟解題技巧 本書特色 ◆市面唯一包含公職與國民營考試選擇題型全題目分類題庫。 ◆考試題型詳加分類歸納，使讀者能輕鬆掌握考試命題趨勢。 ◆題題精闢解析，使讀者在閱讀過程中培養累積解題經驗。
應用於5G系統之低雜訊高增益接收機前端設計
為了解決負回授電路 的問題，作者洪瑜珮 這樣論述：
本論文主要針對「應用於5G系統之低雜訊高增益接收機前端設計」進行研究探討、設計與製作，共提出兩顆皆應用於5G系統的電路設計，並使用台灣半導體研究中心所提供tsmc 0.18um 1P6M CMOS製程模擬及實作，晶片採用on-wafer方式測量。第一顆為「應用於4.5GHz之低功耗低成本接收機前端設計」，包含了低雜訊放大器和混頻器，此電路第一級採用疊接架構，以一個共源極與共閘級放大器組成，可以提高整體增益及抑制第一級雜訊；且混頻器使用電流注入技術，可有效降低操作電壓，且可以透過調整偏壓來優化整體增益和雜訊。其量測結果如下：操作電壓1.2V，總功率消耗為10.65mW，增益為12.9dB，雜訊
指數為15.6dB，輸入三階截斷點為-7.1dBm，輸入返回損耗與輸出返回損耗皆小於-10dB，晶片面積為1.192×1.116mm2。第二顆為「應用於3.5GHz之低雜訊高增益接收機前端設計」，整合低雜訊放大器和混頻器。低雜訊放大器使用基體偏壓技術來提高轉換增益，另外在不增加功率消耗的同時使用電流再利用架構來提升增益；混頻器負載級採用共模回授架構取代傳統電阻式負載，在不影響線性度的情況下提高轉換增益。傳統式吉伯特混頻器利用差動訊號來解決從LO饋入的電流，加上多閘極電晶體抑制輸入三階諧波項及電流注入來降低開關級的電流並提高增益；緩衝級可以增加轉換增益並達到良好的輸出阻抗匹配。其模擬結果如下：操
作電壓1.2V，總功率消耗為7.89mW，轉換增益為26.97dB，雜訊指數為3.77dB，輸入三階截斷點為-31dBm，輸入返回損耗與輸出返回損耗皆小於-10dB，晶片面積為1.019×1.062mm2。
電子學大意Q&A測驗題庫劃答案(附加影音)(初等、五等、鐵路佐級考試適用)
為了解決負回授電路 的問題，作者鄭奇 這樣論述：
●市面唯一 蒐羅公職與國民營考試選擇題型，一本就夠用。 ●分類歸納 將考試題型加以分類歸納，輕鬆掌握命題趨勢。 ●題題精解 題題精闢解析，練題過程培養經驗，精熟解題技巧 本書特色 ◆市面唯一包含公職與國民營考試選擇題型全題目分類題庫。 ◆考試題型詳加分類歸納，使讀者能輕鬆掌握考試命題趨勢。 ◆題題精闢解析，使讀者在閱讀過程中培養累積解題經驗。
應用於Ku/Ka頻段之射頻前端系統的單晶微波積體電路之研製
為了解決負回授電路 的問題，作者林恩揚 這樣論述：
本論文首先使用WIN GaAs 0.15μm PHEMT製程，實現射頻單刀雙擲開關，有別於傳統電晶體開關，本次設計主要利用HEMT二極體，搭配其他被動元件如電容、電感等等，製作一寬頻的射頻單刀雙擲開關，主要希望可以解決傳統開關的晶片面積過大問題，本設計也可以提升隔離度以及降低損耗。經過量測後開關A的插入損耗在操作頻率32~45 GHz之間為5dB左右，輸入及輸出返回損耗皆大於10dB，晶片面積為0.8 × 0.9 mm2，開關B的插入損耗在操作頻率23~45 GHz之間為7dB左右，輸入及輸出返回損耗皆大於10dB，晶片面積為0.87× 0.73 mm2。第二部份也同樣使用GaAs HEMT
二極體來製作一相位移器，有別於傳統架構，本設計運用二極體作為可變電容，比起傳統架構，不須複雜的匹配網路即可達成5-Bit控制之全相位位移器。經過量測後電路的插入損耗約為18dB，返回損耗約為11dB，晶片面積為2.2 × 1.2 mm2。第三部份使用GaAs 0.15μm製程以及GaN 0.25μm 製程 HEMT電晶體來實現射頻單刀雙擲開關，本設計運用四分之波長的傳輸線來進行匹配，有別於傳統開關，整體電路不需使用任何繞線圈電感，藉此提升電路之Q值，同時降低損耗。經過量測後GaN開關之插入損耗約為5dB左右，輸入及輸出損耗皆大於10dB，晶片面積為2.75 mm2，GaAs開關之插入損耗低於2
dB，輸入及輸出損耗皆大於10dB，隔離度則可達到25dB左右，晶片面積為2.75 mm2。第四部份使用WIN GaN 0.25μm PHEMT電晶體來實現低雜訊放大器，設計上使用負回授的方法來增加頻寬，同時也可以拿來做電路的匹配，使整體特性更為穩定，並且解決傳統低雜訊放大器不佳的雜訊表現，更因為製程之特性，可以使本放大器更適合應用於高功率系統當中。經過量測後電路在射頻頻率操作於15~18 GHz，在15~18GHz間之增益皆有15dB以上，最高增益可達18dB，Noise figure為4.5dB左右，晶片面積為2.2× 1.4 mm2。第五部份使用WIN GaAs 0.15μm PHEMT
電晶體來實現功率放大器，設計上有別於傳統功率放大器，使用威爾京生分波器來提升電路的線性度，也同時可以優化PAE的特性，以此方式解決普遍功率放大器不佳的PAE表現。電路在射頻頻率操作於Ka頻段，在29GHz時有20~25%左右的PAE，在運作頻率的範圍內皆有10dB以上的增益，IP3則可達到33dBm左右，晶片面積為2.3× 1.5 mm2。第六部份使用MIC的方式來製作一柴比雪夫濾波器，此一濾波器較MMIC濾波器擁有設計自由度高以及相當好製作的特性，可靈活應用於各個系統當中，此低通濾波器在2.8GHz處有20dB左右的Attenuation，且有2GHz的頻寬和3dB的Ripple。