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國立中興大學 光電工程研究所 劉漢文、吳宛玉所指導 許育瑄的 高功率脈衝磁控濺鍍技術沉積可撓式低電阻高穿透多層膜結構之研究 （2019），提出賓 士 鍍膜價格關鍵因素是什麼，來自於高功率脈衝磁控濺鍍技術、氧化物/金屬/氧化物、透明導電氧化物。
而第二篇論文國立中正大學 企業管理系研究所 陳明德所指導 李聖斌的 半導體封裝測試廠最佳產品組合探討-以記憶卡產品為例 （2015），提出因為有 半導體封裝測試、小型記憶卡、線性規劃、生產規劃、產品組合的重點而找出了 賓 士 鍍膜價格的解答。
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高功率脈衝磁控濺鍍技術沉積可撓式低電阻高穿透多層膜結構之研究
為了解決賓 士 鍍膜價格 的問題，作者許育瑄 這樣論述：
隨著透明軟性電子產品的蓬勃發展，具有可撓性的透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)需求日益漸增。但是若要在高分子可撓基板上以氣相沉積技術製備TCO仍須克服製程溫度、退火溫度與可撓性等問題，由於Oxide/Metal/Oxide (OMO)多層膜結構擁有與氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)接近的光電特性，又比單層TCO更具可撓性，是應用在可撓基板上的首選材料。然而隨著地球中銦資源稀少化、價格高，加上ITO在高溫環境下較不穩定，ZnO-based(包含ZnO與AZO)的薄膜成為公認為最有潛力替代ITO的氧化物材料。而近年來發展的高
功率脈衝磁控濺鍍技術(High-Power Impulse Magnetron Sputtering, HiPIMS)，透過低於5%的佔空比與高的峰值功率，增加電漿密度與靶材離化率，薄膜相較於傳統磁控濺鍍技術具有更高的緻密性、附著性與平整性，因此本研究利用HiPIMS技術開發可撓基板上OMO結構製程，於鈉鈣玻璃與可撓高分子基板沉積ZnO-based/Ag, Cu/ZnO-based的OMO結構並進行研究與探討，從疊層效應中發現OMO的電性主要來自金屬層所貢獻，而上下層氧化物則是影響OMO的光學特性。厚度為20/20/20 nm的ZnO/Ag/ZnO在玻璃基板上具有電阻率3.7*10-5 Ωcm
(6.2 Ω/sq)，平均穿透率80.5%(89.0%@550 nm)。經過光學模擬調整金屬與氧化層厚度後，進一步將OMO結構進行最佳化，厚度35/20/30 nm的ZnO/Ag/ZnO在玻璃基板上平均穿透率達87.7% (93.3%@550 nm)，電阻率6*10-5 Ωcm (7.0 Ω/sq.)。相同的OMO薄膜在125 μm的PEN可撓基板上平均穿透率達86.8% (95.0%@550 nm)，電阻率5.7*10-5 Ωcm (6.9 Ω/sq.)，經過一千次撓曲後片電阻為7.3 Ω/sq.，三千次撓曲後片電阻為15.0 Ω/sq.。
半導體封裝測試廠最佳產品組合探討-以記憶卡產品為例
為了解決賓 士 鍍膜價格 的問題，作者李聖斌 這樣論述：
半導體封裝測試產業競爭激烈與市場需求變動快速，同時也是技術和勞力密集的產業，產品更是日新月異，生產機器設備費用昂貴和折舊快，在購置機器設備更須謹慎評估。臺灣封裝測試廠雖然有低生產成本、高生產技術和高效率等優勢，在全球半導體封裝測試產業佔有領先地位，除了有國際封裝測試廠的競爭外，近年在中國大陸政府的政策與資金挹注之下，中國大陸的半導體封裝測試廠急起直追，對臺灣封裝測試廠造成不小壓力；因此，如何降低生產成本以及有效提高生產力，才能在半導體封裝測試產業微利時代生存與永續發展。本研究透過數學規劃(Mathematical Programming)，以生產機器設備的實際加工時間評估小型記憶卡(Micr
o-SD)封裝測試的生產線瓶頸站(Bottleneck)，有別於一般以理論值或經驗概算出的產能，能更真實的反應生產線實際生產與運作，並使用作業研究(Operations Research)LINGO線性規劃軟體評估生產線實際產能和瓶頸站，以及在有限的資本支出之下，如何分配生產線機器設備購置，以達到最佳化的規劃與配置，避免購置過多機器設備超過需求或不符合效益，造成產能閒置和成本增加，以供企業作為後續購置機器設備評估。本研究著重於如何將有限的生產資源做最佳化的規劃與分配，藉由線性規劃(Linear Programming)工具運用於小型記憶卡封裝測試廠生產線之最佳產品組合(Product Mix)
，作為產能分配規劃的最佳決策，以提高產業競爭力，達到利潤最大化的目標。