走在汽車革命的路上論文書籍站
國立高雄科技大學 機械工程系 陳道星所指導 林偉凱的 退火製程與摻雜元素對ITO及ZnO薄膜之光電特性研究 （2021），提出雙層 鍍膜價格關鍵因素是什麼，來自於銀、鉬、氧化鋅、氧化銦錫、多層膜、濺鍍、退火製程、品質因數。
而第二篇論文國立聯合大學 電子工程學系碩士班 林育賢、簡昭欣所指導 王鐿霖的 不同氧處理應用於非晶氧化銦鎢薄膜電晶體通道層穩定度之研究 （2021），提出因為有 單晶片三維積體電路、後段製程、非晶氧化物半導體薄膜電晶體、非晶氧化銦鎢、快速熱退火、氧電漿處理、微波熱退火、穩定度測試的重點而找出了 雙層 鍍膜價格的解答。
退火製程與摻雜元素對ITO及ZnO薄膜之光電特性研究
為了解決雙層 鍍膜價格 的問題，作者林偉凱 這樣論述：
從透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, 簡稱TCO)薄膜材料的選擇來說，氧化銦錫ITO的光電性質為目前業界中的佼佼者，其在可見光的範圍中的透光率很高，且另一方面它的電阻率又很低，可以高度地導電，因此被使用地非常廣泛，不過它的其中一項原料元素─銦(Indium，In)的世界價格一直在飆升，也成為它的致命傷。以往以ITO為主的多層膜，大部分都是以ITO/Metal/ITO的形式使用，因此是否有別的方法可以降低ITO的使用量，為本研究重點。 本研究以兩種方式嘗試減少ITO的使用量：(1)將原本三明治沉積多層膜方法，改為沉積雙層形式，即Metal/ITO；
(2)因Zn含量在全球分布廣域，且蘊藏豐富，其價格亦是廉價，故嘗試將ITO改為ZnO，即Metal/ZnO。實驗一開始先找到ZnO薄膜的最佳濺鍍參數，分別是：(1)濺鍍功率60W、偏壓6mtorr及濺鍍時間30分鐘；(2)濺鍍功率100W、偏壓6mtorr及濺鍍時間60分鐘，並以同樣兩組參數濺鍍其他對照試片組的ITO層。完成濺鍍後將試片做退火製程200℃、300℃及450℃，接著量測其多層膜的厚度、電性及光學特性後分析及討論。 實驗結果顯示，以此兩組ZnO最佳的參數而濺鍍的多層膜，以品質因數(FOM)數值來看，光電特性表現仍輸給ITO的多層膜。 以電性中的電阻率方面討論：本研究中電阻率最低
的是AITO-100在無經過退火製程的常溫狀態下表現最佳，其電阻率為1.07E-05 Ω-cm；以ZnO為氧化層的多層膜，在本研究中電阻率最低的是AZ-60在經過退火製程溫度達到300℃時，其電阻率為4.46E-04 Ω-cm。 以光學特性─透光率方面討論：本研究中在可見光範圍中的平均透光率表現最佳的是MITO-100在退火製程溫度達450℃時，其平均透光率為87.5%；以ZnO為氧化層的多層膜，在可見光範圍中的平均透光率表現最佳的是AZ-60在無經過退火製程的常溫狀態下，其平均透光率為75.5%。 以品質因數方面討論：本研究中品質因數表現最佳的是AITO-100在退火製程溫度達450℃時
，其品質因數為7.26E-02 Ω-1；以ZnO為氧化層的多層膜，品質因數表現最佳的是AZ-60在退火製程溫度達300℃時，其品質因數為7.43E-04 Ω-1。
不同氧處理應用於非晶氧化銦鎢薄膜電晶體通道層穩定度之研究
為了解決雙層 鍍膜價格 的問題，作者王鐿霖 這樣論述：
半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，隨著摩爾定律，電晶體尺寸的微縮逐漸面臨物理極限，加上積體電路晶片內的電晶體數量動輒百億，傳統的整合技術已逐漸不敷使用，因此有了單晶片三維積體電路(M3D-IC)整合技術的概念崛起，將包含不同功能的後段製程元件利用垂直堆疊的方式整合在同一晶片上，以達到高密度整合。然而，半導體後段製程(BEOL)受限於低製程溫度，而非晶氧化物半導體薄膜電晶體(AOSTFTs)可於低溫下進行製程，並且具有較大的能隙，以及有較高的遷移率等優勢，被視為極具未來發展性的元件。本次研究將薄膜電晶體運用在後段製程元件，以非晶氧化銦鎢(a-IWO)作為元件通道層材料，結合高介電係數(hig
h-k)材料二氧化鉿(HfO2)當作閘極介電層，使元件具有高電流開關比(Ion/Ioff ratio)、低臨界電壓(VTH)、優秀的次臨界擺幅(S.S.)等特色，並以鎳(Ni)金屬當作汲極、源極電極能減少與通道層之間的接觸電阻。但是a-IWO存在著本質上的缺點，例如對環境敏感性高、缺陷容易形成等，進而影響元件的穩定性。為了提升元件穩定性及減少缺陷的形成，在通道層沉積完成後利用三種不同的氧處理方式，分別為快速熱退火(RTO)、氧電漿處理、微波熱退火(MWA)對元件通道層進行修復。最後去進行穩定度測試，比較通道層未經過任何處理與經由三種不同氧處理方式的元件。經由穩定度測試後發現有進行氧處理的元件都
會有比較好的穩定性，而在氧處理的條件當中快速熱退火的元件會有最好的穩定性。