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李嗣涔科學套書：《靈界的科學》+《撓場的科學》

為了解決電位 自由能的問題，作者李嗣涔 這樣論述：

★台大榮譽教授、暢銷作家 李嗣涔 科學套書★ ★用科學，帶你深入淺出「靈界」與「撓場」議題★   　　●《靈界的科學》書籍介紹   　　台灣首位揭開「靈界」神祕面紗的科學家 李嗣涔博士 　　突破科學疆界，打開宇宙真相的潘朵拉之盒──  　　「用科學證實靈界的存在！」   　　／原來在我們的世界之外，真有神、佛、靈界？ 　　真實的宇宙，不只是單一時空的陽間，而是陰陽間俱在的複數時空？／   　　美國史丹福大學電機博士、前臺大校長李嗣涔， 　　本著「實驗，是檢驗真理之唯一標準」的信念， 　　耗費25年心血，投入手指識字、念力等特異功能的科學實證研究。 　　在眾物理學家、心理學家的共同見證下，

　　發現用「神」、「佛」、「菩薩」、「耶穌」等宗教神聖字彙， 　　能讓高功能人士在大腦螢幕中「看到」異象。 　　並可以透過意識和靈界內的高智能者對話， 　　逐漸解開當代科學難解的謎── 　　暗質、暗能、超光速的量子糾纏、特異功能、外星文明！   本書特色   　　▍「靈界」的科學解密：　　　 　　➣看不見的靈界，就在身邊 　　真實的宇宙，是一個八度空間的「複數時空」。 　　我們身處的物質世界為四度的實數時空，另一個四度的虛數時空，就是俗稱的「靈界」。   　　➣意識，其實是一種量子現象 　　任何一個實數時空的物體，在實虛空間都有一個形狀一樣的結構，此為「一物兩象」。 　　只要物體進入宏觀量子狀

態，當虛數部分出現，意識就出現了，因此萬物皆有靈。   　　➣引領人類未來文明的發展 　　本書帶我們從微觀的量子世界，到意識才能抵達的靈界， 　　再去遨遊星際宇宙，探訪外星先進文明汲取智慧， 　　重新認知所在的真實世界，更照亮了未知的世界，人類文明的無限可能就在其中。   　　「我一步一步地把它弄清楚，開始了解這些神奇的東西原來背後是有更大的世界在運作； 　　因為你不知道，所以覺得它特異；一旦知道以後它會變成科學的一環， 　　你就可以接受它、利用它，我們的文明就會往前躍進一大步。」──李嗣涔博士   　　●《撓場的科學》書籍介紹   　　李嗣涔博士結合最新實驗研究發現， 　　以穿梭陰陽界的「撓

場」科學解密，成就人類大躍進的下一步！   　　從解開特斯拉日誌機密、風水原理， 　　領航靈界取能、星際通訊、物理農業和醫療新科技，可望解決能源危機， 　　預言21世紀的「撓力文明」即將興起！   　　★★★ 　　「屬於廣義相對論的撓場名不見經傳， 　　   卻是最神奇的力場，會帶出靈界的能量。」──李嗣涔博士 　　★★★ 　  　　本書是李嗣涔博士15年來探討「撓場」實證精華與最新研究心血！ 　　2004年，他首次接觸到物體自旋會引發時空扭曲的「撓場」理論。 　　2014年，他從交流電馬達之父尼古拉‧特斯拉的日誌， 　　獲悉百年前特斯拉就已記載的── 　　「真空取能」、「外星通訊」、「 特斯

拉線圈」等機密， 　　正好和他多年來驗證的「撓場」研究，相互印證！ 　  　　「撓場」的現身，不僅解釋百年前「特斯拉來不及說的秘密」， 　　更能讓現代人將這些新知應用、開發， 　　可望「解決能源危機」，「撓力文明」更預告了人類發展新紀元！ 　　  　　〈 本書精華 〉 　　➣氣場，就是一種撓場 　　撓場及水晶氣場均可以穿透金屬及大部分物質，但會被水屏蔽， 　　經過多次實驗判斷，兩者物理性質極為類似，水晶氣場的本質就是撓場。   　　➣撓場，是和靈界溝通的物理工具，可穿越時空 　　撓場可以穿梭陰陽兩個世界，把靈界的信息及能量帶到物質的實數世界。 　　因此用強大的水晶氣場就有可能打通兩個世界的障礙

，與另外一個世界通訊。 　　而且撓場在靈界的傳遞速度，超過光速，不但能傳向未來，也能傳向過去。   　　➣解開風水的神祕原理 　　傳統的風水就是在處理環境居家中物件的擺設所形成的幾何結構， 　　並用風或水調整氣場的位置與大小。 　　氣場可將物體虛像的動態信息、旋轉及放大的能量，以形形相印方式帶入物質世界， 　　造成相關人士身體的感應，產生吉凶禍福結果。 　　因此撓場穿梭陰陽的氣場行為，就是傳統風水的科學基礎。 　　「物理農業」也得以發展，減少化學農業對環境的傷害。   　　➣完成特斯拉未竟的理想──虛空取能 　　特斯拉曾申請一個電磁線圈的專利，用來抽取環境的能量。 　　這種設計其實是一種撓場產

生器的結構。 　　撓場可以穿入虛數空間，把裡面所儲存的能量帶到實數空間， 　　讓一個發電機產生的能量大於輸入的能量，因此這種發電機可以虛空取能。 　　開發物理世界的第五種力場「撓場」，可望打破實數世界「能量不滅定律」。 　　  　　「撓場撕裂時空所產生的力量，也是特斯拉一百多年前所「幻想」的世界， 　　21世紀新的撓力文明已經在我面前展開。」──李嗣涔博士   名人推薦（按姓氏筆畫排列）   　　國立自然科學博物館館長            孫維新 　　暢銷作家、《靈界的譯者》作者            索非亞 　　長庚生技董事長            楊定一 

電位 自由能進入發燒排行的影片

研究穩定抗生物分子沾黏材料之分子結構設計、改質程序建構及生物醫學應用

為了解決電位 自由能的問題，作者唐碩禧 這樣論述：

　　自二戰時期到現在，生物惰性材料已發展超過80個年頭，科學家們已了解到利用氫鍵受體或是雙離子結構，可產生厚實的水合層來屏蔽生物分子。然而，進行生物惰性的改質時，由於表面自由能與粗糙度的影響，會讓改質劑難以良好地附著在材料表面上，並在乾燥過程中產生皺縮甚至龜裂的現象。此外，目前的化學接枝方式不但程序繁瑣又耗時，使用藥劑又對環境不友善。而更令人煩惱的是，目前絕大多數的改質劑都是使用具有酯類或是醯胺類官能基的壓克力材料，對於長時間在生物環境中使用會有水解的疑慮，進而導致使用壽命減少的風險產生。　　因此，本論文將分別著重在－改質物的附著性提升、快速化學接枝、抗水解之生物惰性結構設計等三部份進行探討

。以期望未來的生醫材料之設計與生產，能夠朝向穩定而快速的改質以及耐用來發展。　　本論文第一部份使用常壓空氣電漿進行5分鐘的表面活化，使表面氧元素增加24倍，並大幅降低改質物PS-co-PEGMA的聚集現象。而超音波微粒噴塗技術不但可精確控制改質密度達0.01 mg/cm2，且當達到0.3 mg/cm2時，表面即被改質物完整覆蓋。以此技術進行生化檢測盤改質，可提升8倍的檢測靈敏度，使試劑即便稀釋128倍，仍具有高度辨識性。　　本論文第二部份使用親水性雙離子環氧樹脂Poly(GMA-co-SBMA)搭配UV光固化技術，可使每平方公尺的PET不織布纖維薄膜僅需11.5 g的高分子，並照光不到30分鐘

，即可降低近8成的血液貼附及9成的細胞貼附。未來對於PU及PEEK的改質，或是應用在微流道及微型晶片實驗室之領域，這種一步驟快速化學接枝的清潔製程，具有相當大的應用潛力。　　本論文第三部份使用非壓克力型雙離子高分子zP(S-co-4VP)，對材料進行快速的自組裝塗佈改質。不但可降低98%的細菌與血液貼附量，且經過高溫濕式滅菌後的細菌貼附量僅上升74%，而壓克力型雙離子高分子P(S-co-SBMA)卻增加192%。這對於未來在發酵產業、反覆滅菌、長時間使用等需求來說，具有相當大的應用潛力。

物理化學

為了解決電位 自由能的問題，作者高憲明 這樣論述：

　　本書將物理化學概分成熱力學（第1章至第8章）、量子化學（第9章至第14章）和動力學（第15章至第17章）三大部分。作者透過多年教授物理化學之豐富經驗，並結合日常生活之相關知識，完成了本書的撰寫。內容深入淺出，每個環節都有詳細的說明，微積分基礎較弱的學生更為適用。每個章節並搭配一些重要的例題以提供學生演練的機會，並加深對此課程的了解。每章最後尚有各校研究所考題的精選綜合練習題目，並於書末附有詳解，希望藉由循序漸進地研讀本書，可以增進讀者對物理化學的信心，打好化學的紮實基礎。

利用第一原理計算研究二氧化碳在摻雜鉬的石墨烯上電化學還原反應

為了解決電位 自由能的問題，作者陳俊穎 這樣論述：

本篇利用密度泛函理論來計算在鉬摻雜石墨烯(Mo@Gra)上進行二氧化碳還原反應(CO2RR)，一般來說，還原二氧化碳的第一個步驟，主要會經過COOH*與HCOO*兩種吸附的前驅物。為了探討兩種前驅物的形成過程，使用了Fukui function 顯示吸附物在活性位置上的親核性，以此解釋COOH*與HCOO*的吸附機制，在我們的計算當中，這兩條路徑後續都會進一步還原成CH2O*，最終形成甲烷。在這兩條路徑上，形成HCOO*的路徑是放能的，但是位能決定步驟(Potential determining step, PDS)是HCOO*→H2COO*，需要吸能0.44 eV。而COOH* → CO*

+ H2O(l)則是需要0.31 eV，顯示在適當的還原電位底下，鉬催化劑可以有效的將CO2轉為CH4。此外，我們也將配位的碳原子改為氮原子(Mo@Gra3N)進行計算，雖然氮摻雜的確增強的前驅物的吸附活性，主要路徑還是跟Mo@Gra相似，PDS分別是HCOO*→H2COO*，需要吸能0.31 eV。而CO2*→ COOH*則是需要0.57 eV。但是考慮到我們的中心金屬對於水有更明顯的吸附能，我們計算了催化劑水合的穩定度，因此催化劑的起始模型是3H2O*Mo@Gra、3H2O*Mo3N@Gra與2H2O*OH*Mo3N@Gra三種。在水合的環境下反應路徑跟水合前的幾乎一致。在3H2O*Mo

@Gra 模型，在HCOO*路徑PDS是HCOO*→HCOOH* 需要吸能 0.50 eV，而COOH*的路徑PDS是CO2*→COOH*，產生CH4的起始電位是–0.25 V。而氮摻雜模型可以分兩部分來討論:在低電位下以2H2O*OH*Mo3N@Gra為模型HCOO*路徑PDS是CH4(g)H2O*OH*O*→CH4(g)H2O*2OH*，產生CH4的起始電位是–0.46 V。而在更高的電位會以3H2O*Mo3N@Gra為模型，HCOO*路徑PDS是HCOO*→CH2OO*，產生CH4的起始電位是–0.70 V。相較於使用其他金屬模型而言，其所需的還原電位和無水的情況下並沒有明顯改變，顯示以

鉬為金屬中心對水合反應的影響有較好的抗性，另外根據我們所計算的Partial density of states (PDOS) 和電子分析也可以佐證這個結果。