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電壓電阻計算的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包
電壓電阻計算的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦位明先寫的 電子儀表量測 - 最新版(第三版) - 附MOSME行動學習一點通：診斷 和DK出版社編輯群的 超簡單物理課：自然科超高效學習指南都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自台科大 和大石國際文化所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 侯拓宏所指導 葉淑銘的 應用於脈衝神經元之閥門開關選擇器： 元件特性分析與模型開發 （2021），提出電壓電阻計算關鍵因素是什麼，來自於脈衝神經元、閾值開關選擇器、模型開發。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電子研究所 林炯源、簡昭欣所指導 歐仲鎧的 具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算 （2021），提出因為有 過渡金屬二硫屬化物、二維材料、密度泛函理論、二硫化鎢、非平衡格林函數、p型接觸、p型電晶體的重點而找出了 電壓電阻計算的解答。
電子儀表量測 - 最新版(第三版) - 附MOSME行動學習一點通：診斷
為了解決電壓電阻計算 的問題，作者位明先 這樣論述：
本書章節編排循序漸進，由基本物理開始到整體電子電路的量測為止，讓學習者能對電子儀表量測有系統性的了解。並且在介紹各種量測之前，先就所需使用的儀表特性及操作做說明，配合測量的實例說明，能讓學習者有更完整的測量概念。每章後面附有重點重理與學後評量，期望能由教授者帶領，讓學習者藉由思考及討論題目的過程，對每一章節的內容能加以統合延伸。
應用於脈衝神經元之閥門開關選擇器： 元件特性分析與模型開發
為了解決電壓電阻計算 的問題，作者葉淑銘 這樣論述：
隨著這個世代對數據存儲與處理的需求不斷增長，使用傳統馮諾依曼(von-Neumann)架構的計算系統面臨著速度上的限制。這是因爲傳統馮諾依曼架構中分離的處理器和記憶體單元之間頻繁的數據傳輸使得計算效率無法提升。近年來，受人類大腦運作模式啟發的類神經計算(brain-inspired computing)成為一個引人注目的話題。與傳統計算系統不同的是，類神經計算(neuromorphic computing)通過使用交錯式記憶體陣列(crossbar memory array)實現記憶體內計算(in-memory computing)，進而縮短了數據傳輸的時間延遲。因此，類神經計算被視為非常有
潛力成為非馮諾依曼架構之候選人。為了開發具有高性能、低功耗特性的類神經計算硬體，使用元件為基礎(device-based)之人工突觸(synapse)和神經元(neuron)受到廣泛的研究。其中，利用閾值切換(threshold switching，TS)選擇器(selector)所構建之人工神經元有著比傳統以CMOS所建構之神經元電路面積小40倍的優勢，因此被認為是前景看好的候選人之一。因此，學術界提出了一個電路層級之模型來進一步研究 TS 神經元的行爲。此模型透過考慮神經元電路中的電阻電容延遲(RC delay) 來執行 TS 神經元之行為。然而，該模型並沒有考慮 TS 神經元中 TS 選
擇器的實際元件特性。因此，目前還缺乏一個有綜合考慮TS 神經元元件特性以及電路RC 延遲的模型。在本論文中，我們構建了一個以成核理論(nucleation theory)爲基礎的電壓-時間轉換模型(V-t transition model)來預測和模擬 TS 神經元的行為。據我們所知，這是第一個詳細考慮了 TS 選擇器中元件成核條件的 TS 神經元模型。模擬結果也顯示了 TS 選擇器的元件特性與 TS 神經元行為之間存在很強的相關性。最后，此V-t 模型為 TS 神經元的未來發展提供了一個良好的設計方針：即具有低 τ0 的 TS 選擇器是首選。因此，模擬結果顯示，與IMT (insulator
-metal-transition) 和Ag-based神經元相比，具有極小τ0的OTS (ovonic threshold switching) 神經元擁有最理想的特性。
超簡單物理課：自然科超高效學習指南
為了解決電壓電阻計算 的問題，作者DK出版社編輯群 這樣論述：
從最基本的能量轉換到力與運動的關係，從到波的各種形式到光學原理，從電路的基本法則到磁場與電磁學──物理這門科學的牽涉範圍之廣、資訊量之龐大，時常讓人難以招架。學生為了應付考試只能強記，物理學也因此成為許多人學生時代的夢魘。 這套最新的基礎科學學習指南系列，就是從輔助學生課堂理解出發，針對自然科琳瑯滿目的重點逐一突破，快速解除學習挫折感。《超簡單物理課》把物理的內容分成超過250 個環環相扣的觀念全面講解，透過精細的繪圖與照片，配上條理清晰的文字說明，從物理的科學方法與思考要領開始，依序進入能量、運動、力學、波動、光學、電路、磁場、電磁學、物質、壓力、原子與放射性以
及太空等主題，幾乎每一頁都附有容易消化與加深印象的重點提示與補充說明，幫助融會貫通。DK 發揮一貫強大的博物館式圖文整合能力，讓讀者在研讀每個觀念時，就宛如進入一座迷你主題博物館，得到不同於教科書的學習體驗。 本書的內容架構不但有利於學生參照課堂進度來學習，也便於初次接觸物理的成人讀者尋找延伸閱讀方向，因此除了適合作為小學高年級到國中程度的補充讀物，也是其他年齡層讀者認識物理的最佳入門參考書。 本書特色 ●全球百科權威DK理工編輯團隊第一套專為學校課程而設計的物理參考書。 ●章節規畫完整，涵蓋「物理課」所有內容與跨科主題：原子、力學、光學、電磁學。 ●高品質的照片與繪圖，
搭配一目瞭然的圖解式教學架構，精準解析基礎物理核心概念。 ●視覺化的物理概念說明，快速查找內容綱要、釐清重點，提升遠距教學與居家自習效率。
具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算
為了解決電壓電阻計算 的問題，作者歐仲鎧 這樣論述：
實驗室所製作的過渡金屬二硫族化合物(含一定濃度缺陷)二維電晶體，由於費米能釘札導致其p型接觸非常稀少；另一方面，電腦計算模擬所對應的上述理想結構(二維材料無缺陷)則可在高功函數金屬顯出為p型接觸，但仍未達到足夠低的電洞蕭特基位障。因此本文提出一種金屬性的超材料硫氮化鎢作為傳統金屬與半導體通道之間的緩衝層。其結構的形成可揣摩是由簡單的metal/WS2側接觸做為出發，我將鄰近介面處一定面積的上排硫原子置換為氮。以第一原理及量子傳輸理論計算電子結構與傳輸電流。我發現在金屬與二硫化鎢之間僅需0.6奈米長的硫氮化鎢緩衝層，便可有效降低通道的電洞蕭特基位障：在以鉑為金屬電極的情形中，硫氮化鎢可使蕭特基
型的Pt/WS2側接觸轉變為歐姆特性，達成以單一二維材料實現互補式金屬氧化物半導體的目標。除了鉑電極，即便我採用低功函數的金屬鋁，在Al/WSN/WS2的結構，計算而得的蕭特基位障仍低至0.12 eV。上述鉑與鋁電極的計算結果表明，氮硫化鎢緩衝層顯著提升了選擇電極金屬的靈活性，令選擇不再受限於高功函數的貴重金屬：如金、鉑和鈀。我亦更進一步量化計算Pt/WSN/WS2在不同閘極電壓下的伏安特性，得出該結構有高達10^8的開關電流比和在汲極電壓50毫伏下231 µA/µm的導通電流(接觸電阻 ≈ 63.8Ω∙μm)。同時為驗證實驗製程時硫氮化鎢的穩定性，我們採用第一原理分子動力學在室溫下分別模擬氮
吸附、單顆氮取代硫和單層氮硫化鎢，發覺皆為穩定結構。