電子材料包的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

電子元器件（第2版）

為了解決電子材料包的問題，作者汪明添（主編） 這樣論述：

本書共分13章，第1~12章分別講解電阻器、電容器、電感器和變壓器、半導體器件、電接觸件、電聲器件、壓電器件、顯示器件、表面組裝元器件、集成電路、霍爾元件、電池，主要介紹它們的外形、符號、命名方法、工作特性、主要應用、使用注意事項、好壞判斷等；第13章講解電子材料，包括絕緣材料、導電材料和磁性材料，主要介紹它們的種類、基本性能和應用等。每章后面配有習題，書末配有實訓。本書是再版書，是對第1版教材的總結、提煉和更新；增加了電子材料部分的內容，強化實訓，鞏固基礎,豐富知識,使教材更適於實際需要。本書可作為高職高專院校電子類專業的教材，也可作為專業技校和相關領域工程技術人員的參考書。

第1章 電阻器第2章 電容器第3章 電感器和變壓器第4章 電接觸器件第5章 電聲器件第6章 壓電器件第7章 半導體器件第8章 光電器件和霍爾元件第9章 貼片元器件第10章 集成電路第11章 顯示器件第12章 電池第13章 電子材料附錄

電子材料包進入發燒排行的影片

優化採購管理之實務研究

為了解決電子材料包的問題，作者陳美芳 這樣論述：

電子製造業面對半導體物料交期的不確定性、訂單給予供應商前置時間（Lead Time）不足、臨時更改設計、客戶端的需求變化瞬息萬變加上不可抗力的偶發事件和天災人禍在在考驗管理者的因應能力。藉由個案公司了解可能面臨的供應鏈危機接續不上，如何降低生產線停工的危機及後續損失賠償降到最低。本研究期可提供企業優化現有的採購作業流程，持續改善採購管理效率之建議，並建議品牌廠商採購管理應著重於如何與供應商、外包廠商建立長期夥伴關係，進而持續改善作業流程及降低成本、提升企業採購總體績效，並且能讓企業對緊急訂單需求作出更快速的反應。在本研究討論中，透過對個案公司降低供應鏈風險增進採購效率的觀念探討分析，從而得出

結論，採購經過資訊系統協助更可達成風險共擔與資訊共享觀念，風險成本及代工廠轉運成本均可下降、對前置時間不足的緊急訂單應變能力提升。

電子材料(三版)

為了解決電子材料包的問題，作者張勁燕 這樣論述：

　　電子材料包括範圍很廣，材料結構、材料物理或化學、半導體、超導體、液晶顯示器、薄膜電晶體、積體光學、全像術、微機電、醫工、感測器等等·本書專注半導體一個領域。重點在製造半導體元件所用的各種材料；長晶材料、晶圓製程材料、製程用材料、機器設備用材料、無塵室和廠務設施用材料、封裝材料等，本書均有詳盡的敘述。 　　編著者十幾年來一直在從事半導體相關的教學、收集了不少寶貴的資料。以將近一年的時間編著了這本電子材料，祈望能給想從事半導體製造的同學們一項內容豐富、有力的教科書，業界工程師、研究生、教授老師們一項便捷的參考。 作者簡介 張勁燕 現職：逢甲大學電子系副教授 學歷：交通大學電子工程研究所博士

經歷：新加坡Intersil電子公司工程師　　　ITT環宇電子公司工程經理　　　台灣電子電腦公司半導體廠廠長、總經理　　　萬邦電子公司總工程師　　　明新工專電子科副教授（或兼科主任）　　　逢甲大學電機系副教授　　　逢甲大學電子系副教授（或兼系主任）　　　逢甲大學電子系副教授2001~迄今 代表著作：半導體製程設備，2000，五南圖書出版　　　　　工程倫理，2000，高立圖書公司　　　　　工業電子學，2001，五南圖書出版　　　　　深次微米矽製程技術，2002，五南圖書出版

以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體

為了解決電子材料包的問題，作者陳竑任 這樣論述：

矽基互補式金氧半場效電晶體的持續微縮遭遇短通道效應的限制，此限制從過去到未來的發展導致了一連串的問題。包含汲極引發位障降低(Drain-induced Barrier Lowering, DIBL)、閘極引發漏電(Gate-induced Drain Leakage, GIDL)、擊穿(Punch-Through)、載子遷移率下降等等。在各種可能使電晶體微縮至1nm節點以下的新穎通道材料中，具原子尺度的二維材料不僅直觀上可克服短通道效應，使電晶體更進一步微縮，同時仍保持高載子遷移率。單原子層WS2為一種最常被研究的過渡金屬二硫族化合物(TMD)材料，實驗上已被作為電晶體的通道材料來使用，並展

示出高電流開關比、高載子遷移率及高熱穩定性。發展WS2電晶體最迫切的挑戰在於降低接觸電阻，在本論文中，我們施以第一原理量子傳輸計算來研究Metal/WS2與Metal/WSX/WS2側接觸，試圖以硫族元素之取代來降低蕭特基位障，因此減少接觸電阻。在此該取代使用了五族或七族元素取代單層WS2一側部分區域之硫族元素，產生超材料WSX (X= P, As, F, Cl, Br)的部分。另外，我們進一步比較該取代在界面金屬化與界面鍵結以及其在蕭特基位障的效果。如此之WSX緩衝接觸展示了p型Pt/WSP/WS2側接觸和n型Ti/WSCl/WS2側接觸的接觸電阻分別低至122.4Ω∙μm與97.9Ω∙μm

。此外，我們也利用第一原理分子動力學觀測到室溫下穩定的單層WSX。