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電流過載保護器6a的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦王鴻浩寫的 以Sub執行Function與電纜容積率查詢：Excel VBA在電氣工程設計之應用(附光碟) 和黃海平 編著的 電工電路實踐接線都 可以從中找到所需的評價。
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這兩本書分別來自詹氏 和科學出版社所出版 。
淡江大學 化學工程與材料工程學系碩士班 鄭東文所指導 楊汶姍的 製備穩定之油相奈米銀顆粒懸浮液 （2016），提出電流過載保護器6a關鍵因素是什麼，來自於奈米銀顆粒、奈米結構、化學合成、滴塗法、導電薄膜、導電圖騰、懸浮液、油相。
而第二篇論文國立交通大學 光電工程研究所 劉柏村所指導 張建民的 高效能低操作偏壓非晶氧化銦鎢薄膜電晶體之研究 （2016），提出因為有 非晶氧化物半導體、氧化銦鎢薄膜電晶體、超薄通道元件、無接面元件、低操作偏壓的重點而找出了 電流過載保護器6a的解答。
最後網站6A 小型無熔絲開關 - 今華則補充：過載保護器電流 範圍:6.0Amp ○ 過載保護器電壓範圍:125/250Vav 32Vdc ○ 過載保護器復位時間:Within 60 sec ○ 過載保護器跳脫時間:Overload 200% 5~30sec
以Sub執行Function與電纜容積率查詢：Excel VBA在電氣工程設計之應用(附光碟)
為了解決電流過載保護器6a 的問題，作者王鴻浩 這樣論述：
國內第一部系列叢書介紹Excel VBA在電氣工程設計之應用，諸如電流、電壓降計算，線徑、管徑選擇與電纜容積率查詢等。利用Excel VBA讓這些計算、篩選、查詢等自動執行既正確又迅速，書本內的程式碼全部公開透明、簡單易懂、可以套用與修改，是從事電氣工程設計必備的工具書。擁有這些書不僅可以提升執行效率、更難得的是可以與作者直接討論諮詢，得到作者的免費服務與教導。 在電氣工程設計中有關負載電流計算、電壓降計算、線徑選擇、管徑選擇、電纜容積率查詢等是個相當重的工作量，若能以Excel VBA來讓這些計算、選擇、查詢等自動的產生，將會節省許多工時又正確，而市面上有關Excel VBA
的書籍只針對一般大眾使用者來寫，並沒有專門針對上述的需求來寫，這對於電氣設計人員來說，寫這些程式相當困難，而這本書正可以解決這個問題，更可貴的是，若您對書中有任何不懂的地方，作者歡迎您與他共同研討，讓程式更便利更友善，進而協助更多的人。 ■ 適用對象 ☆ 電機工程師 ☆ 從事電氣工程設計者 ☆ 工程顧問公司 ☆ 電機技師事務所 ☆ 個人電氣設計工作室
製備穩定之油相奈米銀顆粒懸浮液
為了解決電流過載保護器6a 的問題，作者楊汶姍 這樣論述：
電子產品目前充斥在我們的生活當中，而無論電子產品的功能為何，都需要導線來傳遞電流，才能有效製作出品質良好的電子元件，一般來說，金、銀、銅等金屬是常見的印刷用油墨材料。在選擇印刷油墨上，較為理想的金屬油墨須具備以下特點：(1)良好的材料穩定性。(2)易於準備。(3)價格低廉。而製備出來的墨水都必具備以下條件: (1)合成出品質良好，不會產生顆粒絮凝現象。(2)成膜後的導電度高。於此研究中我們將針對如何調配出穩定懸浮的導電油墨、增強墨水與基材的貼合，並尋求最佳化印刷品質之條件。我們擬開發非水性導電油墨，以化學反應合成出品質良好的金屬導電油墨，搭配不同配方之調整，以調配出穩定的分散相溶液系統，並對
其中穩定機制以及相關應用做詳細之探討，並利用製備之分散相溶液，搭配滴定塗佈技術製作導電薄膜，並更進一步製作成導電圖騰。實驗中以硝酸銀為金屬前驅物，藉由加入界面活性劑及保護劑，以抗敗血酸作為還原劑。經由一連串的配方調整，目前已開發出非水性導電油墨，懸浮液體之穩定性能維持1年以上不產生顆粒沉降。以載玻片為塗佈之基材，塗佈後放置於高溫中燒結成膜，薄膜片電阻可達到< 0.6Ω /sq，而其導電圖騰電阻可達到3Ω。
電工電路實踐接線
為了解決電流過載保護器6a 的問題，作者黃海平 編著 這樣論述：
本書為「電工技能入門到精通」叢書之一，介紹各種電氣控制電路的工作原理及電路圖、接線圖，主要內容包括電動機起動電路接線、制動電路接線、速度控制電路接線、保護電路接線、電容補償器及控制接線、倒順開關和轉換開關應用電路接線、照明控制電路接線、電能表及測量電路接線、定時控制電路接線、溫度控制及溫控儀實際接線、供排水控制電路接線、變頻器及軟起動器控制電路接線等。內容全面，圖文並茂，極具實用性。 黃海平，電氣專家，中國科普作家協會會員，電工電子圖書「金牌作者」，電工類暢銷書作者，電工電子領域專家指導委員會專家。
高效能低操作偏壓非晶氧化銦鎢薄膜電晶體之研究
為了解決電流過載保護器6a 的問題，作者張建民 這樣論述：
近年來，透明非晶態金屬氧化物半導體蓬勃迅速的發展，源自於其具有高載子遷移率(mobility)、高透明度、低製程溫度及相容於現有的顯示器製程等優異特性。在眾多氧化物半導體中，其中又以具有優異的元件電流驅動能力、均一性及穩定性等特性的氧化銦鎵鋅材料最被廣泛的研究，且被認為最具潛力成為下個世代的薄膜電晶體材料。然而未來顯示器如大尺寸高解析度的面板、有機發光顯示器及軟性電子元件等相關應用的快速發展，銦鎵鋅氧化物半導體已漸漸不敷使用。故本論文著重於開發高效能、低功耗的非晶態氧化銦鎢薄膜電晶體，此新穎的氧化銦鎢電晶體優勢為： (1) 利用具有高載子濃度的氧化銦為主體並摻雜少量的鎢元素，藉由鎢與氧原子間
的高鍵解離能(bond-dissociation energy)降低薄膜中氧空缺數量並提升元件穩定性； (2) 利用超薄的氧化銦鎢薄膜(約為4奈米)作為通道層與高介電係數材料二氧化鉿(HfO2)作為閘極絕緣層的薄膜電晶體，達成低臨界電壓(threshold voltage)、優異的次臨界擺幅(subthreshold swing)、高的電流開關比(Ion/Ioff ratio)及高的驅動電流(drain current)等特點。藉由超薄的氧化銦鎢薄膜通道層，這個無接面(junctionless)的氧化銦鎢元件可以在通道達到全空乏(fully depletion)，進而提升閘極對元件的控制力並提
高元件開關速度及降低元件漏電流等特性。我們也探討了閘極絕緣層實施沉積後退火(post deposition annealing)的影響，研究發現後退火處理可以提升元件的穩定性，而其載子遷移率可達25.3 cm2/V-s、0.01 V的臨界電壓及76 mV/dec.的優異次臨界擺幅以及其元件操作電壓可降為-1 V至2 V。此外，透過直接利用氧化銦鎢薄膜電晶體進行元件電容量測，可更精確的萃取出閘極絕緣層(二氧化鉿)的介電常數(dielectric constant)。另一方面，我們研究新型的有機負型環氧樹脂(epoxy-based negative photoresist, SU-8)溶液應用於氧
化銦鎢薄膜電晶體作為元件保護層(passivation layer)。因SU-8材料具有優異的保護力及與外界隔絕能力，可避免環境中的氧氣及水氣的擴散而吸附在元件的背通道，進而影響元件的穩定性。透過一系列的可靠度測試，例如：閘極偏壓測試(gate bias stress)、溫度偏壓測試(temperature bias stress)、照光下的負偏壓測試(negative bias illumination stress)以及長時間高溫度與高濕度的嚴苛環境測試(high temperature/humidity test)，驗證SU-8材料應於薄膜電晶體保護層是具有相當大的潛力。在本論文中，我們
透過無接面超薄的氧化銦鎢薄膜作為通道層，且利用高介電常數的二氧化鉿材料作為閘極絕緣層，並利用新型SU-8材料作為元件保護層，成功地開發出高效能及低操作偏壓的薄膜電晶體，其優異的元件特性包含了低的臨界電壓為0.054 V、高的載子遷移率為24.3 cm2/V-s、優異的次臨界擺幅為76 mV/dec.、超低的元件操作偏壓為 -1 V至2 V(可大幅降低元件功耗)以及在不同可靠度測試下展現的高元件穩定性，顯示出此超薄氧化銦鎢電晶體具有相當大的潛力用於未來顯示及軟性電子元件等相關應用。除此之外，氧化銦鎢薄膜電晶體的超低操作偏壓特性是非常適合發展大型積體電路(large-scale integrati
on)的相關應用，例如三維晶片(3D IC)及混合互補式薄膜電晶體(hybrid CMOS)等技術。我們也探討了閘極絕緣層實施沉積後退火(post deposition annealing)的影響，研究發現後退火處理可以提升元件的穩定性，而其載子遷移率可達25.3 cm2/V-s、0.01 V的臨界電壓及76 mV/dec.的優異次臨界擺幅以及其元件操作電壓可降為-1 V至2 V。此外，透過直接利用氧化銦鎢薄膜電晶體進行元件電容量測，可更精確的萃取出閘極絕緣層(二氧化鉿)的介電常數(dielectric constant)。另一方面，我們研究新型的有機負型環氧樹脂(epoxy-based ne
gative photoresist, SU-8)溶液應用於氧化銦鎢薄膜電晶體作為元件保護層(passivation layer)。因SU-8材料具有優異的保護力及與外界隔絕能力，可避免環境中的氧氣及水氣的擴散而吸附在元件的背通道，進而影響元件的穩定性。透過一系列的可靠度測試，例如：閘極偏壓測試(gate bias stress)、溫度偏壓測試(temperature bias stress)、照光下的負偏壓測試(negative bias illumination stress)以及長時間高溫度與高濕度的嚴苛環境測試(high temperature/humidity test)，驗證SU-
8材料應於薄膜電晶體保護層是具有相當大的潛力。在本論文中，我們透過無接面超薄的氧化銦鎢薄膜作為通道層，且利用高介電常數的二氧化鉿材料作為閘極絕緣層，並利用新型SU-8材料作為元件保護層，成功地開發出高效能及低操作偏壓的薄膜電晶體，其優異的元件特性包含了低的臨界電壓為0.054 V、高的載子遷移率為24.3 cm2/V-s、優異的次臨界擺幅為76 mV/dec.、超低的元件操作偏壓為 -1 V至2 V(可大幅降低元件功耗)以及在不同可靠度測試下展現的高元件穩定性，顯示出此超薄氧化銦鎢電晶體具有相當大的潛力用於未來顯示及軟性電子元件等相關應用。除此之外，氧化銦鎢薄膜電晶體的超低操作偏壓特性是非常適
合發展大型積體電路(large-scale integration)的相關應用，例如三維晶片(3D IC)及混合互補式薄膜電晶體(hybrid CMOS)等技術。