靜電吸盤的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

VLSI概論

為了解決靜電吸盤的問題，作者張勁燕 這樣論述：

　　 矽積體電路製程的特徵尺寸縮小到深次微米(deep submicron meter)，經歷幾個階段，0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.13μm，現階段以達到0.10μm0.07μm。相關的製程、設備、材料或場務設施，都有革命性的更新和進步。微影照像是受到影響最大的製程。DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數材料使電容量保持夠大。金屬化製程、阻障層、內嵌、快閃、鐵電記憶體結構等。高深寬比的乾蝕刻製程需要高密度電漿；降低阻容延遲(RC delay)使用低介電常數材料和銅製程。新製程有雙大馬士革(dual damascene)、電鍍(electro plating)、

無電極電鍍(electroless plating)和∕或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。21世紀－奈米元件更製作出單電子電晶體。晶圓尺寸由8吋擴大到12吋，為的不止是提高良率、提高機器使用率；也考慮到生產力，節省工廠面積、還要兼顧人工學(ergonomics)和減少化學藥液以利環保。 　　本書配合拙著電子材料、半導體製程設備、工業電子學構成一完整系列。期望給想從事半導體的同學和研究生，或和半導體製程相關行業的工程師、經理、教授、老師們一項便捷的參考。 作者簡介 張勁燕 學歷：交通大學電子工程研究所博士 經歷：明新工專電子科副教授（或兼科主任）逢甲大學電子系副教授逢甲大學電機系副教授（或兼

系主任） 現職：逢甲大學電子系副教授 專長　　半導體元件、物理　　VLSI製程設備及廠務　　奈米科技　　積體電路構裝

靜電吸盤進入發燒排行的影片

陶瓷吸盤靜電吸附功能改善之研究

為了解決靜電吸盤的問題，作者曾羿凱 這樣論述：

台灣半導體產業在國際的高科技供應鏈上扮演極為重要的角色，並且該產業中內蝕刻製程更為不可或缺的部門之一。在半導體蝕刻製程中，陶瓷靜電吸盤主要功能為吸附矽晶圓(Wafer)的產品。陶瓷靜電吸盤因為經常性地接收高溫且高電流的電漿轟擊陶瓷吸附表面及接合側邊，造成陶瓷吸盤容易因長時間轟擊有所損耗，導致陶瓷表面平面度不佳產生氦氣壓力從產品吸與陶瓷吸附表面及側邊洩漏。進而需耗費更換陶瓷吸附盤的工時及較高額的全新品做使用，故陶瓷靜電吸附盤也成為半導體蝕刻製程中主要高消耗零組件之一。故本研究著重重點是透過研磨機台以表面研磨方式恢復使用過後的陶瓷吸附盤表面平面度及其他影響吸附力之主要功能。從取回在工廠內機台上長

時間使用損壞下機的陶瓷靜電吸附盤，經過相對應測試設備及陶瓷表面研磨維修方式，訂定針對陶瓷表面粗糙度、平面度、氦氣壓力及氦氣漏率、漏電流等相關實驗流程。進而得到驗證陶瓷表面研磨實驗是否能真正使下機品恢復原有的吸附能力及保壓效果。實驗結果證實，取回下機品後，測試陶瓷吸附盤吸附產品矽晶圓時資料顯示，保壓能力極為不佳。在真空腔體內持續測試3分鐘時即會因為氦氣洩漏導致吸附力不佳跳片，出現無法持續供給氣體而中斷測試。然而在經過本研究維修手法進行表面研磨維修，針對上述氦氣洩漏異常所列出幾項重點觀察數據，恢復原有的硬體數據。進而再次測試氦氣壓力值可以達到維持超過5分鐘，壓力值能保持在50 Torr以上不會再跳

片。證實此維修手法初步效果有達成，此方法的確能恢復原有的吸附功能，就等實際將維修後的陶瓷靜電吸附盤換上廠內使用機台進行驗證。