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新型氮化鎵發光二極體光電特性及可靠度之研究

為了解決高雄lamp被擋的問題，作者張雅芳 這樣論述：

本論文將探討具備相同正向光強度之側向磊晶晶粒與p型氮化鎵表面矽處理晶粒經封裝後之正向光強度與光功率差異之原因，並進行此兩種晶粒之抗靜電能力測試與不同環境溫度、不同操作電流的壽命測試，判斷兩種晶粒各方面特性之優劣與差異，並分析造成差異之原因。 側向磊晶晶粒在封裝後有較高的正向光強度5.46 cd，p型氮化鎵表面矽處理晶粒僅有3.31 cd，但兩者之光功率分別15.43、15.18 mW，差異並不大，因p型氮化鎵表面矽處理晶粒之光場與主軸光分布偏向p極，故封裝後亮度無法提升至如側向磊晶晶粒程度。p型氮化鎵表面矽處理晶粒有電流分布不均之情形，造成晶粒本身較低的抗順向靜電電壓能力，差排會造成抗

靜電能力的降低，因此側向磊晶晶粒有較p型氮化鎵表面矽處理晶粒更高的抗逆向靜電電壓能力。在業界慣用條件：封裝成品在高溫（85˚C）、常濕（55%RH）、20 mA下，側向磊晶晶粒較p型氮化鎵表面矽處理晶粒之光衰情況減少11.80%，p型氮化鎵表面矽處理晶粒因有第二層p型氮化鎵磊晶層，可以阻擋電極金屬因電遷移由差排進入磊晶層，因此有較低的漏電流。 本研究藉由相異磊晶製程之氮化鎵發光二極體的各種測試，驗證兩種晶粒封裝後光強度的差異、抗靜電能力之優劣及在各種條件下之壽命測試老化情況，進而分析及解釋其原因，以作為客訴分析系統與可靠度品質系統之參考資料，以掌握產品特性及提升產品之競爭力。關鍵字：氮化

鎵、光強度、靜電測試、壽命測試