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0/0極限的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦日本NewtonPress寫的 無限：「沒有極限」到底是什麼意思? 少年伽利略31 和吳佳璇的 一路向南：浪人醫師的徒步台灣西海岸都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自人人出版 和時報出版所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 簡昭欣、鄭兆欽所指導 鍾昀晏的 二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用 （2021），提出0/0極限關鍵因素是什麼，來自於二維材料、二硫化鉬、二硫化鎢、二維電晶體、記憶體元件、邏輯閘。
而第二篇論文國立陽明交通大學 材料科學與工程學系所 曾院介所指導 余家賢的 三端自旋軌道磁矩記憶體讀寫特性之研究 （2021），提出因為有 自旋軌道磁矩、磁性隨機存取記憶體、三端讀取及寫入的重點而找出了 0/0極限的解答。
無限：「沒有極限」到底是什麼意思? 少年伽利略31
為了解決0/0極限 的問題，作者日本NewtonPress 這樣論述：
★日本牛頓獨家授權，全彩豐富圖解 ★80頁內容輕量化，價格門檻低，減輕入門門檻 ★適合國中生輔助學習課程內容 一般而言，無限代表「沒有極限」，這是什麼意思呢？如繁星般無限龐大的數字，理論上總有一天可以數完。 無限其實在科學世界裡別具意義。例如圓周率小數點以下的位數，就真的會「無限」地繼續下去，無從得知最後一個數字是什麼；恆星塌縮成黑洞時，計算後發現密度將會達到無限大；微積分更是探討無限小的重要數學概念。像這樣，在研究微積分、黑洞、宇宙概念時都會用到無限。 其實，「∞」並不是一個數，然而我們仍然可以用來計算。「∞-∞」「∞×0」會發生什麼事情呢？透過本書認
識神祕的「無限」世界吧！ 系列特色 1. 日本牛頓出版社獨家授權。 2. 釐清脈絡，建立學習觀念，適合國三到高一以上對該主題有興趣者。 3. 一書一主題，範圍明確，知識更有系統，學習也更有效率。
二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用
為了解決0/0極限 的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：
半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載
子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的
記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as
sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。
一路向南：浪人醫師的徒步台灣西海岸
為了解決0/0極限 的問題，作者吳佳璇 這樣論述：
徒步台灣的念頭，在心裡蟄伏已久。 「騎車不是比較快？」門診護理師見我看診空檔常常掛在谷歌地圖上，忍不住提問。──吳佳璇 二○二○，新冠病毒大流行，世界移動暫停，台灣各地擠滿出不了國的人。經過蒸騰的夏日，徒步台灣的念頭又倏然出現。於是浪人醫師吳佳璇，脫下了醫師袍，來到行政院旁的十字路口，省道0公里，這裡是徒步壯遊的起點。其實出發前一晚，都還沒拿定主意，該走西岸還是東岸……只知道這趟旅程，一路向南。 ↓一路向南↓ 從台一線省道0公里的車流湧動，走到恆春的國境之南 橫跨一年半的接力徒步，總長500公里 從一個人，走到一群人；穿越了四季、風土與歷史
一步步走成了我們腳底下的台灣 ↓徒步說書人↓ 三井倉庫、樂生療養院、新竹動物園、新港社、秋茂園、和美默園、鹿港龍山寺 三秀園、西螺大橋、北港朝天宮、國聖燈塔、逍遙園、池上一郎文庫、「獅頭社戰役」現場 風土人情、古蹟景點，一路漫談台灣歷史 ↓走路的人↓ 從一個人，走到一群人，從閒散輕裝，走到上癮重症 這裡沒有刻苦的徒步雞湯，但有結伴同行的人情百味 ↑未完待續↑ ．．．一路向北．．． 名人推薦 ＼推薦序／ 陳耀昌（台大醫學院名譽教授、《斯卡羅》原著作者） 傅裕惠（第九屆國藝會董事、劇場工作者與渴望走路的都市人） 小歐（四國遍
路同好會主持人、作家） ＼沿路推薦／ 木下諄一•作家│李偉文•牙醫師、作家、環保志工│徐銘謙•台灣千里步道協會副執行長│康文炳•資深編輯人│張景森•政務委員│ 陳錦煌•醫師、新港文教基金會創會董事長│黃崇凱•小說家│鄧惠文•精神科醫師、榮格心理分析師 「有劍有肝膽」。她別出心裁設計了一個「徒步、接力、深度」新模式，「全島而非環島」的新概念。――陳耀昌 我其實是會把她這一路向南、一路走入台灣的行動，視為一個最誠懇和最具企圖心的「環島行為藝術計畫」。――傅裕惠 與其說是一本台灣徒步遊記，不如說是一種生活模型，一種實踐哲學，更是一種走路體質的最佳範例。――小歐
三端自旋軌道磁矩記憶體讀寫特性之研究
為了解決0/0極限 的問題，作者余家賢 這樣論述：
本研究與工研院電光所合作，主要針對其開發之三端自旋軌道磁矩記憶體(three-terminal iSOT-MRAM)元件進行讀取、寫入及讀寫交互影響所產生的特性分析。針對讀取的方面，首先就自旋轉移磁矩記憶體(STT)端進行分析，採用改變磁場對元件的角度並比較於外加磁場下其翻轉行為是否與尺寸較小之STT-MRAM元件有所不同。將所得到之不同角度下的翻轉場作圖並與不同模型進行比對，發現小尺寸的STT-MRAM元件可以得到Stoner-Wohlfarth單磁疇翻轉的模型，而大尺寸的iSOT-MRAM元件則可得到Kondorsky多磁疇翻轉的模型。接著在寫入端則就SOT端進行分析，透過RVS、CVS
分析重金屬層可承受的極限電壓，並改變電流方向及大小，可看到其翻轉方向會隨自旋電流方向而有所變化。最後，由於此元件為three-terminal 的2T1R的設計，本研究就three-terminal這部分進行分析，同時在STT及SOT兩端通電，得到SOT隨著電流方向不同是可以和STT相互競爭或加乘的結論，元件約在STT端通過10mV下會產生反向翻轉，並分析得到SOT的貢獻是影響此效應的主要原因。而綜合上述實驗結果也可得出在次微米大小的元件中在STT端通過100mV進行讀取較為合適，且各尺寸的元件性質差異不大，若蝕刻技術允許可嘗試繼續微縮尺寸，以期使未來實際應用更為方便。