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國立聯合大學 電子工程學系碩士班 林育賢、吳永俊所指導 魏孫伶的 利用電漿處理雙層結構二氧化鉿電阻式記憶體在類神經元件上的應用 （2020），提出0W-40 Mobil關鍵因素是什麼，來自於電阻式記憶體、電漿處理、類神經元件應用。
而第二篇論文國立中興大學 材料科學與工程學系所 薛富盛所指導 陳奉寬的 以磁控濺鍍法製備鋁和鎂摻雜之氧化鋅透明導電膜之結構與光電性質研究 （2020），提出因為有 氧化鋅、氧化鋅鎂、磁控濺鍍、電子特性、光學特性、退火、基板溫度的重點而找出了 0W-40 Mobil的解答。
利用電漿處理雙層結構二氧化鉿電阻式記憶體在類神經元件上的應用
為了解決0W-40 Mobil 的問題，作者魏孫伶 這樣論述：
隨著電子產品的快速發展，人們對於電子展品中資料儲存的需求大大的增加，而近期與類神經做結合的記憶體也在蓬勃發展中。在主流的非揮發性記憶體中，電阻式記憶體具有非常大的競爭力，其擁有結構簡單、高密度、低耗能、非破壞性讀取以及快速的操作速度等優點，非常適合用於結合類神經元件的應用。然而，電阻式記憶體仍有許多問題需要克服，諸如切換機制、切換的穩定性、可靠度等問題皆是目前許多人在探討的方向。在本篇論文中，我們將使用雙層氧化物結構以及NH3等離子體處理，以此來改善電阻式記憶體的開關切換穩定性及可靠度，並分為六個章節進行討論。第一章將簡單的介紹常見的各式記憶體，第二章將詳細介紹電阻式記憶體不同的機制以及操作
方式，第三章將對我們所做的元件結構和製成做詳細的解說，在第四章會分析其直流電壓與電流的特性曲線，並討論在雙層氧化物以及等離子體於可靠度的改善，在第五章將會討論電阻式記憶體結合類神經的應用，並在第六章對實驗做出結論並討論其未來發展。
以磁控濺鍍法製備鋁和鎂摻雜之氧化鋅透明導電膜之結構與光電性質研究
為了解決0W-40 Mobil 的問題，作者陳奉寬 這樣論述：
本論文利用直流與射頻控濺鍍法，以多元陶瓷靶與合金靶在不同條件製備AZO與MgZnO薄膜於玻璃基板上，藉由改變鍍膜參數與製程條件來研究薄膜的結構與光電特性，研究結果與討論如下。在室溫下，分別使用直流和射頻磁控濺鍍法，將Al靶和ZnO靶共同製備AZO薄膜，並藉由不同大氣氛圍下退火，控制薄膜的結晶性和氧空位產生或消失，以達到光電元件優異的特性。藉由改變不同Al靶材能量，分別為0W、100W、150W、200W、250W；製備一系列複合AZO薄膜，結果發現，當能量在200W時可擁有最低電阻率3.19 × 10−4 Ω-cm和可見光(400~700)穿透率~90%。經過不同大氣下的退火，分別為合成氣體
(5% H2 in Ar)、Ar、O2，發現在退火條件為合成氣體下，電阻率進一步降為9.38 × 10−5 Ω-cm，可見光(400~700)並可維持穿透率~90%。當Al靶材能量超過200W，過多的能量反而使晶格產生扭曲而抑制晶粒成長，因此，Al靶材在高能量下，有降低結晶性的現象。退火在合成氣體下，可移除O2 ，並產生空位充當施體的角色，因而提升導電性，不過，退火在O2 大氣下，反而跟Al產生Al-O鍵結，阻礙載子移動，降低導電性。在製備MgZnO薄膜部分，藉由調整Al2O3的濃度比例，以射頻磁控濺鍍法控制MgZnO陶瓷靶，以達到具有寬能隙與低電阻的光電元件的特性。結果發現，在(002)的優
旋方位單一繞射峰，為六方晶系纖鋅礦結構，當Al2O3 在0~2wt%時，Al3+取代Zn2+位置，導致晶粒縮小，晶格收縮並可讓應力獲得釋放，然而，太多的摻雜也讓晶格產生扭曲，反而導致薄膜特性不佳。在Al2O3摻雜濃度達 2wt%，有最佳電阻率2.82×10−3 Ω-cm，能隙並增為3.632eV，可見光(400~800)並可維持穿透率～91%。當Al2O3 濃度比例超過2wt%，晶粒邊界開始析出Al-O叢聚的氧化物，反而降低載子濃度，和電子遷移率，影響薄膜特性。研究並藉由調整基板溫度(RT~400°C)來製備MgZnO薄膜，以達到具有寬能隙與低電阻的光電元件的特性。結果發現，在(002)的優旋
方位單一繞射峰，隨著基板溫度增加，原子有足夠能量擴散，晶粒也隨之成長，並降低晶粒邊界的散射，Al3+取代原本晶格的位置，增加電子遷移率。在高基板溫度下，Al濃度和O空位增加，載子濃度上升，因此在基板溫度400 °C時，擁有最佳電阻率2.82×10−3 Ω-cm，隨著基板溫度增加，能隙並增為3.632eV，原因是Burstein–Moss效應和Mg含量增加。