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南臺科技大學 光電工程系 鄒文正所指導 陳亮宇的 以射頻磁控濺鍍系統成長鈮摻雜二氧化鈦與二氧化矽薄膜製成Low-E glass之研究 （2019），提出150w燈泡關鍵因素是什麼，來自於鈮摻雜二氧化鈦、二氧化矽、低輻射玻璃、射頻磁控濺鍍機。
而第二篇論文國立臺灣大學 機械工程學研究所 黃秉鈞所指導 羅逸軒的 高功率LED之主動式散熱控制技術研究 （2008），提出因為有 LED、主動式散熱、高溫環境的重點而找出了 150w燈泡的解答。
以射頻磁控濺鍍系統成長鈮摻雜二氧化鈦與二氧化矽薄膜製成Low-E glass之研究
為了解決150w燈泡 的問題，作者陳亮宇 這樣論述：
本研究採用射頻磁控濺鍍技術(RF magnetron Sputter)於石英玻璃基板上成長TNO/SiO2薄膜，以這兩種材料製成布拉格反射結構，並設計反射區段為近紅外光區，來達到Low-E glass的效果，取代一般價格昂貴、易氧化不耐久性及高污染等問題的鍍銀的Low-E glass。透過改變製程時間，來控制成長的膜厚。之後，對不同退火溫度的薄膜使用多角度橢圓儀(ellipsometer) 、表面輪廓儀(α-step)、高解析掃描式電子顯微鏡(SEM)、X-射線繞射分析儀(XRD)、紫外光-可見光-近紅外光分光光譜儀(UV/Visible/NIR Spectrophotometer)進行分析
研究，找出適合製作布拉格反射結構的製程參數。研究過程中，利用高溫退火的多晶薄膜製成布拉格反射結構，藉由紫外光-可見光-近紅外光分光光譜儀分析，得知TNO與SiO2薄膜間有著較高的折射率差異，使得近紅外光區段反射效果較好，但多晶薄膜晶界會導致較嚴重的繞射現象，而使得可見光區的整體穿透率下降。降低退火溫度獲得非晶薄膜製作布拉格反射結構，在可見光區的繞射現象明顯地改善。實驗結果顯示，4對TNO/SiO2布拉格反射結構的樣品，可見光的平均穿透率為86.98%，且在近紅外光區有著38.53%的反射率；當樣品的薄膜結構增加至8對TNO/SiO2，可見光的平均穿透率些微降為80.92%，但在近紅外光區的反射
率增加到54.25%。本研究所製成的Low-E glass可以有效的阻擋近紅外光，且有著良好的可見光穿透率，雖然性能上略輸市售的多層玻璃分隔真空層並鍍銀的Low-E glass，但本研究的製作方式較為容易且成本較低，同時樣品具有自潔效果佳的高親水性表面。
高功率LED之主動式散熱控制技術研究
為了解決150w燈泡 的問題，作者羅逸軒 這樣論述：
本研究旨在開發LED主動式散熱技術，提供高功率LED在特殊高溫環境下(高頂建築、礦坑、工廠等)散熱所需。本研究利用DC 12V(48W)變頻壓縮機作為主動製冷元件，配合LED燈具設計，將冷凝器、膨脹閥及蒸發器等元件，和燈具硬體做結合，將LED照明時所產生的熱量散發至環境中。蒸發器固定於150W LED鋁基板上，透過銅管內冷媒循環傳遞熱量，將熱量從150W LED鋁基板傳導至冷凝器。冷凝器固定於燈具外殼的內壁，熱量從冷凝器傳導至燈具外殼，最後透過自然對流方式來散熱。另外，我們將量測到的LED鋁基板溫度進行回授控制，利用壓縮機變頻控制技術改變壓縮機的轉速，達到控制LED鋁基板溫度且節省壓縮機運轉
耗能之目的。在25℃的環境下，壓縮機平均耗能為26W，可將LED鋁基板溫度維持在50℃，壓縮機的COP達5.77，LED燈泡發光效率為85.2 lm/W；而在高溫40℃的環境下，壓縮機平均耗能為48W，LED鋁基板溫度維持在50℃，壓縮機的COP達3.13，LED燈泡發光效率為77 lm/W。