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淡江大學 機械與機電工程學系碩士班 趙崇禮所指導 郭柏漢的 機械化學研磨單晶碳化矽之砂輪開發 （2019），提出2011 C180 規格關鍵因素是什麼，來自於單晶碳化矽、磨削加工、機械化學磨削、表面粗糙度。
機械化學研磨單晶碳化矽之砂輪開發
為了解決2011 C180 規格 的問題，作者郭柏漢 這樣論述：
隨著科技的發展，高科技產品日新月異且要求越來越高，半導體朝著高功率、高頻率、低能源損耗的趨勢發展。而與使用傳統的單晶矽相比，單晶碳化矽可以減少大部分損失的能量，在效能上比目前所使用的單晶矽相比表現更佳，有望成為下一代半導體材料。但其為硬脆材料因此加工困難，表面光潔度及損傷層之問題仍需克服。本研究使用作為化學磨料的氧化鈰(CeO2)與機械磨料的鑽石以不同配比製作成之砂輪，以機械化學磨削(MCG)的方式對單晶4H-SiC進行加工。加工參數分為不同進刀量、乾溼式加工進行研究。最終在乾式加工下能得到表面粗糙度2.4nm(Ra)的碳化矽表面。