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國立臺北科技大學 能源與光電材料專班 陳生明 教授所指導 Subbiramaniyan Kubendhiran的 合成多種金屬硫化物及其碳奈米複合材 料的電化學感測器應用 （2017），提出2013 B200 CDI關鍵因素是什麼，來自於非酶、异质速率常数、协同活动、电催化、金属硫化物。
合成多種金屬硫化物及其碳奈米複合材 料的電化學感測器應用
為了解決2013 B200 CDI 的問題，作者Subbiramaniyan Kubendhiran 這樣論述：
關鍵詞：感測器ǵ電化學ǵ分析化學ǵ金屬ǵ非酵素型感測器ǵ協同作用ǵ硫化物本論文描述了電化學感測器應用中金屬硫化物及其複合物的設計ǵ合成與表面特性Ƕ電化學感測器在醫療和臨床分析以及工業和環境監測中有重要角色的地位Ƕ然而，一般電極的電極表面的結構ǵ選擇性和靈敏度影響電化學感測器的性能；另一方面，金屬硫化物由於其天然富含量高ǵ成本低，包括良好的導電性和好的循環穩定性等，其獨特的物理化學性質作為電極的替代材料相當適合Ƕ碳奈米材料作為良好的輔助材料，有助於改善修飾電極的電導率和電化學性能Ƕ因此，使用水熱法和電沉積技術製備多種金屬硫化物如ȐRuȑ，鉍ȐBiȑ，鎳ȐNiȑ和鈷ȐCoȑ硫化物及其複合物並通過
水熱法製備了硫化釕奈米粒子修飾的石墨片ȐRuS2 / AGȑǶ在合成 RuS2 /AG 奈米複合材料之前，石墨片透過使用硝酸鈰作為解鏈劑以一種非爆炸性ǵ非危險性和簡單的化學活化技術而獲得Ƕ應用 RuS2的優良電催化活性和 AG 較高的電導率測定抗精神病藥氯丙嗪ȐCPZȑǶ有趣的是，RuS2 / AG 奈米複合修飾電極在 0.60V的極低਼化電位下可以檢測到 CPZ，具有寬廣的線性範圍和極低的檢測限Ƕ同樣，利用一步和無模板的一鍋水熱合成法合成異質結構的單晶棒如硫化鉍/硫摻雜石墨II烯ȐSGr-Bi2S3ȑ奈米複合材料Ƕ在合成過程中，Bi2S3Ȑ核ȑ成功生長在 SGr 板上，使得 SGr 中的਼官
能基團更多Ƕ然後它會在 SGr 上成長，SGr 會將幾層 Bi2S3 包裹起來Ƕ此外，HRTEM 和 SAED 分析被用於利用反應位點的生長機構和取向，這加強了對色酸ȐTrpȑ的電催化性能而不是 Bi2S3 和 SGrǶ此外，使用簡單，低成本和快速的電化學沉積技術來製備兩種不同的過渡金屬硫化物，例如硫化鎳ȐNiSȑ和硫化鈷ȐCoSȑǶ一方面，在功能化炭黑Ȑf-CBȑ表面上沉積的小球形 NiSǶ廉價和高導電電性的 f-CB 奈米球被用作導電助劑，為了提高溶解度和電導率，通過簡單的回流方法使炭黑官能基化Ƕ另一方面，主軸狀結構 CoS 奈米片沉積在還原的਼化石墨烯的表面上Ƕ在電沉積過程中，碳奈米材
料如 f-CB 和 RGO 增強了 Ni2 +和Co2 +離子的吸附以及修飾電極的電導率Ƕ f-CB / NiS 修飾電極用於葡萄糖非酵素型的測定，具有高選擇性和高靈敏度的優異電化學性能Ƕ最後，CoS 奈米片修飾的 RGO被用於安培法來測定 H2O2Ƕ安培法研究說明了 CoS / RGO 奈米雜化物透過獲得寬廣的線性響應，較低檢測限和高靈敏度而表現出非常好的表現Ƕ此外，上述修飾電極顯示出良好的選擇性，靈敏度，穩定性和再現性Ƕ