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國立中興大學 機械工程學系所 陳志敏所指導 楊詠翔的 利用電化學阻抗譜分析氯化鈉溶液中的電極電容 （2021），提出2015 A250關鍵因素是什麼，來自於電雙層、電化學阻抗頻譜、電化學晶片。
而第二篇論文逢甲大學 化學工程學系 張棋榕所指導 蔡政廷的 可用於產氫之金屬錯合物/MoS2複合光觸媒與 MoS2@Ag2S/Ag之Z-Scheme光觸媒 （2020），提出因為有 光觸媒、產氫、二硫化鉬、花狀、金屬錯合物、硫化銀、銀、Z-Scheme、局部表面電漿共振的重點而找出了 2015 A250的解答。
2015 A250進入發燒排行的影片
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利用電化學阻抗譜分析氯化鈉溶液中的電極電容
為了解決2015 A250 的問題，作者楊詠翔 這樣論述：
本論文旨在研究平面電極和水溶液介面的電雙層結構。本研究利用電化學阻抗頻譜(Electrochemical Impedance Spectroscopy, EIS)量測分析電化學晶片平面金與奈米金電極之電雙層結構。本實驗利用3D列印製作放置電極之固定槽，並使用網版印刷金電極，兩片相同的電極平行置於固定槽，浸泡於氯化鈉(NaCl)水溶液中量測。實驗主要參數包括改變晶片類型、晶片間距以及NaCl溶液濃度，對於量測分析電極電雙層所受的影響。實驗結果顯示平面金電極的電雙層系統可以等效成由溶液與擴散層所主導的兩組電路串聯而成，其中晶片間距對阻抗之實部大約呈現隨著間距之平方根增加而增加的趨勢，尤其在低Na
Cl溶液濃度時的高頻半圓可以看出明顯影響。溶液濃度則對於阻抗頻譜有明顯影響，系統的阻抗隨著NaCl溶液濃度(100 mM ~ 10 μM)降低而增加，同時也增加電雙層的電容值。奈米金電極的阻抗比平面金電極高，且在量測時重複性比較好。在低頻的奈氏圖中，平面金電極的阻抗呈現一半圓；而奈米金電極的阻抗則呈現一斜直線，可能是因為晶片表面不同造成CPE的差異。開路電壓(Open Circuit Potential, OCP)的值對於阻抗頻譜也會造成影響，實驗結果顯示不論正負，OCP值越小阻抗之實部也會越小，但因為影響不大只有在高頻部分較明顯。本研究探討電極特性與導電液對於阻抗及電容的影響，結果可作為設計
電化學感測晶片、超級電池之參考。
可用於產氫之金屬錯合物/MoS2複合光觸媒與 MoS2@Ag2S/Ag之Z-Scheme光觸媒
為了解決2015 A250 的問題，作者蔡政廷 這樣論述：
致謝 i 摘要 iii Abstract v 目錄 vii 圖目錄 xi 表目錄 xiii 第一章 緒論 1 1.1 前言 1 1.2 研究動機與目的 3 第二章 基本理論及文獻回顧 5 2.1 光觸媒 5 2.1.1 光催化之原理 5 2.1.2 光觸媒種類 7 2.2 改質光觸媒提升光活性之方法 9 2.2.1 貴金屬沉積 11 2.2.2 複合式光觸媒 12 2.2.3 局部表面電漿共振 (Localized Surface Plasmon Resonance, LSPR) 14 2.2.4 Z
-scheme 16 2.3 光觸媒基本性質文獻回顧 18 2.3.1 二硫化鉬 18 2.3.2 金屬錯合物 25 2.3.3 硫化銀及奈米銀 28 第三章 實驗藥品與步驟 31 3.1 實驗儀器及藥品 31 3.1.1 實驗儀器 31 3.1.2 實驗藥品 33 3.2 實驗樣品命名 35 3.2.1 二硫化鉬-鎳錯合物樣品命名 35 3.2.2 二硫化鉬@硫化銀/銀樣品命名 35 3.3 實驗流程圖 36 3.3.1 製作3D花狀二硫化鉬/鎳錯合物複合光觸媒流程圖 36 3.3.2 製作3D花狀二硫化鉬@
硫化銀/銀複合光觸媒流程圖 36 3.4 二硫化鉬-鎳錯合物複合光觸媒產氫實驗步驟 37 3.4.1 二硫化鉬光觸媒製備 37 3.4.2 大環鎳錯合物製備 37 3.4.3 二硫化鉬-鎳錯合物複合光觸媒的製備 38 3.4.4 二硫化鉬-鎳錯合物複合光觸媒的產氫實驗 38 3.5 二硫化鉬@硫化銀/銀複合光觸媒產氫實驗步驟 39 3.5.1 二硫化鉬光觸媒製備 39 3.5.2 二硫化鉬@硫化銀複合光觸媒製備 39 3.5.3 二硫化鉬@硫化銀/銀複合光觸媒製備 39 3.5.4 二硫化鉬@硫化銀/銀複合光觸媒的產氫實驗 40
3.6 實驗分析及鑑定 41 3.6.1 冷場發射掃描式電子顯微鏡 (Cold Field Emission Scanning Electron Microscope, FE-SEM) 41 3.6.2 場發射穿透式電子顯微鏡及能量散佈X射線光譜儀 (Field Emission Transmission Electron Microscope and Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy , FETEM and EDS) 43 3.6.3 多功能薄膜X射線繞射儀 (Multipurpose Thin-film X-ray Diffrac
tometer , HR-XRD) 45 3.6.4 X射線光電子能譜儀 (X-Ray Photoelectron Spectroscopy, XPS/ESCA) 47 3.6.5 高解析比表面積分析儀 (High Resolution Surface Area and Porosimetry Analyser, BET) 48 3.6.6 擴散反射式紫外光/可見光/近紅外光光譜儀 (UV/VIS/NIR Diffuse Reflectance Spectrophotometer, UV/Vis/NIR DRS) 49 3.6.7 螢光光譜儀 (Photolumines
cence Spectrometer, PL) 50 3.6.8 傅立葉轉換紅外線光譜儀 (Fourier-Transform Infrared Spectroscopy, FT-IR) 52 3.6.9 拉曼光譜儀 (Raman Spectroscopy) 54 3.6.10 光電流響應及電化學阻抗 (Photocurrent and Electrochemical Impedance Spectroscopy, EIS) 56 3.6.11 氣相層析儀 (Gas chromatography, GC) 58 第四章 結果與討論 59 4.1 二硫化鉬-複
合鎳錯合物複合光觸媒 59 4.1.1 3D花狀二硫化鉬合成反應機制 59 4.1.2 錯合物結構式 60 4.1.3 光觸媒晶相結構分析 (X射線繞射儀, XRD) 61 4.1.4 光觸媒之表面結構、晶相結構及元素分佈 (場發射穿透式電子顯微鏡, FE-TEM, SAED, Mapping, and EDS) 63 4.1.5 光觸媒表面結構 (冷場發射掃描式電子顯微鏡, FE-SEM) 66 4.1.6 花狀光觸媒比表面積分析 (比表面積與孔隙度分析儀, BET) 67 4.1.7 光觸媒表面化學特性分析 (X射線光電子能譜, XPS) 69
4.1.8 光觸媒光學特性分析 (擴散反射式紫外光/可見光/近紅外光光譜儀, UV/Vis/NIR DRS) 71 4.1.9 光觸媒分子拉曼振動模式分析 (拉曼光譜儀, Raman) 72 4.1.10 光觸媒光致發光響應 (螢光光譜儀, PL) 73 4.1.11 光觸媒電化學抗阻頻譜 (電化學阻抗, EIS) 75 4.1.12 光觸媒之產氫活性 76 4.1.13 光觸媒之產氫機制 77 4.1.14 光觸媒之穩定性測試 (光電流響應, I-t curve) 80 4.2 二硫化鉬@硫化銀/銀複合光觸媒 81 4.2.1 光觸媒晶相結
構分析 (X射線繞射儀, XRD) 81 4.2.2 光觸媒之表面結構、晶相結構及元素分佈 (場發射穿透式電子顯微鏡, FE-TEM, SAED, Mapping, and EDS) 83 4.2.3 光觸媒表面結構 (冷場發射掃描式電子顯微鏡, FE-SEM) 88 4.2.4 光觸媒表面化學特性分析 (X射線光電子能譜, XPS) 90 4.2.5 光觸媒光學特性分析 (擴散反射式紫外光/可見光/近紅外光光譜儀, UV/Vis/NIR DRS) 92 4.2.6 光觸媒分子拉曼振動模式分析 (拉曼光譜儀, Raman) 94 4.2.7 光觸媒光致發光響
應 (螢光光譜儀, PL) 95 4.2.8 光觸媒電化學抗阻頻譜 (電化學阻抗, EIS) 96 4.2.9 光觸媒之產氫活性 97 4.2.10 光觸媒之產氫機制 100 4.2.11 光觸媒之穩定性測試 (光電流響應, I-t curve) 103 第五章 結論 105 5.1 二硫化鉬-複合鎳錯合物複合光觸媒 105 5.2 二硫化鉬@硫化銀/銀複合光觸媒 106 第六章 參考資料 107