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明志科技大學 材料工程系碩士班 阮弼群所指導 林虹君的 以高密度電漿 ICP-CVD 製備磷摻雜 NiO 寬能隙透明導電薄膜 （2020），提出2363矽統關鍵因素是什麼，來自於磷摻雜氧化鎳、能隙、感應式耦合電漿輔助化學氣相沉積。

而第二篇論文國立聯合大學 電子工程學系碩士班 林育賢、吳永俊所指導 黃鈺柔的 低溫退火矽摻雜鎳金屬粒於二氧化鉿基底電阻式記憶體之研究 （2020），提出因為有 二氧化鉿、電阻式記憶體、矽摻雜、金屬粒的重點而找出了 2363矽統的解答。

最後網站科學月刊試閱版2021-11月號623期-臺灣科普的下一步 ... - Issuu則補充：電話：(02)2363-4910 傳真：(02)2363-5999. 行政院新聞局版台誌第0934 號 ... 珊瑚、海綿、被囊類（海鞘）、鞭毛蟲、細菌、矽藻、海.

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大象也會飛？聯電差點漲停、世界創高！只要二條線！抓住IC設計轉強飆股！航運落難週！散裝跟著BDI急跌！長榮陽明站不上季均線的痛！2021/09/03【老王不只三分鐘】

02:28 費半創高後連續回檔，有沒有突破站穩前高壓力好重要！
07:53 港股守住前低支撐反彈，現在好像三陽開泰了！不過要長線翻多還是一樣看季均線吧？
09:53 陸股星期三突破前高壓力跟季均線了！但我有個疑問，為什麼很多陸股ETF都沒大漲？

16:29 董哥那個反彈趨勢看短期均線真的很好用耶，昨天的長黑大跌就不會瞎操心被洗掉！
26:24 聯電今天快漲停耶，大象也會跳舞，好扯喔！晶圓代工這周超強勢！
40:29 IC設計也是這幾天很強勢的族群，新唐到底要不要趕快突破啊？

57:02 上周很強的散裝航運，本周幾乎跌了一整周，有沒有什麼方法可以不要抱上抱下？
01:05:30 是不是董哥的季均線扣抵值嚇到大家了，怎麼陽長直播完隔天就崩了！

本集談及個股有以下：2330台積電、2303聯電、5347世界、4919新唐、8028昇陽半導體、2363矽統、3035智原、6104創惟、5351鈺創、2401凌陽、8261富鼎、6233旺玖、8054安國、3006晶豪科、4961天鈺、3545敦泰、2612中航、2606裕民、2605新興、2637慧洋-KY、5608四維航、2601益航、2615萬海、2603長榮、2609陽明

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※王倚隆（老王）為浦惠證券投顧分析師，本影片僅為心得分享且不收費，本資料僅提供參考，投資時應審慎評估！不對非特定人推薦買賣任何指數或股票買賣點位，投資請務必獨立思考操作，任何損失概與本頻道、本公司、本人無責。※

以高密度電漿 ICP-CVD 製備磷摻雜 NiO 寬能隙透明導電薄膜

為了解決2363矽統的問題，作者林虹君 這樣論述：

　　本論文探討以感應式耦合電漿輔助化學氣相沉積系統 (Inductively coupled plasma-chemical vapor deponsition, ICP-CVD) 以不同磷摻雜時間製備之氧化鎳 (NiO) 寬能系透明導電膜，以探討透光率與導電性之 P-doped NiO 薄膜。　　首先在玻璃基板上利用脈衝直流磁控濺鍍系統 (Pulsed DC magnetron sputtering) 以不同通氧量鍍製本質氧化鎳薄膜，再以快速熱退火處理系統 (Rapid Thermal annealing, RTA) 進行不同溫度的退火處理，最後再利用感應式耦合電漿輔助化學氣相沉積系統中

PH3/H2 混合氣體進行摻雜處理，探討改變不同 PH3/H2 摻雜量與退火溫度製備的 NiO 薄膜。此外本研究還有以N型矽基板製備異質接面元件。　　分析上藉由紫外光/可見光分光光譜儀 (UV-Vis) 分析其光學能隙變化，隨著摻雜時間的升高，能隙也有提升的趨勢。原子力顯微鏡 (Atomic force microscopy, AFM) 分析其表面粗糙度，退火溫度提高，表面更趨於平滑、TEM及FESEM分析表面與截面薄膜結晶程度。電性分析則利用霍爾量測 (Hall Effect) 分析其電學性質，發現具有P型導體特性與不低的電洞遷移率、電壓/電流半導體量測儀分析其pn電流特性，發現元件在照光

時比未照光時高出三倍電流量以及極少的漏電流、量測其載子生命週期及開路電壓等。　　探討未來應用於太陽能電池之表面鈍化與背向電場薄膜應用的可能性。

低溫退火矽摻雜鎳金屬粒於二氧化鉿基底電阻式記憶體之研究

為了解決2363矽統的問題，作者黃鈺柔 這樣論述：

隨著電子產品發展之迅速，所搭配的記憶體效能也被要求，因此傳統的記憶體元件已不數使用，許多新型的記憶體結構紛紛在此時被提出來。其中電阻式記憶體(RRAM)具有結構簡單、低操作電壓、低功耗、快速操作、資料儲存時間長及重複操作可靠度佳等優點，還利於元件尺寸的微縮，容易整合現今的CMOS技術上，所以RRAM在未來極有發展潛力。對於降低退火溫度製程RRAM我們分為兩個主題討論：(一)摻雜矽在HfO2介電薄膜與鎳金屬粒中，研究摻雜是否能在降低其退火溫度，同時也會具有RRAM元件的電阻切換特性；(二)不同金屬材料在HfO2介電薄膜中降低其退火溫度對RRAM特性的影響。實驗結果發現主題一摻雜矽在HfO2介電

薄膜與鎳金屬粒中，在元件製程退火200度下相較於無摻雜RRAM的退火溫度低，且具有更低的操作電壓、高操作速度。主題二使用不同金屬粒材料，發現元件受金屬粒的材料特性影響，在元件製程退火200度下相較於其他退火溫度具有更低的操作電壓，而其中鉑金屬粒RRAM與鈷金屬粒RRA相比，鉑金屬粒RRAM具有更低的操作電壓，在高溫下的可靠度也表現極佳。

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