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國立彰化師範大學 物理學系 洪連輝所指導 魏晨峰的 渦漩磁壁釘扎行為於次微米鎳鐵導線之研究 （2021），提出5w 30 10w 40關鍵因素是什麼，來自於渦旋磁壁、微磁學模擬、釘扎現象。
而第二篇論文國立交通大學 材料科學與工程學系所 張翼所指導 賴冠銜的 毫米波三五族高電子遷移率電晶體厚銅導線製程之研究 （2020），提出因為有 氮化鎵高電子遷移率電晶體、砷化銦鎵變晶型高電子遷移率電晶體、毫米波、銅金屬連接導線、功率放大器的重點而找出了 5w 30 10w 40的解答。
單晶片交換式電源-設計與應用技術(附範例光碟片)
為了解決5w 30 10w 40 的問題，作者梁適安 這樣論述：
交換式電源(Switch Mode Power Supply，即SMPS)被譽為高效率節能型電源，它代表著穩壓電源的發展方向，現已成為穩壓電源的主流產品；而單晶片交換式電源積體電路具有高整合度、高性能、最簡週邊電路、最佳性能準則等優點，能構成高效率無電力頻率變壓器的隔離式交換式電源以及各種特種交換式電源。本書共分為7章。第1章為單晶片交換式電源概述；第2章至第4章介紹了39種單晶片交換式電源模組的設計；第5章重點闡述了利用電腦設計單晶片交換式電源的方法及3種新設計軟體的應用；第6章、7章分別介紹單晶片交換式電源電磁相容性設計及週邊電路關鍵元件的選擇。本書題材新穎，內容豐富，具有科學性及
很高的實用價值，最適合電子相關技術人員和有興趣的讀者閱讀。 本書特色 1 . 介紹國內外在單晶片交換式電源領域的新技術和新成果，包含單晶片交換式電源設計原理、設計方法、典型應用及檢測技術。 2 . 本書以原理為基礎，把設計列為核心技術，將應用作為重點。各章之間保持相對的獨立性，讀者既可通讀全書，亦可選讀部分章節內容。 3 . 本書結構嚴謹、內容由淺入深、循序漸進，最適合電子相關技術人員和有興趣的讀者閱讀。
渦漩磁壁釘扎行為於次微米鎳鐵導線之研究
為了解決5w 30 10w 40 的問題，作者魏晨峰 這樣論述：
我們利用微磁學模擬軟體mumax3了解渦流疇壁（VDW）動態釘扎行為在線寬100 nm,200 nm,300 nm長直導線（厚度為20 nm）的結果，其中缺口深度為0.3倍的線寬。現今大多數的研究都著重於橫向磁壁的釘扎行為，但渦漩磁壁相對於橫向磁壁結構更穩定，在厚度約20nm以上都以橫向磁壁為能量穩定態，因此我們選擇渦漩磁壁進行研究。模擬參數的飽和磁化強度（Ms），阻尼常數模擬參數，交換常數（A）和單元尺寸(cell size)分別為M_s=860×〖10〗^3 A/m，交換常數則設定為A_ex=13×〖10〗^(-12) J/m，阻尼係數設定為α=0.01，溫度設定為T=0K，cell
size=5nm×5nm×5nm。在本研究中我們的模擬結果與其他團隊之模擬結果相似，同時模擬了更多細節，我們的結果顯示導線寬度影響動態釘扎機率。在100nm寬的導線中，TDW比VDW更容易固定，而200nm和300nm寬的導線則相反。本研究發現造成在缺口處有TDW與VDW方式釘扎，主要影響造成兩種釘扎方式的原因與渦漩磁壁本身靠近缺口時的結構有關。
毫米波三五族高電子遷移率電晶體厚銅導線製程之研究
為了解決5w 30 10w 40 的問題，作者賴冠銜 這樣論述：
第五代通訊在近幾年受到廣大的重視，三五族高電子遷移率電晶體具備許多優越的特性，使其成為高頻高功率應用中備受矚目的材料；其中，氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體擁有不錯的電子遷移率、高飽和速度、極高的崩潰電場，非常適合高頻高功率的應用。此外，砷化銦鎵變晶型高電子遷移率電晶體則是擁有更高的電子遷移率，因此在更高頻率的高功率應用當中有機會成為比氮化鎵更合適的選擇。由於功率元件在高頻操作下集膚效應會造成源極以及集極寄生電阻急速上升並大幅限制元件效能以及效率；因此，本論文利用增加金屬連接導線的厚度來改善此問題。研究結果顯示，厚金屬連接導線除了能降低寄生阻抗亦能降低元件操作時的功率損耗，進一步提升元件高
頻效率以及功率表現。傳統上三五族高電子遷移率電晶體是以金作為連接導線的材料，然而以金作為厚金屬連接導線將造成元件製作成本過高。銅比金擁有更高的導熱係數、更低的價格、更低的阻值。將厚銅金屬製程應用在高頻元件製作除了元件製作成本降低之外，銅金屬化元件還擁有比金金屬化元件更低的電阻值，因此銅非常適合取代金成為未來三五族高頻功率元件連接導線的材料。綜合以上，本論文在Ka-band應用中使用以矽為基板的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體探討厚銅金屬連接導線對於高頻高功率元件直流特性以及高頻特性的改善。在28GHz操作頻率下，厚銅金屬導線元件在P3dB時擁有5.5W/mm的輸出功率密度、45.6%的效率以
及7.8dB的線性功率增益。另外，在60GHz應用中使用銦含量40%的砷化銦鎵變晶型高電子遷移率電晶體來探討厚銅金屬連接導線對於高頻功率元件直流特性以及高頻特性的改善。在60GHz操作頻率下，厚銅金屬導線元件擁有0.13W/mm的輸出功率密度、24.7%的效率以及5.1dB的線性功率增益。本研究成果顯示厚銅金屬能使源極以及集極阻值大幅降低使元件直流與高頻特性顯著提升，同時大幅降低製程成本，使其成為毫米波高功率三五族高電子遷移率電晶體連接導線的合適材料。