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國立臺灣科技大學 機械工程系 陳炤彰、呂立鑫所指導 林昱銘的 電致動力輔助化學機械平坦化加工之雙向交錯式電極開發應用於矽導微孔晶圓研究 （2017），提出A180 外 推 窗關鍵因素是什麼，來自於三維堆疊積體電路、電致動力輔助化學機械平坦化製程、銅薄膜化學機械拋光、玻璃晶圓平坦化、矽導微孔。
而第二篇論文國立中正大學 戰略暨國際事務研究所 林泰和 博士所指導 游婷貴的 台灣公共外交的探討-以廣大興28號事件為例 （2014），提出因為有 公共外交、柔性外交、軟實力、廣大興、文化外交的重點而找出了 A180 外 推 窗的解答。
電致動力輔助化學機械平坦化加工之雙向交錯式電極開發應用於矽導微孔晶圓研究
為了解決A180 外 推 窗 的問題，作者林昱銘 這樣論述：
本研究主要為設計雙向交錯式電極，研發新一代電致動力輔助化學平坦化(Electro-Kinetic Force Chemical Mechanical Plolishing, EKF-CMP)系統，應用於銅薄膜晶圓、無鹼玻璃晶圓及矽導微孔晶圓平坦化製程。研究方法先以COMSOL模擬建構電滲流模組，利用粒子溫度進行模擬數據量化，找出不同拋光墊厚度、電極間距、電極寬度以及拋光墊溝槽幾何條件下最佳之雙向交錯式電極設計;並且與導電環整合成一套，透過偏壓使雙向式電極形成切線方向與向心方向之電滲流，達到磨粒均勻散佈於拋光墊並且提高製程時晶圓之材料移除率以及表面品質。實驗驗證結果於八吋銅薄膜晶圓平坦化製程上
可提升21.45%之材料移除率以及降低19.32%之表面非均勻性;於無鹼玻璃晶圓平坦化製程上可提升10.03%之材料移除率，而非均勻度可改善26.86%;在八吋矽導微孔(Through-Silicon-Via, TSV)晶圓上可降低24.59%之Dishing缺陷，驗證EKF-CMP有助於三維堆疊積體電路(3D Stacking IC, 3DS-IC)上降低缺陷之效益。本研究成果未來可應用於量產型TSV CMP製程研發。
台灣公共外交的探討-以廣大興28號事件為例
為了解決A180 外 推 窗 的問題，作者游婷貴 這樣論述：
全球化、媒體多元及資訊革命時代，各國無不透過公共外交，由政府主導，開拓海外交流，建立本國良好形象，形塑對本國有利的輿論環境，爭取國際民心，針對不同受眾，擬定不同策略，增加說服力及吸引力，透過更多相互依賴和互惠，長期且有效推行對外政策，以期擴大影響力及提升軟實力。我國礙於兩岸特殊情勢，在國際間運用傳統外交不時受到阻撓與限制。加以兩岸軍事與經濟規模與權力不對稱，以公共外交保障國家利益與發展實屬必要。本文就公共外交的意涵、公共外交的發展加以說明，並以2013年廣大興案為例，研究台灣如何以公共外交促使菲律賓政府道歉，在結論中亦提出公共外交可著墨及加強之處，希冀對日後類似事件發生的處理及公共外交的研究
有所貢獻。