Air Vent inc的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

矽乙烷自燃行為之研究

為了解決Air Vent inc的問題，作者曹凱筌 這樣論述：

矽乙烷(Disilane, Si2H6)，屬於自燃性氣體，作為特用電子氣體，在半導體先進製程扮演關鍵材料，是一種重要的矽源前驅物；目前矽乙烷文獻的燃燒下限為0.1~0.5 vol.%不等，為了更全面了解矽乙烷，故本研究分為三個階段，首先會在穩態排放下，觀察矽乙烷自燃的引燃行為及臨界出口流速，接著利用臨界出口流速，製備矽乙烷/氮氣與空氣的混合物，且測定燃燒下限及限氧濃度，最後階段，將壓縮空氣與穩定流動中的矽乙烷/氮氣混合，找出適當矽乙烷/氮氣稀釋比例。第一項階段為矽乙烷穩態排放測試，藉由質量流量控器控制氣體流量，搭配電子四向閥的開關來切換平行的矽乙烷以及氮氣流，確保矽乙烷能以穩態的流量排放至排

放出口端，臨界出口流速與矽乙烷濃度及排放出口端內徑有關，並藉助高速攝影機擷取，量測立即引燃距離，且經由邊界層理論，求得純矽乙烷於一般大氣下的最強反應混合濃度為61 vol.%。第二項階段為矽乙烷燃燒下限與限氧濃度的測定，皆在20升爆炸鋼球進行測定，於燃燒下限之測試，將矽乙烷/氮氣以高過臨界出口流速灌至爆炸鋼球，本研究成功製備矽乙烷/氮氣與壓縮空氣或乾燥空氣之混合物範圍為0.1~2.14 vol.%，當矽乙烷/氮氣與壓縮空氣混合物濃度> 2.14 vol.%，則會發生本體自燃現象。以此測出矽乙烷之最小燃燒下限為0.50 ± 0.02 vol.%；在限氧濃度之測試中，發現純矽乙烷與0.1 vol.

%的氧氣/氮氣之混合物仍會產生反應，代表著矽乙烷是極度容易與氧氣進行反應，以此推論矽乙烷之燃燒上限近乎100 vol.%。最後一項階段為模擬矽乙烷釋放測試，會透過震波管道進行初步模擬，觀察矽乙烷/氮氣混合物與壓縮空氣反應的最大升溫、最大升壓，發現由矽乙烷/氮氣(1.1~5.6 vol.%)與壓縮空氣接觸僅只有發生溫和燃燒而無爆炸與過壓，且藉由更換溫度量測點位，得知最大升溫變化會發生在管道中心；接著於壓克力管道進行測試，利用壓克力管道透明特性，觀察矽乙烷/氮氣混合物與壓縮空氣燃燒的現象；結果證實只需將矽乙烷/氮氣濃度保持在5.6 vol.%以下，而不是文獻中的矽乙烷燃燒下限0.1~0.5 vol

.%，此結果有助於科技廠真空泵的氮氣吹驅量，並以升溫變化作為一種安全指標。

比較金屬積層多孔材與粉末冶金材經放電加工修整應用於射出成型模逃氣塊之研究

為了解決Air Vent inc的問題，作者楊尚軒 這樣論述：

塑膠射出模具中，常有的缺陷例如短射、積風與熔接線，這些缺陷是因為射出過程中產生氣體堆積導致塑料充填不順或不完全；而為避免積風現象與改善熔接線痕常在氣體堆積處添加透氣塊當作入子。先前市售透氣金屬塊通常是以粉末冶金法製作，屬於規格製品且價格很昂貴。近年所發展雷射熔融金屬積層(SLM-AM)技術製作透氣塊不僅能客製所需外形，且內部結構與透氣量都能自行控制，達到更精準的透氣控制與結構設計。金屬積層製備之透氣金屬塊表面由燒結路徑之熔池組成，常沾黏未完全熔融粉末導致表面粗糙，因此需後加工處理表面。本實驗室前期研究已提出放電加工EDM修整法，其中與傳統銑切甚至超聲輔助銑切法比較，EDM工法能保持最多的透氣

性，但仍比AM原始燒結材損失達58%透氣量。本實驗研究為改善透氣量損失與實測模具應用，首先設計一模仁，使用Moldflow 套裝程式分析常見有積風與線痕處，並比較兩種SLM透氣塊樣本搭配更新後的EDM參數修整塊體表面，優化的新EDM製程改善透氣率損失至30.4%-44.9%。另外，經多模次的射出成型以分析透氣塊的填塞現象與使用壽命。比對[8]本放電加工法雖輕微增加表面粗糙度，但孔洞面積占比與平均孔洞大小已明顯改善，且節省EDM加工時間大約提升效率達18.3%。實驗證實透氣塊表面孔洞面積占比確實能夠反映出通氣率的大小，但其關係呈現非線性正相關。而在相同射出參數下，逃氣塊範圍的產品表面缺陷已獲得明

顯的改善。隨批量操作高達一千模次的射出，兩種大小孔隙逃氣塊的表面形貌並無膠料填塞，且逃氣塊與公模邊界的組合孔內也無明顯的膠料填塞。