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國立清華大學 電機工程學系 廖聰明所指導 盧旻澤的 具可重組能源支撐機構以開關式磁阻發電機為主之直流微電網 （2021），提出EV3895 PTT關鍵因素是什麼，來自於開關式磁阻電機、風力發電機、太陽光伏、直流微電網、超電容、電池、飛輪、單相三線變頻器、插入式機構、切換式整流器、可重組架構、換相移位、位置估測、電壓控制、電流控制、強健控制、前饋控制、車輛至微電網、微電網至車輛。

而第二篇論文元智大學 電機工程學系丙組 劉維昇所指導 吳世華的 以射頻磁控濺鍍技術沉積氮化鎵薄膜於矽基板之材料特性研究 （2021），提出因為有 氮化鎵、濺鍍、氮化鋁緩衝層、純鎵金屬靶的重點而找出了 EV3895 PTT的解答。

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具可重組能源支撐機構以開關式磁阻發電機為主之直流微電網

為了解決EV3895 PTT的問題，作者盧旻澤 這樣論述：

本論文旨在開發一具可重組能源支撐機構以風力開關式磁阻發電機為主之直流微電網。首先建立一變頻感應馬達驅動之開關式磁阻發電機及其後接非對稱橋式轉換器，採磁滯電流控制以具快速電流追控性能，且經量化設計之電壓控制器，獲得調節良好之48伏直流標稱輸出電壓。為減少開關式磁阻發電機之反電動勢影響，提出考慮最大可操作功率之換相移位策略，可正常操作於廣速度及負載範圍。另外，再提出一些增能探究，包含：(i) 換相移位對直流鏈電壓漣波之影響，可間接降低發電機之產生轉矩漣波；(ii) 發電機之轉子位置估測，包含換相時刻及窗角設定；以及(iii) 單一相斷路之發電容錯能力。為建立微電網共同直流匯流排電壓(400V)，

建構一交錯式直流-直流昇壓轉換器。除良好設計之電流及電壓回授控制器外，加入一輸入電壓前饋控制器，於風力發電機輸出電壓變動下，增快電壓之調節響應速度。為增進微電網之供應可靠性，安裝一包含超電容、電池及開關式磁阻馬達驅動飛輪之混合儲能系統。並裝配一基於維也納切換式整流器之插入式能源支撐機構，以接收可取得之直流、單相及三相交流電源。當風能不足時，微電網可藉此安排，在直流匯流排獲得能源支援。接著，提出一可重組之交錯式昇壓介面轉換器。藉於不同並接轉換器數量進行之穩態特性量測，建立一依速度切換並接數量之交錯式昇壓轉換器，可在廣速度範圍下保有高能源轉換效率。於低風速，甚至風渦輪機停機時，交錯式轉換器可重組，

以擷取輸入外部電源。此外，為拓展所建直流微電網之能源輸入多樣性，再經所開發之交錯式轉換器建立太陽光伏系統。在微電網之測試負載安排上，採用單相三線負載變頻器模擬家用負載。另外，本論文亦從事所建微電網與電動車開關式磁阻馬達驅動系統之互聯雙向操作。所有所建電力電路均以模擬及量測結果驗證評估之。

以射頻磁控濺鍍技術沉積氮化鎵薄膜於矽基板之材料特性研究

為了解決EV3895 PTT的問題，作者吳世華 這樣論述：

本研究的主要目的是利用射頻磁控濺鍍技術，利用純金屬鎵在Si（111）基板上沉積氮化鎵薄膜。使用金屬靶材的主要優點是可以實現大面積製造，從而降低複合靶材的成本。AlN 已被用作緩衝層，其濺鍍參數經過多次沉積後已優化，然後在其上沉積氮化鎵薄膜。研究了 AlN 薄膜樣品的各種特性，最後沉積了 150 nm 厚的氮化鋁層並用作緩衝層。隨後是氮化鎵薄膜的沉積，使用純金屬鎵並將其放置在為濺鍍靶材的定制坩鍋內，且使用氮氣作為反應電漿氣體，並使基板溫度保持在600℃，最後使用射頻磁控濺鍍在 Si (111) 基板沉積300 nm厚之氮化鎵薄膜。最初氮化鎵也針對各種特性進行了優化，最後沉積和研究了 Si /

AlN / GaN 的異質結構。本研究進行GaN薄膜的結構、光學、形態和化學組成等各種特性分析探討。X射線繞射測量顯示 GaN (002) 晶相，2θ 約為 34.5°，而 FWHM 非常窄 (0.96 o)，強度也很高，這說明 GaN 薄膜的結晶品質很好。使用 PL 光譜研究了溫度在10-300 K之間變化GaN 薄膜的光學參數，在室溫下觀察到光譜幾乎消失，在PL光譜100K以下，在3.37 eV（367 nm）處明顯顯示出帶狀發射峰，與標準化合物GaN薄膜能帶相近（365 nm）。後續改變壓力後從 PL 光譜中觀察到黃色發光帶與藍色發光帶，這可能是由於隨著壓力的增加產生了不同的缺陷。使用

TEM 和 X 射線光電子能譜 (XPS) 研究了 GaN 薄膜，結果清楚地表明鎵與氮形成了良好的鍵結。綜上所述，從以上沉積條件和GaN薄膜的各種分析。研究發現射頻磁控濺鍍是一種合適的沉積方法，使用Ga金屬代替複合靶材可以形成高質量的GaN薄膜。結果還表明，GaN薄膜具有最佳性能。還可以理解，AlN 可以用作沉積 GaN 的緩衝層，並且可以獲得高質量的疊層。這些結果表明薄膜和疊層可用於製造各種 GaN 相關元件。

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