Fgr200的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

書中字有黃金屋 走在汽車革命的路上論文書籍站 Fgr200

另外網站FGR 200 - Ventilasjonsfilter.no也說明：FGR 200. 1 planfilter ePM1 65% (F7) med mål: 260x235. Salgspris inkl. mva:kr10,00. Rabatt. Preloader. Beskrivelse. Filter for bruk i Systemair filterbokser ...

長庚大學 電子工程學系 賴朝松所指導 Mamina Sahoo的 基於石墨烯及生物碳基材料的可撓式電晶體應用與能量攫取 （2021），提出Fgr200關鍵因素是什麼，來自於石墨烯、氟化石墨烯、太阳能电池、摩擦纳米发电机、生物碳、能量收集器。

而第二篇論文臺北醫學大學 保健營養學系碩士班 張榮素所指導 廖禹琪的 包覆台灣藜殼活性成分並具有巨噬細胞標靶功能的奈米粒子對肥胖發炎性鐵代謝異常的影響 （2021），提出因為有 台灣藜殼、二十六烷醇、奈米粒子、鐵調素-排鐵通道機制、肥胖、鐵代謝異常的重點而找出了 Fgr200的解答。

最後網站Корпус с фильтрующей вставкой Systemair FGR 200則補充：Корпус с фильтрующей вставкой Systemair FGR 200 по доступной цене со склада в Москве. Фото, описание и характеристики. Доставка за 1 день.

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了Fgr200，大家也想知道這些：

Fgr200進入發燒排行的影片

ย้อนกลับไปเมื่อ 5 เดือนก่อน กับการเปิดตัวต้นแบบซุปเปอร์ไบค์สเปครถแข่ง BMW HP4 Race ในงาน 2016 EICMA Show ที่ทาง BMW Motorrad ให้คำมั่นสัญญาในวิดีโอทีเซอร์ว่า เจอกันแน่ในปี 2017

และวันนั้นก็มาถึง วันที่ค่ายใบพัดสีฟ้าขาวทำตามสัญญาด้วยการเปิดตัว HP4 Race ซุปเปอร์ไบค์ประกอบมือ ที่ใช้พื้นฐานของ S1000RR โดยเพิ่มความพิเศษเข้าไปด้วยการใช้เฟรมตัวถังและล้อที่ทำจากวัสดุคาร์บอนไฟเบอร์ โดยจำกัดจำนวนการผลิตเพื่อจำหน่ายไว้เพียง 750 คันเท่านั้น

เฟรมตัวถังคาร์บอนไฟเบอร์ดังกล่าวมีน้ำหนักเพียง 17.2 ปอนด์หรือ 7.8 กิโลกรัมเท่านั้น ทำจากคาร์บอนไฟเบอร์ทั้งหมด ยกเว้นจุดเชื่อมต่อต่างๆที่ยังใช้โลหะอยู่ เบากว่าเฟรมที่ทำจากอลูมเนียมถึง 4 กิโลกรัม ในขณะที่เฟรมด้านหลังซึ่งรองรับเบาะนั่ง สามารถปรับความสูงได้ 3 ระดับ ก็ทำจากคาร์บอนไฟเบอร์เช่นกัน แต่ถูกขึ้นรูปด้วยกระบวนการที่เรียกว่า Resin Transfer Molding หรือ RTM เพื่อความแข็งแรงเป็นพิเศษ และรับมือกับการบิดงอได้ดี จึงรองรับการปรับระดับเบาะนั่งขึ้นลงได้อย่างไม่มีปัญหาใดๆ

ล้อขนาด 17 นิ้ว ทำจากคาร์บอนไฟเบอร์ที่ถูกขึ้นรูปในแบบ braiding หรือถักเกลียว ที่โครงสร้างเส้นใยคาร์บอนทั้งหมด ถูกห่อหุ้มในชิ้นเดียวกันด้วยเครื่องจักร ก็เบากว่าล้อที่ทำจากอัลลอยถึง 30% ทำให้น้ำหนักรถโดยรวมอยู่ที่ 171 กิโลกรัมเท่านั้น นอกจากนั้นยังช่วยลดแรงต้านแรงโน้มถ่วง ซึ่งเกิดจากการหมุนแบบลูกข่างที่เรียกว่า gyroscopic force ได้ถึง 40% ทำให้ควบคุมการขับขี่ได้ง่ายขึ้น โดยเฉพาะตอนเข้าโค้ง โดยยางที่ใช้เป็นของ Pirelli รุ่น Diablo Superbike Slick SC2 ทั้งสองล้อ ขนาด 120/70 และ 200/60 สำหรับล้อหน้าและหลัง ตามลำดับ

แม้ว่า คาร์บอนไฟเบอร์จะมีความแข็งแรงมาก แต่หลายคนก็อดห่วงไม่ได้ถึงความปลอดภัย ในกรณีนี้ BMW ชี้แจงว่า หากเกิดการชน หรือพลิกคว่ำ การออกแบบโครงสร้างของ HP4 Race จะช่วยให้เฟรมตัวถังและล้อเป็นอุปกรณ์ชิ้นท้ายๆที่ได้รับผลกระทบ

ระบบกันสะเทือนหน้าเป็นโช้คอัพแบบ upside down ของ Ohlins รุ่น FGR 300 รุ่นเดียวกับที่ใช้ในสนามแข่งระดับโลกและ MotoGP ส่วนระบบกันสะเทือนหลังเป็นแบบ spring strut ของ Ohlins เข่นกัน รุ่น TTX36 GP ที่ติดตั้งเข้ากับสวิงอาร์มทำจากอลูมิเนียม ที่ใช้กับรุ่น S1000RR สเปครถแข่ง ปรับค่าสปริงพรีโหลด compression และรีบาวนด์ ได้ทั้งสองล้อ

ระบบห้ามล้อเป็นของ Brembo รุ่น GP4 PR มาพร้อมคาลิปเปอร์แบบโมโนบล็อค ทำจากอลูมิเนียมแบบชิ้นเดียวเคลือบนิเกิล ขนาด 4 ลูกสูบ ที่ผิวลูกสูบได้รับการเคลือบสารไทเทเนียม ประกบดิสก์เบรคแบบ T-Type ขนาด 320 มม หนา 6.75 มม ที่ล้อหน้า ส่วนล้อหลังมาพร้อมดิสก์เบรคเดี่ยวจาก Brembo เช่นกัน ขนาดจาน 220 มม หนา 4 มม พร้อมคาลิปเปอร์แบบ 4 ลูกสูบ โดยมีระยะยุบที่ 130 และ 120 มม ตามลำดับ

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆที่ถูกติดตั้งมาให้เป็นอุปกรณ์มาตรฐานได้แก่ จอแสดงผลแบบ 2D ที่แสดงข้อมูลที่น่าสนใจอย่าง lap time ที่เก็บข้อมูลผ่านระบบ GPS, การตั้งค่าของระบบ Traction Control และการตั้งค่าระบบ Engine Brake นอกจากนั้นยังมีระบบ Dynamic Traction Control (DTC) ปรับได้ 15 ระดับ ตั้งแต่ -7 ไปจนถึง +7 ระบบ Engine Brake (EBR) ปรับได้ 15 ระดับเช่นกัน ระบบ Wheelie Control ปรับได้ 5 ระดับ 1 ถึง 5 ที่ช่วยให้การยกล้อแตะพื้นมีความปลอดภัยและให้ผู้ควบคุมรถสามารถทำอัตราเร่งได้สูงสุดในขณะที่ยังมีความปลอดภัยอยู่ ซึ่งแต่ละระบบที่กล่าวมา สามารถปรับแต่งค่าได้ตามเกียร์ต่างๆ นอกจากนั้นยังมีระบบ Launch control และระบบ Pit Lane Speed Limiter จำกัดความเร็วอัตโนมัติเมื่ออยู่ในพิตเลน

แต่สิ่งที่น่าประทับใจที่สุดคงจะเป็นเรื่องของขุมพลังเครื่องยนต์ 4 สูบเรียงประกอบมือ ที่มาพร้อมชิ้นส่วนใหม่ ทั้งเพลาลูกเบี้ยวไอดี-ไอเสีย เพลาข้อเหวี่ยง ก้านสูบ กรวยไอดีปรับความยาวได้ ให้กำลังสูงสุด 215 แรงม้าที่ 13,900 รอบ/นาที ในขณะที่แรงบิดสูงสุดอยู่ที่ 120 นิวตันเมตรที่ 10,000 รอบ/นาที

จับคู่กับกล่องเกียร์สไตล์รถแข่งแบบอัตราทดชิด 6 สปีด
มิติตัวถังของ HP4 RACE มีดังนี้ ยาว 2070 มม กว้าง 777 มม รวมกระจกข้าง สูง 1193 มม ไม่รวมกระจกข้าง ระยะฐานล้อ 1440 มม เบาะนั่งปรับความสูงได้ 3 ระดับคือ 816, 831 และ 846 มม น้ำหนักรถเติมน้ำมันเต็มถังอยู่ที่ 171.4 กิโลกรัม ความจุถังน้ำมัน 17.5 ลิตร ปริมาณน้ำมันสำรอง 4 ลิตร

สำหรับราคาจำหน่าย BMW HP4 RACE อยู่ที่ 87,000 เหรียญสหรัฐ หรือประมาณ 3 ล้านบาทในอเมริกา โดยจะเริ่มวางจำหน่ายในเดือนกันยายนปี 2017 นี้

基於石墨烯及生物碳基材料的可撓式電晶體應用與能量攫取

為了解決Fgr200的問題，作者Mamina Sahoo 這樣論述：

Table of ContentsAbstract.......................................................................................................iFigure Captions........................................................................................xiTable Captions...................................................

....................................xxiChapter 1: Introduction1.1 Flexible electronics................................................................................11.2 Graphene the magical material ………………………….……….......21.2.1 Synthesis of graphene…………………………….….…...21.2.1.1 Mechanical exfoliati

on of graphene………………...……21.2.1.2 Epitaxial growth on Sic substrate………………….…..31.2.1.3 Chemical vapor deposition (CVD) method………….…..41.2.2 Graphene transfer…………………………………………....41.3 Application of graphene based Electronics……………………….......51.3.1 Graphene based flexible transparent electrode

……………….61.3.2 Top gated Graphene field effect transistor…………………….71.4 Challenges of flexible graphene based field effect transistors.……….91.5 Energy harvesting devices for flexible electronics………….........….91.6 Solar cell…………………………………………………………...101.6.1 Device architecture…………………………………………101.

6.2 Issues and Challenges of Perovskite solar cells………...121.7 Triboelectric nanogenerator (TENG)………………………………121.7.1 Working mode of TENG………………………………….141.8 Applications of TENG………………………………………………151.8.1 Applications of graphene based TENG…………………....151.8.2 Applications of bio-waste material ba

sed TENG………….171.9 Key challenges of triboelectric nanogenerator…………………....…191.10 Objective and scope of this study………………………………....19Chapter 2: Flexible graphene field effect transistor with fluorinated graphene as gate dielectric2.1 Introduction………………………………………………………....212.2 Material preparation a

nd Device fabrication………………. 232.2.1CVD Growth of Graphene on Copper Foil………………….232.2.2 Transfer of graphene over PET substrate……………...........252.2.3 Fabrication of fluorinated graphene ……………...........252.2.4 F-GFETs with FG as gate dielectric device fabrication……262.2.5 Material and electrical C

haracterization …………………272.3 Results and discussion…………………………………………….282.3.1 Material characterization of PG and FG……………...…...….282.3.2 Electrical characterization of F-GFET with FG as dielectrics..332.3.3 Mechanical stability test of F-GFET with FG as dielectrics ….362.4 Summary…………………………………………………

………....40Chapter 3: Robust sandwiched fluorinated graphene for highly reliable flexible electronics3.1 Introduction………………………………………………………….423.2 Material preparation and Device fabrication ………………….........443.2.1 CVD Growth of Graphene on Copper Foil…………………...443.2.2 Graphene fluorination …...…….…………

…………..............443.2.3 F-GFETs with sandwiched FG device fabrication....................443.2.4 Material and electrical Characterization…..............................453.3 Results and discussion ……………………………………...............453.3.1 Material characterization of sandwiched…………………….453.3.2 Electric

al characterization of F-GFET with sandwiched FG....473.3.3 Mechanical stability test of F-GFET with sandwiched FG…503.3.4 Strain transfer mechanism of sandwiched FG………………513.4 Summary…………………………………………………………....53Chapter 4: Functionalized fluorinated graphene as a novel hole transporting layer for ef

ficient inverted perovskite solar cells4.1 Introduction………………………………………………………….544.2 Material preparation and Device fabrication......................................564.2.1 Materials ………………………...…………………………564.2.2 CVD-Graphene growth ……………………………...…...564.2.3 Graphene fluorination …………………………………….564.

2.4 Transfer of fluorinated graphene…………………………...574.2.5 Device fabrication …………………………………….….574.2.6 Material and electrical Characterization …….....................584.3 Results and discussion …………………………………………….594.3.1 Surface electronic and optical properties of FGr……….….594.3.2 Characterization o

f FGr and perovskite surface ……….…644.3.3 Electrical performance of PSC………………….…….…...694.3.4 Electrical performance of Flexible PSC……………………724.4 Summary…………………………………………………………...78Chapter 5: Flexible layered-graphene charge modulation for highly stable triboelectric nanogenerator5.1 Introduction…………

…………………………………………....795.2 Experimental Section……………………………………………….825.2.1 Large-area graphene growth ……………………………….825.2.2 Fabrication of Al2O3 as the CTL …………………………...825.2.3 Fabrication of a Gr-TENG with Al2O3 as the CTL………825.2.4 Material characterization and electrical measurements…….835.3 Results

and discussion.…………………………………...…………845.3.1 Material Characterization of Graphene Layers/Al2O3……845.3.2 Working Mechanism of Gr-TENG with Al2O3 as CTL…915.3.3 Electrical Characterization of Gr-TENG with Al2O3 CTL…945.3.4 Applications of the Gr-TENG with Al2O3 as CTL……….1015.4 Summary…………………………………………

……………….103Chapter 6: Eco-friendly Spent coffee ground bio-TENG for high performance flexible energy harvester6.1 Introduction…………………………………………………….......1046.2 Experimental Section…………………………………………….1086.2.1 Material Preparation …………………………………….1086.2.2 Fabrication of SCG powder based TENG………………...1086

.2.3 Fabrication of SCG thin-film based TENG ………………1096.2.4 Material characterization and electrical measurements….1106.3 Results and discussion.…………………………………...………1116.3.1 Material Characterization of SCG powder and thin film….1116.3.2 Working Mechanism of SCG-TENG……………………...1186.3.3 Electrical Cha

racterization of SCG-TENG……………….1226.3.4 Applications of the SCG thin-film based TENG………….1326.4 Summary………………………………………………………….134Chapter 7: Conclusions and future perspectives7.1 Conclusion………………………………………………………....1357.2 Future work …………………………….………………………….1377.2.1 Overview of flexible fluorinated g

raphene TENG..............1377.2.1.1 Initial results………………………………….…1387.2.2.1.1 Fabrication of FG-TENG………………1387.2.2.1.2 Working principle of FG-TENG……….1397.2.2.1.3 Electrical output of FG-TENG.………...140References…………………………………………………………….142Appendix A: List of publications………………….……………..........177A

ppendix B: Fabrication process of GFETs with fluorinated graphene (FG) as gate dielectric……........……………………………………….179Appendix C: Fabrication process of GFETs with sandwiched FG…....180Appendix D: Fabrication process of inverted perovskite solar cell with FGr as HTL…………………………………………………………….181Appendi

x E: Fabrication of a Gr-TENG with Al2O3 as the CTL…….182Appendix F: Fabrication of SCG based triboelectric nanogenerator….183Figure captionsFigure 1-1 Exfoliated graphene on SiO2/Si wafer……………………….3Figure 1-2 Epitaxial graphene growth on SiC substrate………………....3Figure 1-3 Growth mechanism of graphe

ne on Cu foil by CVD ……......4Figure 1-4 Wet transfer process of CVD grown graphene…………...….5Figure 1-5 RGO/PET based electrodes as a flexible touch screen.……....6Figure 1-6 Graphene based (a) touch panel (b) touch-screen phone…….7Figure 1-7 Flexible graphene transistors (a) (Top) Optical photograph

of an array of flexible, self-aligned GFETs on PET. (Bottom) The corresponding schematic shows a device layout. (b) Schematic cross-sectional and top views of top-gated graphene flake–based gigahertz transistors. (Left) AFM image of a graphene flake. (Right) Photograph of flexible graphene devices

fabricated on a PI substrate. (c) Cross-sectional schematic of flexible GFETs fabricated using a self-aligned process……8Figure 1-8 The magnitude of power needed for meet certain operation depending critically on the scale and applications………………………10Figure 1-9 Schematic diagrams of PSC in the (a) n-i

-p mesoscopic, (b) n-i-p planar, (c) p-i-n planar, and (d) p-i-n mesoscopic structures………...12Figure 1-10 Schematic illustration of the first TENG...………………...13Figure 1-11 Working modes of the TENG. (a) The vertical contact-separation mode. (b) The lateral sliding mode. (c) The single-electrode mode

. (d) The free-standing mode ………………………………...……14Figure 1-12 Schematic illustration of (a) device fabrication of graphene-based TENGs (b) graphene/EVA/PET-based triboelectric nanogenerators (c) device fabrication of stretchable CG based TENG with electrical output performance……………………………………………………...17

Figure 1-13 Schematic illustration and output performance of bio-waste material based TENG (a) Rice-husk (b) Tea leaves (c) Sun flower powder (SFP) (d) Wheat stalk based TENG………….…………………………18Figure 2-1 Graphene synthesis by LPCVD method……….…………...24Figure 2-2 Schematic diagram of (a) preparation pro

cess of 1L-FG/copper foil (b) Layer by layer assembly method was used for fabricating three-layer graphene over copper foil and then CF4 plasma treatment from top side to form 3L-FG/copper foil…………………….26Figure 2-3 Schematic illustration of fabrication process of F-GFET with FG as gate dielectric ……

……………………………………………….27Figure 2-4 (a) Raman spectra of PG, 1L-FG and 3L-FG after 30 min of CF4 plasma treatment over copper foil. (b) Peak intensities ratio ID/IG and optical transmittance of PG, 1L-FG and 3L-FG. Inset: image of PG and 1L-FG film over PET substrate. (c) Typical Raman spectra of PG, 1L

-FG and 3L-FG on PET substrate. (d) Optical transmittance of PG, 1L-FG and 3L-FG film over PET substrate. The inset shows the optical image of GFETs with FG as gate dielectrics on PET ……….…………30Figure 2-5 XPS analysis result of (a) PG (b) 1L-FG (c) 3L-FG where the C1s core level and several carbon f

luorine components are labeled. The inset shows the fluorine peak (F 1s) at 688.5 eV……………………….32Figure 2-6 (a) Water contact angle of PG, 1L-FG and 3L-FG over PET substrate. (b) The relationship between water contact angle of PG, 1L-FG and 3L-FG and surface-roughness………………………………………33Figure 2-7 (a) I

d vs. Vd of w/o-FG, w/1L-FG and w/3L-FG samples after 30 min of CF4 plasma (b) Id vs. Vg of w/o-FG, w/1L-FG and w/3L-FG samples at a fixed value of drain to source voltage, Vds of 0.5 V (c) Gate capacitance of w/o-FG, w/1L-FG and w/3L-FG samples (d) Gate leakage current of w/o-FG (naturally formed A

l2OX as gate dielectric), w/1L-FG and w/3L-FG samples ……………………………...…………...……...34Figure 2-8 (a) Schematic illustration of bending measurement setup at different bending radius. (i) Device measurement at (i) flat condition (ii) bending radius of 10 mm (iii) 8 mm (iv) 6 mm. Inset shows the photograph

of measurement setup. Change in (b) carrier mobility (c) ION of w/o-FG, w/1L-FG and w/3L-FG samples as a function of bending radius. The symbol ∞ represents the flat condition. Change in (d) carrier mobility (e) ION of w/o-FG, w/1L-FG and w/3L-FG samples as a function of bending cycles (Strain = 1.

56%)…………………………………….38Figure 3-1 Schematic illustration of the flexible top gate graphene field effect transistor with sandwich fluorinated graphene (FG as gate dielectric and substrate passivation layer) ……………………………...…………44Figure 3-2 Raman spectra of (a) PG/PET and PG/FG/PET substrate (b) sandwiche

d FG (FG/PG/FG/PET). Inset showing the optical transmittance of sandwiched FG. (c) HRTEM image for 1L-FG.……………….….…46Figure 3-3 (a) Id vs. Vd of FG/PG/FG device at variable vg (−2 to 2 V). (b) Id vs. Vg of FG/PG/FG. (c) Gate capacitance of FG/PG/FG ….…….48Figure 3-4 Raman spectra of devices under be

nding (a) PG/PET (Inset shows the 2D peak) (b) PG/FG/PET (inset shows the 2D peak) …….…49Figure 3-5 (a) Change in Mobility (b) change in ION of PG/PET and PG/FG/PET as a function of bending radius between bending radii of ∞ to 1.6 mm in tensile mode (c) Change in Mobility (d) Change in ION of PG/PET

and PG/FG/PET as a function of bending cycles. Inset of (c) shows the photograph of F-GFETs with sandwich FG on the PET substrate (e) change in resistance of w/1L-FG, 1L-FG/PG/1L-FG samples as a function of bending radius ………………………...……………….50Figure 3-6 Schematic evolution of proposed strain transf

er mechanism through PG/PET and PG/FG/PET. The inset of PG/PET sample shows the generation of sliding charge due to interfacial sliding between PG and PET ………………………………………………………………….….52Figure 4-1 FGr fabrication and transfer process …………….………....57Figure 4-2 (a) Raman analysis of pristine graphene a

nd the FGr samples after 5, 10, 20, and 30 min of CF4 plasma treatment over Cu foil (b) Raman intensity ratios (I2D/IG and ID/IG) of fluorinated graphene, with respect to the exposure time ……………………………………………60Figure 4-3 SEM images of (a) ITO, (b) ITO/1L-FGr, (c) ITO/2L-FGr, and (d) ITO/3L-FGr …………………

………………………………….61Figure 4-4 XPS analysis of FGr with (a) 5 min (b) 10 min and (c) 20 min of CF4 plasma treatment on the Cu foil (d) The fluorine peak (F1s) of FGr (f) The correlation of the carbon-to-fluorine fraction (C/F) with exposure time and the corresponding carrier concentrations …………….………62Fi

gure 4-5 Tauc plots and UV–Vis absorption spectra of FGr films with CF4 plasma treatment for (a) 5, (b) 10, and (c) 20 min ….………......….63Figure 4-6 WCAs on PEDOT: PSS and 1L, 2L, and 3L FGr samples ...64Figure 4-7 (a) Mechanism of large grain growth of perovskite on a non-wetting surface (b) Top-vi

ew and cross-sectional surface morphologies of perovskites on various HTLs ………………………………...…………65Figure 4-8 XRD of perovskite films on various HTL substrates ….…...66Figure 4-9 UPS spectra of various numbers of FGr layers on ITO: (a) cut-off and (b) valance band spectra …………………………………….….67Figure 4-10

Energy band diagrams of PSCs with (a) PEDOT: PSS, (b) 1L-FGr, (c) 2L-FGr, and (d) 3L-FGr as HTL …………………….…….68Figure 4-11 (a) Steady state PL spectra of PEDOT: PSS/perovskite and FGr/perovskite films. (b) TRPL spectral decay of PEDOT: PSS/perovskite and FGr/perovskite films………………………….……69Figure 4-1

2 (a) Schematic representation of a PSC having an inverted device configuration. (b) Cross-sectional HRTEM image of the ITO/ FGr–perovskite interface………………………………………...………70Figure 4-13 Photovoltaic parameters of PSCs incorporating various HTL substrates: (a) PCE (%), (b) Voc (V), (c) Jsc (mA/cm2), an

d (d) FF (%)....71Figure 4-14 Normalized PCEs of target and control PSCs incorporating various HTL substrates, measured in a N2-filled glove box. (a) Thermal stability at 60 °C (b) Light soaking effect under 1 Sun (c) Stability after several days …………………………………………………………….72Figure 4-15 (a) Schematic r

epresentation of the structure of a flexible PSC on a PET substrate (b) J–V curves of control and target flexible PSCs, measured under both forward and reverse biases. (c) Average PCE of flexible PSCs incorporating PEDOT: PSS and FGr HTLs……….…73Figure 4-16 (a) Normalized averaged PCEs of the flexibl

e PSCs after bending for 10 cycles at various bending radii. (b) Normalized averaged PCEs of the flexible PSCs plotted with respect to the number of bending cycles at a radius of 6 mm ………………………………………………75Figure 4-17 Photovoltaics parameters of flexible PSCs with various HTL substrates: (a) JSC (mA/c

m2), (b) Voc (V), and (c) FF (%) ……………....75Figure 4-18 XRD patterns of perovskite films on PET/ITO/FGr, recorded before and after bending 500 times …………………………………….76Figure 4-19 SEM images of (a) perovskite films/FGr/ITO/PET before bending (b) after bending 500 times (c) perovskite films/PEDOT: PSS/

ITO/PET before bending (d) after bending 500 times ……………….…77Figure 4-20 PL spectra of perovskite films on PET/ITO/FGr, recorded before and after various bending cycles …………………………….…78Figure 5-1 Schematic illustration showing the fabrication process of a flexible Gr-TENG with Al2O3 as the CTL ……………

………………...83Figure 5-2 The Raman spectra of (a) graphene/Al-foil/PET and (b) graphene/Al2O3/Al-foil/PET. The I2D/IG of graphene layers (1L, 3L and 5L) over (c) Al-foil/PET substrate (d) Al2O3/Al-foil/PET substrate …...85Figure 5-3 XRD patterns of (a) graphene/Al-foil/PET and (b) graphene/Al2O3/Al-foi

l/PET ……………………………………………86Figure 5-4 FESEM image of the graphene surface on (a) Al-foil/PET and (b) Al2O3/Al-foil/PET. EDS analysis of (c) graphene/Al-foil/PET and (d) graphene/Al2O3/Al-foil/PET (e) EDS elemental mapping of the graphene/Al2O3/Al-foil/PET presenting C K series, O K series and Al K ser

ies …………………………………………………………….………87Figure 5-5 3D AFM images of (a) 1L-Gr (b) 3L-Gr (c) 5L-Gr on Al foil (d) 1L-Gr (e) 3L-Gr (f) 5L-Gr on Al2O3/Al foil………………….….….89Figure 5-6 Work function of graphene layers on the (a) Al-foil (b) Al2O3/Al-foil substrate by KPFM. Inset showing the surface potential of

graphene layers (1L, 3L and 5L) over Al-foil and Al2O3 substrate (c) energy band diagrams for 1L-Gr, 3L-Gr and 5L-Gr over Al2O3 ……....90Figure 5-7 Schematic illustration of Electronic energy levels of graphene samples and AFM tip without and with electrical contact for three cases: (i) tip and the

1L-Gr (ii) tip and the 3L-Gr and (iii) tip and the 5L-Gr over Al2O3/Al foil/PET……………………………………….…...…………91Figure 5-8 Working mechanism of Gr-TENG with Al2O3 ….….…...…93Figure 5-9 a) ISC and (b) VOC of 1L-, 3L- and 5L-Gr-TENGs without Al2O3 CTL (c) Sheet resistance of graphene as a function of number

of layers ………………………………...…...…………………………….95Figure 5-10 Electrical output of the Gr-TENG with Al2O3 CTL: (a) ISC and (b) VOC of 1L-, 3L- and 5L-Gr. Magnification of the (c) ISC and (d) VOC of the 3L-Gr-TENG with Al2O3 as the CTL. Average mean (e) ISC and (f) VOC generated by pristine Gr-TENGs (1L, 3L

and 5L) and Gr-TENGs (1L, 3L and 5L) with Al2O3 CTL. Error bars indicate standard deviations for 4 sets of data points ……………...…………….….…......96Figure 5-11 (a) CV of Al/Al2O3/3L-Gr/Al at 100 kHz and 1 MHz (b) CV hysteresis of 3L-Gr-TENG with Al2O3 as CTL with different sweeping voltages (c) Surface

charge density of graphene (1L, 3L and 5L)-based TENG with and without Al2O3 as CTL ………………………………...98Figure 5-12 Circuit diagram of output (a) VOC and (b) ISC measurement of 3L-Gr TENG with Al2O3 CTL as a function of different resistors as external loads. Variation in VOC and ISC w.r.t different re

sistors as external loads of (c) 3L-Gr TENG with Al2O3 CTL (d) 3L-Gr TENG without Al2O3 CTL. Relationship between electrical output power and external loading resistance (e) 3L-Gr TENG with Al2O3 CTL (f) 3L-Gr TENG without Al2O3 CTL…………………………………….………………...99Figure 5-13 (a)Electrical stability and du

rability of the 3L-Gr TENG with Al2O3 (b) Schematic illustrations showing the charge-trapping mechanism of 3L-Gr-TENG without and with Al2O3 charge trapping layer ………101Figure 5-14 (a) Photograph showing 20 LEDs being powered (b) Circuit diagram of bridge rectifier (c) Charging curves of capacitors

with various capacitances (d) Photograph of powering a timer …….………………102Figure 6-1 The schematic diagram of the fabrication process for SCG powder based TENG ……………………………………………….….108Figure 6-2 The schematic diagram of the fabrication process for SCG thin-film based TENG via thermal evaporation meth

od ………………109Figure 6-3 FESEM image of (a) SCG powder (inset image illustrates the high magnification of SCG powder) (b) SCG thin-film/Al foil/PET (inset image illustrates the high magnification of SCG thin-film). EDS of the (c) SCG powder (d) SCG thin-film/Al foil/PET…………………………. 112Figure 6-4 Raman

spectra analysis (a) pristine SCG powder (b) SCG thin-film/Al foil/PET. XRD patterns of (c) SCG powder (d) SCG thin film with different thickness ……………………………………… ……….115Figure 6-5 FTIR analysis of the (a) pristine SCG powder sample (b) SCG thin film………………………………………………………………...116Figure 6-6 3D AFM ima

ge of SCG thin-film with various thickness (a) 50 nm (b)100 nm and (c) 200 nm……………………………………...117Figure 6-7 Schematic illustration of working principle of SCG thin-film based TENG …………………………………………………………...119Figure 6-8 Finite element simulation of the generated voltage difference for SCG thin-film b

ased TENG based on the contact and separation between SCG thin film and PTFE …………….……………………….120Figure 6-9 (a) The setup for electrical property testing, which including a Keithley 6514 system electrometer and linear motor. Electrical output (b) ISC (c) VOC of TENGs based on different friction pairs

for checking the triboelectric polarity of SCG…………………………………………...123Figure 6-10 Electrical measurement of (a) ISC and (b) VOC of the SCG thin-film based TENG. Mean value of (d) ISC (e) VOC and (f) Output power density of the pristine SCG powder and thermal deposited SCG thin-film based TENG. ...………

………………………………………125Figure 6-11 (a) Schematic illustration of KPFM for measuring the work function. (b) Surface potential images of SCG thin film with various thickness (50 nm, 100 nm and 200 nm). (c) Surface potential and (d) Work function vs SCG thin film with various thickness (50 nm, 100 nm and 20

0 nm).………….……………………………………………….128Figure 6-12 (a) Isc and (b) Voc of SCG thin film based TENG under different contact frequencies (c) Isc and (d) Voc of SCG thin film based TENG under different separation distance…………………………….129Figure 6-13 Electrical response (a) ISC (b) VOC of pristine SCG powder an

d (c) ISC (d) VOC of SCG thin-film based TENG with respect to different relative humidity (35-85% RH) …………………………….131Figure 6-14 Electrical stability and durability test of the output performance of (a) pristine SCG powder based TENG (b) SCG thin-film based TENG……………………………………………………………132Figure 6-15

Applications of the SCG thin film based TENG as a power supply: (a) Circuit diagram of the bridge-rectifier for charging a capacitor (b) Charging curves of capacitors with various capacitances (0.1, 2.2 and 3.3 µF) (c) Photograph of powering a timer…………………...………133Figure 7-1 Schematic illustration o

f FG based TENG…….….……….139Figure 7-2 Working mechanism of FG based TENG…………………140Figure 7-3 Electrical output of FG-TENG: (a) Isc and (b) Voc …….….141Table captionsTable 2-1 Comparison of flexible G-FETs on/off ratio of our work with other’s work…………………………………………………...………...40Table 3-1 Summary of th

e electrical and mechanical performance of flexible w/o-FG, w/ 1L-FG, w/3L-FG and sandwich FG (FG/PG/FG) samples......................................................................................................52Table 3.2: Comparison of the electrical and mechanical performance of sandwich FG ba

sed F-GFET with previous F-GFET with different gate dielectrics……………………………………………………….………53Table 4-1 Best photovoltaic performance from control and target devices prepared on rigid and flexible substrates……………………………......74Table 5-1 EDS elemental analysis of graphene over Al-foil/PET and Al2O3/Al-foi

l/PET ………………………………………………………88Table 5-2 Comparison of electrical output performance of Gr-TENGs with and without Al2O3 CTL samples used in this study………………103Table 6-1 EDS elemental analysis of SCG-Powder and SCG thin film /Al foil/PET………………………………………………………………...113Table 6-2 Comparison of electrical o

utput performance of SCG-TENGs samples used in this study……………………………………………...126

包覆台灣藜殼活性成分並具有巨噬細胞標靶功能的奈米粒子對肥胖發炎性鐵代謝異常的影響

為了解決Fgr200的問題，作者廖禹琪 這樣論述：

前言：肥胖相關發炎會增加鐵調素(hepcidin)的分泌，提高對排鐵通道蛋白(ferroportin)的降解，使鐵質堆積在細胞內並降低小腸鐵吸收，進而導致鐵代謝異常的發生。M2 CD163+巨噬細胞在鐵的代謝回收機制上扮演重要的角色，主要透過鐵調素-排鐵通道蛋白機制調節體內血鐵平衡。目前並無有效治療發炎性貧血或鐵代謝異常的方法。近年來，以奈米粒子作為藥物載體越來越受到關注，透過修飾奈米粒子使其具有可包覆脂溶性藥物、標靶特定目標、高生物相容性等特性，可以改善傳統藥物治療的限制。台灣藜殼為台灣原生種穀物，其有效活性成分有良好的抗發炎、抗氧化等功能。本實驗室過去研究發現4種台灣藜殼己烷萃取物中的活

性成分，有效降低內毒素脂多醣(Lipopolysaccharides, LPS)誘發活化型巨噬細胞促發炎因子及鐵調素的分泌。因此本研究主要目的為：以細胞和動物實驗模式探討台灣藜殼活性成分巨噬細胞標靶的奈米粒子對鐵代謝異常之影響。材料與方法：(1) in vitro THP1 cell model: 以LPS (2 ug/mL)刺激THP-1巨噬細胞後，分別介入台灣藜殼活性成分(hexacosanol, β-amyrin, squalene或stigmasterol)、包覆活性成分的奈米粒子或甘露糖修飾奈米粒子後，觀察細胞分泌發炎因子、鐵調素-排鐵通道表現量；(2) acute in vivo

animal model: 給予大鼠LPS (1 mg/kg BW) 急性誘發血鐵代謝異常後，介入台灣藜殼活性成分(5 mg/kg BW, 靜脈注射)，分析血鐵代謝及發炎反應; (3) chronic in vivo animal model: 給予3個月高脂高鐵飲食(50% fat, 2 g ferric Fe/kg diet)後，腹腔注射LPS (0.5 mg/kg BW)誘發慢性鐵代謝異常，並注射hexacosanol、hexacosanol奈米粒子或hexacosanol甘露糖修飾奈米粒子 (2.5 mg/kg BW, 腹腔注射)，總共介入6 週共計8次注射，檢測血液生化數值，分析肝臟

鐵質代謝相關表現。結果： (1) 細胞實驗顯示: 包覆4種台灣藜殼活性成分奈米粒子皆可抑制發炎激素和鐵調素的生成並提高排鐵通道蛋白表現量。(2) 急性動物實驗發現只有hexacosanol可顯著改善LPS誘發急性發炎造成的血鐵代謝異常。(3) 高脂高鐵 (50%脂肪與2 g ferric iron/kg diet)-LPS誘發肥胖鐵代謝異常動物實驗顯示: 只有hexacosanol甘露糖修飾的奈米粒子(2.5 mg/kg BW)可顯著改善脂肪肝、肝臟發炎反應、增加排鐵通道蛋白及其重要轉錄因子Nrf2和HIF-2α蛋白，並抑制Keap1和PHD2蛋白表現，而包覆hexacosanol奈米粒子及甘

露糖修飾的標靶奈米都可以有效改善LPS及高脂高鐵飲食誘發的血糖、血脂異常且具有下調鐵調素表現的能力。結論：Hexacosanol甘露糖修飾奈米粒子具有調控發炎誘發的鐵調素-排鐵通道蛋白異常相關機制，血鐵回復正常代謝並合併改善脂肪肝及肝臟發炎反應。故藉由hexacosanol甘露糖修飾奈米粒子標靶巨噬細胞，未來可能可以作為治療肥胖發炎性鐵代謝異常的替代性治療方法。

想知道Fgr200更多一定要看下面主題
Fgr200的網路口碑排行榜
分類