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玩轉字首字根：理科英文單字這樣記好簡單!

為了解決Fuse 壞的問題，作者清水建二,すずきひろし 這樣論述：

用傳統方法記單字，沒效率且老是背了就忘？ 碰到艱澀的理工醫、留考等專業領域單字直接想放棄？ 字源學習法權威「清水建二」指引最強字彙解方！ 以「理科重要字根 ╳ 通用字首」為基礎展開全腦鍛鍊 （左腦）單字拆解聯想字義 + （右腦）圖像輔助強化記憶 跨領域整合學單字，一般字、專業字全搞定！      　　將英文單字拆解成「字首、字根、字尾」來學習和記憶， 　　是非常科學、快速，且獲得英文教學及語言學專業人士認同的有效方法！ 　　關於此單字學習法的原理及創造的驚人效果無須贅述，坊間相關書籍亦多如牛毛， 　　如何從中挑選出最符合個人學習需求、且能發揮最高學習成效的一本才是最重要的！   　　日本字

源學習法權威大師、語言類百萬暢銷作者清水建二全新力作， 　　專為破解平時生活不常用到，卻在專業領域不可或缺的艱澀字彙而設計！ 　　無論是為了「升學、證照考」而不得不學這些不好記又不好發音之單字的「理科人」， 　　或是短期內需大量記憶學術領域字以通過 TOEFL, IELTS, GRE, GMAT 等留學考試的「準留學生」， 　　本書不只蒐羅應試必通重要單字，更傳授提高背單字效率及測驗時識字命中率的「方法」， 　　因為「理科特有英文單字」幾乎 100% 來自古希臘文或拉丁文， 　　所以用字源拆解的方法來記憶理科英文單字可發揮最大的效益！   　　★ 活用 175 組理科專業核心字根 ╳ 50 個

全領域通用字首， 　　再長再難的字也能經由拆解而推知字義！ 　　理科專業字彙在日常會話中較少使用，而且通常不好記又不好發音， 　　若用傳統方法死記硬背，大概也是反覆背了又忘，事倍功半！ 　　最好的方式是善用「字首、字根、字尾」進行單字拆解，有系統地聯想並推理出字義。 　　而依本書規劃，只要理解記憶一組字根，不但能同時學會5個以上相同字根的其他單字， 　　再藉由與字首、字尾的搭配組合，還能輕鬆推理出更多未知單字的意義！ 　　例如：adrenoleukodystrophy 這個非常艱澀的單字可拆解如下： 　　ad〔往∼的方向〕＋ reno〔腎臟〕＋ leuko〔白色的〕＋ dys〔不良〕 ＋ tr

ophy〔營養狀況〕   　　首先，由〔發生在接近腎臟處（＝腎上腺）的白色的營養狀態不良現象〕， 　　便可推得「腎上腺腦白質失養症」這一病名。 　　接著再針對 reno, leuko, dys, trophy 這些字根與其他字首字尾構成的相關單字群進行集中式學習， 　　更能反覆熟悉、輕鬆推理，無形中讓自己的詞彙量獲得爆炸性增長！    　　★ 結合「插圖」與「字源」的「全腦學習」， 　　將抽象單字具象化更容易理解，記憶更深刻！ 　　即便以字源拆解單字是最有效率的單字記憶方式， 　　然而記憶單純的單字列表不但容易忘記，且很難持續學習。 　　作者提倡「結合插圖與字源的學習法」，根據字源，將單字的抽

象意涵以圖像化表現， 　　亦即一邊以左腦理解單字根源，一邊用插圖將之深刻烙印於右腦的全腦式學習！ 　　例如「蒲公英」的英文是 dandelion， 　　如果利用這個外來語的音標硬背下來，恐怕時間一久就會忘得一乾二淨， 　　但若是將 dandelion 進行字源拆解為：dan(t) / den(t)〔齒〕＋ de〔～的〕＋ lion〔獅子〕， 　　讓左腦理解「蒲公英的葉子」很像「獅子的牙齒」，並進一步將之圖像化， 　　以視覺訴諸右腦，便可以記憶得更深、更牢、更長久。  　　 　　★ 文科人也需要的理科英文單字！ 　　舉例來說，你或許不認識也覺得沒有必要認識 nostalgia（思鄉病）這個字，

　　因為一般人在日常生活中只需要會 homesickness 即可溝通， 　　但是對於想進入如文學、社會學、心理學、人類學等專業領域的人來說， 　　nostalgia 是 TOEFL、GRE 等留學考試中必學的重要單字， 　　在文學、心理學中又被理解為「懷舊」，甚至發展出「懷舊理論」。 　　而此字的字根 algia 在希臘文中是「疼痛」的意思， 　　於是在醫學專業中，它又衍生出許多疾病名稱， 　　如 cardialgia（心臟痛、胃痛）、dentalgia（牙痛）、arthralgia（關節痛）⋯⋯ 　　由上例即可說明，許多理科單字其實也是幫助文科人跨過專業門檻的重要單字。 　　 　　此外，本

書雖然主要以理科背景人士之需求篩選核心字根及重要單字， 　　但藉由「字源筆記」中對於字源背景知識的說明及提點， 　　即使是一般文科人也能透過本書廣泛汲取許多有趣又有用的知識。 　　若再加上活用「圖像 + 字源拆解」的學習法來聯想和記憶單字， 　　漸漸地，你將發現自己竟然能夠推理字義，看懂生活中常見的科普、醫學用語。 　　

Fuse 壞進入發燒排行的影片

併網式太陽光電電力系統保護協調研究

為了解決Fuse 壞的問題，作者李文義 這樣論述：

本論文為研究一裝置容量為1MWp太陽能光電電力系統的保護協調研究。首先，依據所設定場址面積估算可安裝的太陽光電模組數，接著根據所選用併網型太陽光電變流器內建最大功率追蹤器的輸入電壓電流規格，決定每一太陽光電模組陣列的串聯數及其並聯數。最後並聯所有太陽光電變流器輸出，建立一低壓交流電系統並匯聚於變壓器二次側，而且並於各電路分支插入適當跳脫容量無熔線斷路器進行過電流保護，在經由變壓器升壓將發電注入電力系統。為了能妥善設定各項保護設備，達成保護協調之目的，先進行變壓器破壞曲線計算，其結果可用於選擇台電饋線保護熔絲等級與設定保護設備的時間對電流曲線以獲得良好協調時距。最後使用Microsof

t Excel表單分析驗證各項保護設備之保護協調性。

英文單字語源漫畫圖鑑 超幽默高效單字記憶法

為了解決Fuse 壞的問題，作者肘井學 這樣論述：

「四格漫畫」＋「常用片語」＋「英單專欄」 為英文單字的學習帶來革命！！ 333則語源故事拓展英文學習新世界！   　　單字的學習是學英文最重要且最辛苦的一門功課。 　　然而，這門最重要的功課卻有許多人覺得痛苦，進而放棄。 　　每個英文單字的語源都有個故事。 　　本書裡的每個單字都使用了故事與插圖， 　　以四格漫畫的形式幽默地替單字的世界增添深度與色彩， 　　將原本痛苦的單字學習變成一大樂事。 　　有了四格漫畫和語源解說這些故事， 　　讀者可以盡情地品味英文單字的妙趣與感動。 　　再也不必害怕學習英文單字！ 　　且一輩子都忘不了吸收的英文單字

知識。    本書特色   　　特色1　所有單字皆搭配描寫起源的四格漫畫進行解說 　　書中的所有單字都附上了四格漫畫，讓您不必再為枯燥乏味的單字學習而苦。每則漫畫皆以單字起源為基礎，讓每個單字都有自己的故事。您的單字學習將掀起一番革命！   　　特色2   所有單字搭配「常用片語」 　　本書為單字附上了比例句更短、更好記，且使用頻率更高的常用片語，並盡可能採用了具正面意義的內容，讓讀者記單字時可當範例參考。例如，depress（使沮喪）這個乍看之下很負面的單字，本書使用了Don't be so depressed.（別太沮喪）這個片語，讓您愈唸愈有精神。   　

　特色3   標記ＫＫ音標 　　在本書中，為學習的單字皆標註了讀者熟悉的ＫＫ音標，透過音標，即可以輕鬆發出正確讀音。   　　特色4   豐富的英單專欄 　　本書加入了豐富的英單專欄以吸引讀者看完整本書。快來沉溺在這快樂的英單世界吧！保證讓您愈看愈捨不得入眠！   　　特色5   單字排序由易至難 　　為了讓讀者更順利地學習，本書的單字編排順序是從最簡單的單字開始，循序漸進地提升難度。   　　特色6   嚴選333個有助於學習整體英文的單字 　　本書最大的目的是讓讀者透過四格漫畫和了解單字的起源，以促進單字的學習。所以，本書網羅的單字，全部都是實際會出現在日

常會話、高中•大學入學考、英檢以及TOEIC®的常用單字。  

以16奈米鰭式場效電晶體實現接面熔絲崩潰型單次編程記憶體晶片之設計與製作

為了解決Fuse 壞的問題，作者楊尚霖 這樣論述：

5G時代的來臨，使得人們越來越無法離開對各類電子產品的依賴，對於電子產品強勁的需求也使得記憶體的應用更加的大量及多元。單次/多次編程的記憶體元件，由於其邏輯製程相容性以及便宜等優點而受到青睞，其傳統的三種機制分別為：在閘極施加大電壓或大電流使介電質產生永久破壞性而產生導通路徑的反熔絲崩潰(anti-fuse breakdown)；藉由將大電流流過合適寬度金屬線或是聚矽化合物產生電遷效應而熔斷導通路徑的熔絲崩潰(fuse breakdown)；以及利用穿隧或熱電子效應控制電荷儲存，閾值電壓因此產生偏移，並透過此偏移現象判斷儲存狀態的電荷儲存(charged-based)元件。在新型鰭式電晶體單

次編程記憶體應用中，反熔絲崩潰為目前主流的設計，但其編程所需高電壓亦將造成可靠性問題，本文即著重於解決上述之問題，經由本實驗室團隊所提出的新型編程方式，維持原記憶體單元架構，將儲存電晶體浮接，並在汲極加一大電壓，使汲極產生接面崩潰，便可避免原先反熔絲崩潰所帶來的可靠性問題，並可將記憶體控制單元之輸出/輸入元件替換為低操作電壓之核心元件，可同時解決可靠度問題以及減少記憶體單元面積。因此，本文使用了TSMC 16 nm FinFET來製作及實現該接面崩潰之單次編程記憶體晶片。首先，我們將晶片設計分成三個部分：解碼器、記憶體陣列及感測放大器。在不同的操作狀態下，藉由解碼器將特定的電壓施加記憶體陣列中

的指定位址，藉以達到編程以及讀取的目的，並將其餘未指定的位址接地或浮接來避免編程或是讀取階段造成干擾。記憶體陣列中，記憶體單元與單元間並聯形成「頁」，最後頁與頁間並聯形成「陣列」。另外，感測放大器則採用了電壓模式的感測放大器，並且採用均衡電晶體(equalizer)設計以及放大關鍵電晶體面積，來加快感測速度並降低輸入電壓偏移(offset voltage)所帶來的感測錯誤。本設計完成容量為4kb的接面熔絲崩潰 (Junction Fuse Breakdown)形成單次編程記憶體，不但可達VOUT/VDD大於80% 的0/1寫入窗口，還有非常持久的資料保存性，且在編程上僅需要使用3.6 V的電壓

，就能在1μs內完成編程；另外也能有效抑制編程擾動，且在相同的布局設計規則下，也能將面積縮小至傳統反熔絲崩潰之設計單元之45%大小。並透過使用不同閾值電壓的記憶體單元，探討其對編程電壓與脈衝時間造成的影響。而本次設計之晶片，在150℃下烘烤840小時後，依然能正常操作且具備了較小面積的設計潛能以及持久的資料儲存性，在未來的5G時代中，本研究提供了一個在嵌入式系統以及各項電子產品應用中的儲存使用更佳的選擇，以及次世代單次編程記憶體之新式機制。