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國立陽明交通大學 電子研究所 林鴻志所指導 葉宇婕的 具有綠光雷射結晶多晶矽通道之T型閘薄膜電晶體射頻特性分析 （2021），提出GLC de關鍵因素是什麼，來自於薄膜電晶體、多晶矽、雷射結晶、T型閘極、射頻元件。
而第二篇論文國立臺灣大學 化學研究所 林志民、倪其焜所指導 林厚余的 A. 基質輔助雷射脫附游離法的離子產生機制B. 邏輯演繹序列串聯質譜法應用於地衣澱粉多醣之結構鑑定 （2021），提出因為有 基質輔助雷射脫附游離法、熱致質子轉移、螢光光譜、離子產率、邏輯演繹序列串聯質譜法、地衣澱粉、多醣的重點而找出了 GLC de的解答。
具有綠光雷射結晶多晶矽通道之T型閘薄膜電晶體射頻特性分析
為了解決GLC de 的問題，作者葉宇婕 這樣論述：
本論文中，我們研究具有T型閘極、空氣邊襯及矽化閘/源/汲極多晶矽薄膜電晶體的射頻特性。為了提升多晶矽薄膜的晶粒尺寸，我們使用綠光奈秒雷射來製備厚度為50 nm與100 nm的多晶矽薄膜。結果顯示厚度為100 nm的薄膜能得到等效尺寸大於1 μm的晶粒大小，遠優於50 nm厚的多晶矽薄膜。我們於元件製作時採用了新穎的T型閘極技術，不僅降低元件的閘極電阻，也使電晶體具有比微影技術解析極限更小的閘極線寬，使轉導得以大幅提升。我們也分別利用高溫的快速熱退火及低溫的微波退火來活化源汲極雜質。在通道厚度為100 nm並以快速熱退火進行源汲極活化的多晶矽薄膜電晶體中，對最小通道長度達124 nm之元件，截
止頻率可達59.7 GHz，最大震盪頻率亦可達34 GHz。具有相同通道厚度並以微波退火來活化雜質的電晶體中，當通道長度微縮至102 nm，元件的截止頻率更高達63.6 GHz，最大震盪頻率亦可達29.7 GHz。相較過往文獻報導的多晶矽薄膜元件，我們以微波活化源汲極的薄膜電晶體達到了最高的截止頻率。
A. 基質輔助雷射脫附游離法的離子產生機制B. 邏輯演繹序列串聯質譜法應用於地衣澱粉多醣之結構鑑定
為了解決GLC de 的問題，作者林厚余 這樣論述：
A.基質輔助雷射脫附游離法已被廣泛地使用於各類型樣品的分析，尤其是應用於高分子量分子的分析，例如高分子化合物或生物分子。由於此方法屬於「軟性」的游離方式，因此分子較容易在游離的過程中維持完整的狀態。自從基質輔助雷射脫附游離法發展以來，有很多模型被提出要解釋離子的生成方法。因此在本論文中將以量測基質的螢光生命期和不同溫度下基質分子的離子產率解釋離子生成的模型。第一個實驗中我們要驗證一個過去在解釋基質輔助雷射脫附游離法常被提及的S1-S1 annihilation在離子化的過程中，是否為重要的反應機制。在這個實驗中，我們分別量測了12個常用的質基分子的時間解析螢光光譜，其中6個基質有產生S1-S
1 annihilation，5個基質不會產生S1-S1 annihilation，1個基質因生命期太短無法確認，代表能量集結模型在基質輔助雷射脫附游離過程中，不是必須的反應途徑。在過去的研究基質輔助雷射脫附游離法中的一項參數－離子產率，是一個驗證離子化機制的重要參數。根據我們實驗室先前的研究，提出了熱致質子轉移可能是主要的離子化機制。在第二個實驗中我們在不同的樣品起始溫度量測常用的基質分子2,5-DHB的離子產率。實驗的結果顯示了在不同樣品起始溫度改變雷射光通量，其離子產率的比例會符合熱致離子轉移模型的預測有相同的趨勢，因此2,5-DHB為基質在紫外光基質輔助雷射脫附游離法中熱致離子轉移才是
離子生成的主要反應。B.一種新的質譜法－邏輯演繹序列串聯質譜法應用在多醣的基本結構鑑定。傳統分析多醣的方法包含了許多複雜的過程，例如衍生化、泛甲基化、氣相層析質譜法和核磁共振光譜法可以被邏輯演繹序列串聯質譜法所取代。在這種新的分析法中，多醣被水解成單醣、雙醣和各種不同尺寸的寡醣，然後使用高性能液相層析和邏輯演繹序列質譜法鑑定這些單醣、雙醣和寡醣。本實驗將邏輯演繹序列串聯質譜法應用到地衣澱粉多醣，決定了地衣澱粉的重複單元為An-Bn，A為β-Glc-(1→4)-β-Glc-(1→4)-β-Glc-(1→3)-Glc，B為β-Glc-(1→4)-β-Glc-(1→4)-β-Glc -(1→4)-β
-Glc-(1→3)-Glc，n為重複單元數。邏輯演繹序列串聯質譜法能大幅的減少鑑定多醣時所需的時間、心力和樣品量。這種新方法將是鑑定多醣基本結構有力的工具。